1.一种GaN基复合衬底的制备方法，用于制备氮极性面朝上的GaN基复合衬底，该GaN基复合衬底由下往上依次包括导热导电转移衬底、键合介质层及GaN基外延薄膜，该方法包括以下步骤：
S11，在蓝宝石衬底上外延生长GaN基外延薄膜得到蓝宝石GaN基复合衬底；
S13,在GaN基外延薄膜表面和导热导电转移衬底上分别制备键合介质层，然后将GaN基外延薄膜表面的键合介质层与导热导电转移衬底上的键合介质层进行键合，使GaN基外延薄膜与导热导电转移衬底键合得到包含蓝宝石衬底、GaN基外延薄膜、键合介质层和导热导电转移衬底的半成品复合衬底；
S14，去除半成品复合衬底中的蓝宝石衬底，清洗后得到氮极性面朝上的GaN基外延薄膜与导热导电转移衬底键合在一起的成品GaN基复合衬底；
对步骤S11中得到的蓝宝石GaN基复合衬底内的GaN基外延薄膜表面进行表面处理，和/或对步骤S14的去除半成品复合衬底中的蓝宝石衬底后的GaN基外延薄膜表面进行表面处理。
2.一种GaN基复合衬底的制备方法，用于制备镓极性面朝上的GaN基复合衬底，该GaN基复合衬底由下往上依次包括导热导电转移衬底、键合介质层及GaN基外延薄膜，该方法包括以下步骤：
S21，在蓝宝石衬底上外延生长GaN基外延薄膜得到蓝宝石GaN基复合衬底，使用粘接剂将GaN基外延薄膜连接到临时转移衬底上，去除蓝宝石衬底；
S23，在GaN基外延薄膜和导热导电转移衬底表面分别制备键合介质层，然后将GaN基外延薄膜表面的键合介质层与导热导电转移衬底表面的键合介质层进行键合，实现GaN基外延薄膜与导热导电转移衬底键合的健合；
S24，在键合过程中，粘接剂在高温下碳化，临时转移衬底从GaN基外延薄膜表面自动脱落，清洗后得到镓极性面朝上的GaN基外延薄膜与导热导电转移衬底键合在一起的GaN基复合衬底；
对步骤S21中的蓝宝石GaN基复合衬底内的GaN基外延薄膜表面进行表面处理，和/或步骤S21中的使用粘接剂连接到临时转移衬底上且去除蓝宝石衬底后的GaN基外延薄膜表面进行表面处理，和/或步骤S24中临时转移衬底从GaN基外延薄膜表面自动脱落后的GaN基外延薄膜表面进行表面处理。
3.根据权利要求1或2所述的GaN基复合衬底的制备方法，其特征在于，所述表面处理为干法刻蚀、湿法刻蚀、电化学腐蚀、光电化学腐蚀和无电极腐蚀中的任意一种、两种或者两种以上的组合。
4.根据权利要求3所述的GaN基复合衬底的制备方法，其特征在于，所述步骤S13和步骤S23键合时采用的温度为0℃-2000℃，压力为20公斤力/平方英寸至20吨/平方英寸。