技术特征：
技术总结
本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。能够提高形成于衬底上的膜的膜品质。半导体器件的制造方法具有：通过交替进行对衬底供给卤系的第一处理气体的工序、和对所述衬底供给非卤系的第二处理气体的工序，从而在所述衬底上形成晶种层的工序，和对所述衬底供给第三处理气体从而在所述晶种层上形成膜的工序，使供给所述第一处理气体的工序中的所述衬底存在的空间的压力大于供给所述第二处理气体的工序中的所述衬底存在的空间的压力。
技术研发人员：渡桥由悟;森谷敦
受保护的技术使用者：株式会社日立国际电气
技术研发日：2016.12.21
技术公布日：2017.07.04