量子点发光层与器件及制备方法、发光模组与显示装置与流程

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种量子点交联发光层与QLED器件及制备方法、发光模组与显示装置。

背景技术：

量子点（Quantum dot, QD）也被称为半导体纳米晶（Semiconductor nanocrystal），是一种颗粒半径小于或接近于激子波尔半径的半导体纳米粒子，其具有各种独特的光学特性，如禁带宽度易调谐、吸光光谱范围宽、光谱纯度高、光/化学性能稳定等。基于量子点的发光二极管被称为量子点发光二极管（Quantum dot light-emitting diode, QLED），是一种新兴的显示器件，其结构与有机发光二极管（Organic light-emitting diode, OLED）相似，但与传统发光二极管以及OLED相比，QLED具有色纯度高、稳定性好、寿命长、色温佳、制备工艺简单等突出优点，有望替代传统的无机和有机LED成为经济的、稳定的和高效能的下一代显示面板。

目前大多数研究的QLED器件均采用溶液法加工制备，如旋涂法、印刷法等，溶液法与蒸发镀膜法相比，不仅方法简单、工艺快速，而且成本低廉，利于QLED器件的大规模产业化制备。虽然如此，溶液法较难得到非常均匀致密的膜层，所制备的薄膜往往会出现厚度不均匀、覆盖不全、膜层结晶性不好、界面缺陷大、膜层之间相互溶解渗透等不利现象，而与之相比，蒸发镀膜法通过精确控制沉积速度和气氛容易得到膜厚均一、结晶性优良的高质量薄膜。溶液法的成膜不均匀，最终会导致所制备的QLED器件重复性不好、器件之间性能差异大，且发光面积不均匀和性能不稳定。特别地，量子点发光层作为QLED器件的核心组成层，其成膜均匀性对后续加工的其他膜层以及器件的性能起到至关重要的作用。

对于量子点发光层的沉积方法，目前大多数成膜工艺是将表面配体功能化的量子点溶于有机溶剂中，配置成量子点溶液或量子点墨水，接着通过旋涂或印刷方式沉积于衬底或功能层上，然后采用同样的成膜方法在量子点发光层上依次沉积其他功能层，最后蒸镀电极，得到QLED器件。但是，因为量子点主要依靠配体分散在溶液或墨水中，其仍保持颗粒状态，颗粒尺寸与普通离子或有机小分子相比较大，成膜时量子点颗粒较难均匀铺展在衬底上，且随着溶剂的进一步挥发，量子点颗粒之间的间距会逐渐拉大或收缩，会加剧量子点发光层的不均匀性。此外，由于量子点表面含有丰富的有机配体，沉积后的量子点仍有很大机会在后续其他功能层的溶液法成膜过程中重新溶解带走或直接冲走，导致量子点膜层不均匀，以及器件发光不均匀和性能较低。即使采用难溶解量子点的溶剂，也难以避免该过程的发生，而且也因为这样，后续功能层材料的选择也会受到其可选溶剂的限制。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

技术实现要素：

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点交联发光层与QLED器件及制备方法、发光模组与显示装置，旨在解决现有量子点膜层覆盖不均匀、厚度不均匀，以及器件发光不均匀和性能较低的问题。

本发明的技术方案如下：

一种量子点交联发光层的制备方法，其中，包括步骤：

首先将表面包覆有配体的量子点溶解在溶剂中，得到量子点溶液；

然后将量子点溶液采用溶液法沉积在衬底或功能层上，得到量子点发光层；

接着将所得的量子点发光层置于真空腔体中，通入有机金属配合物，处理0.5~30 min，其中腔体内部的压力为0.01~1 mbar，有机金属配合物经气化后的分压为0.001~0.1 mbar，腔体内部的温度为10~25 °C；

将上述处理完成后的量子点发光层取出，得到量子点交联发光层。

所述的量子点交联发光层的制备方法，其中，所述配体为有机配体或无机配体，所述有机配体为长链有机配体和/或短链有机配体；所述有机配体为巯基乙酸、巯基丙酸、巯基丁酸、巯基油酸、巯基甘油、谷胱甘肽、巯基乙胺、巯基油胺、三辛基膦、三辛基氧化膦、油酸、氨基酸、烷基酸、烷基胺、磺酸、硫醇中的一种或多种；所述无机配体为Cl^-、Br^-、S^2-、HS^-、SnS₄^4-、Sn₂S₆^4-、ZnCl₄²⁻、Zn(OH)₄²⁻中的一种或多种。

所述的量子点交联发光层的制备方法，其中，所述量子点为II-V族化合物半导体、III-V族化合物半导体、IV-VI 族化合物半导体及其核壳结构中的一种或多种。

所述的量子点交联发光层的制备方法，其中，所述溶剂为正辛烷、异辛烷、甲苯、苯、氯苯、二甲苯、氯仿、丙酮、环己烷、正己烷、正戊烷、异戊烷、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、六甲基磷酰胺、正丁醚、苯甲醚、苯乙醚、苯乙酮、苯胺、二苯醚中的一种或多种。

所述的量子点交联发光层的制备方法，其中，所述有机金属配合物为烷基铝、烷基锂、烷基铟、烷基镓、烷基镉、烷基碲、烷基镁、烷基锌、胺基锂、芳基锂中的一种或多种。

一种量子点交联发光层，其中，所述量子点交联发光层采用如上任一所述的量子点交联发光层的制备方法制备而成。

一种QLED器件的制备方法，其中，包括：

步骤A、在含有阳极的衬底上依次制备空穴注入层和空穴传输层；

步骤B、在空穴传输层上制备如上所述的量子点交联发光层；

步骤C、在量子点交联发光层上依次制备电子传输层以及阴极，得到QLED器件。

一种QLED器件，其中，自下而上依次包括：含有阳极的衬底、空穴注入层、空穴传输层、如上所述的量子点交联发光层、电子传输层及阴极。

一种发光模组，其中，包括如上所述的QLED器件。

一种显示装置，其中，包括如上所述的发光模组。

有益效果：本发明把溶液法制备的量子点发光层置于易挥发有机金属配合物气氛中，活泼且极易水解的有机金属配合物经气化后与量子点表面丰富的配体发生反应，使分别独立的量子点交联在一起，形成气相胶结后的量子点交联发光层。本发明量子点薄膜不仅均匀平整，而且膜层稳定，难以被后续其他功能层沉积时的溶剂重新溶解带走或冲走，有效地提高QLED器件的发光均匀性和稳定性，另外，有机金属配合物的引入能够有效地钝化量子点表面缺陷，提高QLED器件的发光效率和发光寿命。

附图说明

图1为本发明一种QLED器件的制备方法较佳实施例的流程图。

图2为本发明实施例1中QLED器件的交联过程示意图。

图3为本发明实施例1中QLED器件的结构示意图。

具体实施方式

本发明提供一种量子点交联发光层与QLED器件及制备方法、发光模组与显示装置，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明的一种量子点交联发光层的制备方法较佳实施例，其中，包括步骤：

首先将表面包覆有配体的量子点溶解在溶剂中，得到量子点溶液；

然后将量子点溶液采用溶液法沉积在衬底或功能层上，得到量子点发光层；

接着将所得的量子点发光层置于真空腔体中，通入有机金属配合物，处理0.5~30 min，其中腔体内部的压力为0.01~1 mbar，有机金属配合物经气化后的分压为0.001~0.1 mbar，腔体内部的温度为10~25 °C；

将上述处理完成后的量子点发光层取出，得到量子点交联发光层。

本发明把溶液法制备的量子点发光层置于易挥发有机金属配合物气氛中，活泼且极易水解的有机金属配合物经气化后与量子点表面丰富的配体发生反应，使分别独立的量子点交联在一起，形成气相胶结后的量子点交联发光层。在本发明中，有机金属配合物的作用一方面是使带配体的量子点交联一起，提高成膜质量，使所成量子点薄膜不仅均匀平整，而且膜层稳定，难以被后续其他功能层沉积时的溶剂重新溶解带走或冲走，有效地提高QLED器件的发光均匀性和稳定性，另一方面，有机金属配合物的引入能够有效地钝化量子点表面缺陷，提高QLED器件的发光效率和发光寿命。

具体地，将表面包覆有配体的量子点干燥称重后溶解于甲苯或氯仿等溶剂中，配制成量子点溶液，其中量子点溶液的浓度为1~50 mg/mL。优选地，所述配体为有机配体或无机配体，所述有机配体为长链有机配体和/或短链有机配体；所述有机配体可以为但不限于巯基乙酸、巯基丙酸、巯基丁酸、巯基油酸、巯基甘油、谷胱甘肽、巯基乙胺、巯基油胺、三辛基膦、三辛基氧化膦、油酸、氨基酸、烷基酸、烷基胺、磺酸、硫醇等中的一种或多种；所述无机配体可以为但不限于Cl^-、Br^-、S^2-、HS^-、SnS₄^4-、Sn₂S₆^4-、ZnCl₄²⁻、Zn(OH)₄²⁻中的一种或多种。其中，所述有机配体含有-OH、-COOH、-NH₂、-NH-、-SH、-CN、-SO₃H、-SOOH、-NO₂、-CONH₂、-CONH-、-COCl、-CO-、-CHO、-Cl、-Br等中的一个或多个配位基团。更优选地，所述配体为短链有机配体或无机配体。

具体地，本发明所述量子点可以为掺杂或非掺杂的II-V族化合物半导体、III-V族化合物半导体、IV-VI 族化合物半导体及其核壳结构中的一种或多种。

具体地，本发明所述溶剂可以为但不限于正辛烷、异辛烷、甲苯、苯、氯苯、二甲苯、氯仿、丙酮、环己烷、正己烷、正戊烷、异戊烷、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、六甲基磷酰胺、正丁醚、苯甲醚、苯乙醚、苯乙酮、苯胺、二苯醚等中的一种或多种。

具体地，本发明上述溶液法可以为但不限于旋涂法、浸渍提拉法、打印法、印刷法、喷墨法、喷涂法、滚涂法、刮涂法、浇铸法、电解沉积法、狭缝式涂布法、条状涂布法中的一种或多种。

具体地，本发明所述衬底可以为刚性衬底或柔性衬底，其中所述刚性衬底可以为但不限于玻璃、金属箔片中的一种或多种；所述柔性衬底可以为但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、对苯二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚醚醚酮（PEEK）、聚苯乙烯（PS）、聚醚砜（PES）、聚碳酸酯（PC）、聚芳基酸酯（PAT）、聚芳酯（PAR）、聚酰亚胺（PI）、聚氯乙烯（PVC）、聚乙烯（PE）、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）、纺织纤维中的一种或多种。

具体地，本发明所述功能层可以为导电玻璃层、金属电极层、空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、电子阻挡层、电极修饰层、隔离保护层中的一种或多种；其中，所述导电玻璃层可以为但不限于铟掺杂氧化锡（ITO）、氟掺杂氧化锡（FTO）、锑掺杂氧化锡（ATO）、铝掺杂氧化锌（AZO）中的一种或多种。

具体地，本发明所述有机金属配合物为活泼且易挥发的有机金属配合物，可以为但不限于烷基铝、烷基锂、烷基铟、烷基镓、烷基镉、烷基碲、烷基镁、烷基锌、胺基锂、芳基锂中的一种或多种；更具体地，所述有机金属配合物可以为但不限于三甲基铝、三乙基铝、三异丁基铝、二乙基锌、甲基锂、乙基锂、丁基锂、三氯甲锂、乙烯基锂、环丙基锂、苯基锂、二甲基锌、二乙基锌、二甲基镉、二乙基镉、二乙基碲、二异丙基碲、三甲基镓、三乙基镓、三甲基铟、二甲基乙基铟、三乙基锑、二戊镁、二甲基二戊镁、二甲基乙基胺配铝烷中的一种或多种。本发明上述有机金属配合物均能与如上所述配体发生反应。

本发明的一种量子点交联发光层，其中，所述量子点交联发光层采用如上任一所述的量子点交联发光层的制备方法制备而成。本发明制备所得的量子点交联发光层覆盖均匀、厚度均匀，成膜质量高；其用于QLED器件中，能够有效提高QLED器件的发光均匀性、发光效率以及稳定性。

图1为本发明的一种QLED器件的制备方法较佳实施例的流程图，如图所示，其包括：

步骤S100、在含有阳极的衬底上依次制备空穴注入层和空穴传输层；

步骤S200、在空穴传输层上制备如上所述的量子点交联发光层；

步骤S300、在量子点交联发光层上依次制备电子传输层以及阴极，得到QLED器件。

本发明的一种QLED器件较佳实施例，其自下而上依次包括：含有阳极的衬底、空穴注入层、空穴传输层、如上所述的量子点交联发光层、电子传输层及阴极。本发明如上所述的量子点交联发光层用于QLED器件中，制成的QLED器件不仅具有较高的发光均匀性及稳定性，还具有高的发光效率和发光寿命。

具体地，本发明所述衬底可以为刚性衬底或柔性衬底，其中所述刚性衬底可以为但不限于玻璃、金属箔片中的一种或多种；所述柔性衬底可以为但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、对苯二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚醚醚酮（PEEK）、聚苯乙烯（PS）、聚醚砜（PES）、聚碳酸酯（PC）、聚芳基酸酯（PAT）、聚芳酯（PAR）、聚酰亚胺（PI）、聚氯乙烯（PVC）、聚乙烯（PE）、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）、纺织纤维中的一种或多种。

具体地，本发明所述阳极可选自铟掺杂氧化锡（ITO）、氟掺杂氧化锡（FTO）、锑掺杂氧化锡（ATO）、铝掺杂氧化锌（AZO）等中的一种或多种。

具体地，本发明所述空穴注入层可以为聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）、酞菁铜（CuPc）、2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰醌-二甲烷（F4-TCNQ）、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲（HATCN）、掺杂或非掺杂过渡金属氧化物、掺杂或非掺杂金属硫系化合物中的一种或多种；其中，所述过渡金属氧化物可以为但不限于MoO₃、VO₂、WO₃、CrO₃、CuO或它们的混合物中的一种或多种；所述金属硫系化合物可以为但不限于MoS₂、MoSe₂、WS₂、WSe₂、CuS或它们的混合物中的一种或多种。

具体地，本发明所述空穴传输层的材料可选自具有空穴传输能力的有机材料，可以为但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)（TFB）、聚乙烯咔唑（PVK）、聚(N, N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)（poly-TPD）、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)（PFB）、4,4’,4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺（TPD）、N,N’-二苯基-N,N’-（1-萘基）-1,1’-联苯-4,4’-二胺（NPB）、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、C60或它们的混合物中的一种或多种。所述空穴传输层材料还可选自具有空穴传输能力的无机材料，可以为但不限于NiO、MoO₃、VO₂、WO₃、CrO₃、CuO、MoS₂、MoSe₂、WS₂、WSe₂、CuS或它们的混合物中的一种或多种。

具体地，本发明所述电子传输层的材料可以为但不限于n型ZnO、TiO₂、SnO₂、Ta₂O₃、AlZnO、Zn₂SnO₄、InSnO₂、Alq3、Ca、Ba、CsF、LiF、CsCO₃中的一种或多种；优选地，所述电子传输层为n型ZnO、n型TiO₂。

具体地，本发明所述阴极可以为但不限于各种导电碳材料、导电金属氧化物材料、金属材料中的一种或多种；其中导电碳材料可以为但不限于掺杂或非掺杂碳纳米管、掺杂或非掺杂石墨烯、掺杂或非掺杂氧化石墨烯、C₆₀、石墨、碳纤维、多空碳、或它们的混合物中的一种或多种；导电金属氧化物材料可以为但不限于ITO、FTO、ATO、AZO、或它们的混合物中的一种或多种；金属材料可以为但不限于Al、Ag、Cu、Mo、Au、或它们的合金中的一种或多种；其中所述金属材料中，其形态可以为但不限于致密薄膜、纳米线、纳米球、纳米棒、纳米锥、纳米空心球、或它们的混合物中的一种或多种；优选地，所述阴极为Ag或Al。

具体地，本发明QLED器件可以部分封装、全封装或不封装。

具体地，本发明上述各层的制备方法可以是化学法或物理法，其中化学法可以为但不限于溶胶-凝胶法、化学浴沉积法、化学气相沉积法、水热法、共沉淀法、电化学沉积法中的一种或多种；物理法可以为但不限于热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、电解法、静电纺丝法中的一种或多种。

需说明的是，本发明不限于上述结构的QLED器件，还可进一步包括界面功能层或界面修饰层，包括但不限于电子阻挡层、空穴阻挡层、电极修饰层、隔离保护层中的一种或多种。

需说明的是，本发明不限于制备上述正型结构的QLED器件，还可以制备反型结构的QLED器件。且反型结构的QLED器件还可进一步包括界面功能层或界面修饰层，包括但不限于电子阻挡层、空穴阻挡层、电极修饰层、隔离保护层中的一种或多种。

本发明的一种发光模组，其中，包括如上所述的QLED器件。

本发明的一种显示装置，其中，包括如上所述的发光模组。

下面通过实施例对本发明进行详细说明。

实施例1

QLED器件的制备步骤如下：

在ITO衬底上旋涂一层PEDOT:PSS薄膜作为空穴注入层；

在PEDOT:PSS层上旋涂一层PVK作为空穴传输层；

在PVK层上旋涂一层表面包覆巯基丙酸（MPA）配体的CdSe@ZnS作为量子点发光层；

接着，将上述制备的表面包覆巯基丙酸（MPA）配体的CdSe@ZnS层置于真空腔体中，通入三甲基铝（(CH₃)₃Al）气体，其中腔体内部压力为0.05 mbar，三甲基铝气体的分压为0.01 mbar，腔体内部温度为16 °C，处理时间为5 min，处理结束后取出，得到量子点交联发光层；

然后，在上述制备的量子点交联发光层上旋涂一层ZnO作为电子传输层；

最后，在ZnO层上蒸镀一层Al，得到QLED器件。其中，本实施例的交联过程示意图见图2，其QLED器件的结构示意图见图3，图3中1为ITO衬底、2为PEDOT:PSS层、3为PVK层、4为量子点交联发光层、5为ZnO层、6为Al层。

实施例2

QLED器件的制备步骤如下：

在ITO衬底上旋涂一层PEDOT:PSS薄膜作为空穴注入层；

在PEDOT:PSS层上旋涂一层TFB层作为空穴传输层；

在TFB层上旋涂一层表面包覆巯基丙酸（MPA）配体的CdSe@ZnS作为量子点发光层；

接着，将上述制备的表面包覆巯基丙酸（MPA）配体的CdSe@ZnS层置于真空腔体中，通入三甲基铝（(CH₃)₃Al）气体，其中腔体内部压力为0.05 mbar，三甲基铝气体的分压为0.02 mbar，腔体内部温度为18 °C，处理时间为10 min，处理结束后取出，得到量子点交联发光层；

然后，在上述制备的量子点交联发光层上旋涂一层ZnO作为电子传输层；

最后，在ZnO层上蒸镀一层Al，得到QLED器件。

实施例3

QLED器件的制备步骤如下：

在ITO衬底上旋涂一层PEDOT:PSS薄膜作为空穴注入层；

在PEDOT:PSS层上旋涂一层TFB作为空穴传输层；

在TFB层上旋涂一层表面包覆油酸（OA）配体的CdSe@ZnS作为量子点发光层；

接着，将上述制备的表面包覆油酸（OA）配体的CdSe@ZnS层置于真空腔体中，通入三乙基铝（(CH₃CH₂)₃Al）气体，其中腔体内部压力为0.05 mbar，三乙基铝气体的分压为0.01 mbar，腔体内部温度为18 °C，处理时间为20 min，处理结束后取出，得到量子点交联发光层；

然后，在上述制备的量子点交联发光层上旋涂一层ZnO作为电子传输层；

最后，在ZnO层上蒸镀一层Al，得到QLED器件。

实施例4

QLED器件的制备步骤如下：

在ITO衬底上旋涂一层PEDOT:PSS薄膜作为空穴注入层；

在PEDOT:PSS层上旋涂一层PVK作为空穴传输层；

在PVK层上打印一层表面包覆巯基乙酸（TGA）配体的CdSe@CdS作为量子点发光层；

接着，将上述制备的表面包覆巯基乙酸（TGA）配体的CdSe@CdS层置于真空腔体中，通入三乙基铝（(CH₃CH₂)₃Al）气体，其中腔体内部压力为0.05 mbar，三乙基铝气体的分压为0.01 mbar，腔体内部温度为18 °C，处理时间为20 min，处理结束后取出，得到量子点交联发光层；

然后，在上述制备的量子点交联发光层上旋涂一层ZnO作为电子传输层；

最后，在ZnO层上蒸镀一层Al，得到QLED器件。

实施例5

QLED器件的制备步骤如下：

在ITO衬底上旋涂一层PEDOT:PSS薄膜作为空穴注入层；

在PEDOT:PSS层上旋涂一层PVK层作为空穴传输层；

在PVK层上打印一层表面包覆二氢硫辛酸（DHLA）配体的CdSe@CdS作为量子点发光层；

接着，将上述制备的表面包覆二氢硫辛酸（DHLA）配体的CdSe@CdS层置于真空腔体中，通入三乙基铝（(CH₃CH₂)₃Al）气体，其中腔体内部压力为0.1 mbar，三乙基铝气体的分压为0.02 mbar，腔体内部温度为18 °C，处理时间为30 min，处理结束后取出，得到量子点交联发光层；

然后，在上述制备的量子点交联发光层上旋涂一层ZnO作为电子传输层；

最后，在ZnO层上蒸镀一层Al，得到QLED器件。

综上所述，本发明提供的一种量子点交联发光层与QLED器件及制备方法、发光模组与显示装置。本发明把溶液法制备的量子点发光层置于易挥发有机金属化合物气氛中，活泼且极易水解的有机金属化合物经气化后与量子点表面丰富的有机配体发生反应，使分别独立的量子点交联在一起，形成气相胶结后的量子点交联发光层。在本发明中，有机金属化合物的作用一方面是使带配体的量子点交联一起，提高成膜质量，使所成量子点薄膜不仅均匀平整，而且膜层稳定，难以被后续其他功能层沉积时的溶剂重新溶解带走或冲走，有效地提高QLED器件的发光均匀性和稳定性，另一方面，有机金属化合物的引入能够有效地钝化量子点表面缺陷，提高量子点器件的发光效率和发光寿命。

应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。