一种LED外延结构的制作方法

技术总结
一种LED外延结构，从下至上依次包括：衬底、第一导电类型半导体层、具有V型坑的超晶格层、空穴阻挡层、有源区发光层及第二导电类型半导体层，空穴阻挡层覆盖V型坑，空穴阻挡层在垂直V型坑侧壁的a方向上的厚度与竖直方向c方向上的厚度比大于0.4。

技术研发人员：刘建明;张洁;朱学亮;陈秉扬;张中英;徐宸科
受保护的技术使用者：厦门市三安光电科技有限公司
文档号码：201611242381
技术研发日：2016.12.29
技术公布日：2017.05.10