技术总结
一种在硅衬底上制备高电子迁移率场效应晶体管的方法，在Si衬底上生长AlN成核层、固定Al组分的AlyGa1‑yN应力释放层和GaN外延层，采用低压化学气相沉积法，铺设第一组碳纳米管，第一组碳纳米管排列方向平行于GaN外延层[1‑100]方向；生长AlyGa1‑yN合并层，铺设排列方向和第一组碳纳米管成45度夹角的第二组碳纳米管，接着再生长AlyGa1‑yN合并层，铺设排列方向和第一组碳纳米管成90度角的第三组碳纳米管，接着生长AlyGa1‑yN合并层，铺设排列方向和第一组碳纳米管成135度角的第四组碳纳米管，再生长AlyGa1‑yN合并层。本发明能获得无龟裂、高晶体质量的GaN外延层。
技术研发人员：贾传宇;殷淑仪;张国义
受保护的技术使用者：东莞市中镓半导体科技有限公司
文档号码：201611257930
技术研发日：2016.12.30
技术公布日：2017.05.24