阵列基板、包括其的数字X射线检测器及其制造方法与流程

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年12月31日在韩国提交的韩国专利申请第10-2015-0191940号的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

本公开涉及使用薄膜晶体管的数字x射线检测器，更具体地，涉及x射线检测器的阵列基板、包括阵列基板的数字x射线检测器、用于制造x射线检测器的阵列基板的方法、以及用于制造x射线检测器的方法。尽管本公开适用于宽范围的应用，但是本公开特别适合于在x射线检测器的薄膜晶体管阵列基板中以高准确度来跟踪有缺陷的线。

背景技术：

在当前已经用于医疗目的诊断x射线检验方法中，x射线感测胶片用于拍摄x射线，并且要花费预定打印时间来获得其结果。

然而，随着半导体技术的最新发展，已经研究并开发了使用薄膜晶体管的数字x射线检测器。数字x射线检测器使用薄膜晶体管作为开关元件，因此使得用户能够在照射x射线时实时地进行诊断。

通常，数字x射线检测器分为两种类型，即直接型dxd和间接型dxd。直接型dxd包括层压在薄膜晶体管阵列基板的上层上的非晶硒(se)层以及形成在非晶se层上的透明电极，并且检测在薄膜晶体管的像素电极从se层接收电荷时的电流，然后执行信号处理。间接型dxd包括闪烁体，并且如果x射线通过闪烁体转换成可见光，则可见光通过pin二极管转换成电信号，然后执行一系列信号处理。

同时，在常规x射线检测器中，用于对阵列基板执行曝光工艺的掩模很小。因此，为了制造大尺寸的面板，使用了通过将掩模在基础基板上移位多次来执行曝光的拼接(stitchshot)曝光方法。

通常，如果在信号线中发生缺陷如开路或短路，则阵列基板上的多条线与用于各条线的标识一起被图案化，以便使用检测器在阵列基板上找到有缺陷的信号线。

然而，在拼接曝光方法的情况下，通过将相同的掩模移位几次来执行曝光工艺。因此，在一个基础基板上相同的标识被重复地图案化。图1是通过常规拼接曝光方法在其上形成标识的阵列基板的照片，这将参照图1来说明。

图1中使用的掩模包括第1个至第256个标识。因此，第257条线(通过在图1的照片中第二次移位掩模而曝光的线)变为第一个标识，与第一个标识相同。因此，存在包括相同标识的多于一条的信号线，因此，不可能准确地找出有缺陷的信号线的位置。因此，需要一种解决方案。

技术实现要素：

因此，本公开涉及x射线检测器的阵列基板、用于制造x射线检测器的阵列基板的方法、包括阵列基板的数字x射线检测器、以及用于制造x射线检测器的制造方法，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。

本公开要实现的一个目的是提供一种能够以高准确度跟踪有缺陷的线的x射线检测器的阵列基板。

本公开要实现的另一个目的是提供一种能够抑制缺陷泄漏并改进收率的x射线检测器的阵列基板。

本公开要实现的再一个目的是提供一种包括上述阵列基板的x射线检测器。

根据本公开的一个方面，提供有一种x射线检测器的阵列基板，包括:沿第一方向延伸的第一线；沿第一方向延伸并且与第一线间隔开的第二线；以及布置在第一线与第二线之间的多个线标识。

根据本公开的另一方面，提供有一种x射线检测器的阵列基板，包括：具有沿第一方向布置的多条线的多个线组；以及设置在多条线中的每一条旁边的多个线标识。多个线组中的每一个包括沿第一方向延伸并且沿着与第一方向垂直的第二方向彼此间隔开的第一线至第n线(其中n是自然数)。多条线中的第m线(其中m是等于或小于n的自然数)具有线标识，该线标识包括具有编号m的第一标识和具有编号(m+n)的第二标识。

根据本公开的另一方面，提供有一种x射线检测器的阵列基板，包括：包括多条线的第一线组至第p线组(其中p是大于2的自然数)。多条线沿第一方向延伸并且彼此间隔开，并且在边向侧上包括p个标识。

根据本公开的另一方面，提供有一种x射线检测器，包括：具有多个像素的阵列基板、偏压驱动器、栅极驱动器和读出集成电路。该阵列基板包括：沿第一方向延伸的第一线；沿第一方向延伸并且与第一线间隔开的第二线；以及布置在第一线与第二线之间的多个线标识。偏压驱动器向阵列基板提供驱动电压；栅极驱动器将栅极脉冲顺序地提供给阵列基板的多个栅极；读出集成电路读出从响应于栅极脉冲而导通的晶体管输出的检测信号。

根据本公开的另一方面，提供有一种x射线检测器的阵列基板，包括：基础基板；在基础基板上的多条栅极线；在栅极线上的有源层；在有源层上的源/漏电极；在源/漏电极上的光敏部的第一电极；在第一电极上的光敏部的光导层和第二电极；在第二电极上的多条数据线和多条偏压线；以及设置在栅极线、数据线和偏压线中至少之一之间的多个线标识。

根据本公开的另一方面，提供有一种用于制造x射线检测器的阵列基板的方法，包括：在衬底上形成栅极线；在栅极线上形成有源层；在有源层上形成源极/漏电极；在源/漏电极上形成下电极；在下电极上形成光导层和上电极；以及在上电极上形成数据线和偏压线。栅极线、数据线和偏压线中至少之一通过使用掩模的曝光工艺形成，该掩模配置为在相邻的线之间形成多个线标识。

根据本公开，x射线检测器的阵列基板可以以高准确度跟踪有缺陷的线。因此，可以对有缺陷的线执行修复工艺。

根据本公开，x射线检测器包括上述阵列基板，因此抑制了缺陷泄漏，降低了rma成本，并且显著地提高了收率。

应当理解，前面的总体描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步说明。

附图说明

根据结合附图的以下详细描述，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和其它优点，在附图中：

图1是通过常规的拼接曝光方法在其上形成标识的阵列基板的照片；

图2是示出根据本公开的一个方面的x射线检测器的操作的截面图；

图3是示意性地示出了根据本公开的一个方面的x射线检测器的结构的图；

图4是根据本公开的一个方面的阵列基板的有源区的截面图；

图5是根据本公开的一个方面的包括多个标识的线的照片；

图6a是示意性地示出根据本公开的一个方面的包括连接至封闭环形接地线的偏压线的阵列基板的平面图；

图6b和图6c是提供用于说明根据本公开的一个方面的用于识别阵列基板中的线的线标识的示意性平面图；

图7是图6a所示的阵列基板的区域的放大图；

图8是根据本公开的一个方面的在栅极线上设置有偏压线的阵列基板的一部分的平面图；

图9是沿图8的线a-b截取的阵列基板的截面图；

图10是沿图8的线c-d截取的阵列基板的截面图；

图11是根据本公开的一个方面的在光敏部的外周处设置有偏压线的阵列基板的一部分的平面图，。

图12是示意性地示出用于制造本公开的x射线检测器的阵列基板的掩模的图；以及

图13是示意性地示出根据本公开的一个方面的通过将掩模移位来执行曝光的工艺的图。

具体实施方式

在本公开中，将理解的是，当膜、层、电极、板或基板描述为形成在这些方面中的另一元件的“上方”或“下方”时，该膜、层、电极、板或基板可以是直接在另一元件的上方或下方，或者可以存在中间元件(间接地)。

术语在元件的“上方”、“旁边”或者“下方”将基于附图来确定。为方便起见，附图中元件的尺寸可以放大表示，而并不反映其实际尺寸。

在下文中，将参照附图来详细描述本公开的示例性的方面。

图2是示出根据本公开的一个方面的x射线检测器的操作的截面图。图3是示意性地示出根据本公开的一个方面的x射线检测器的结构的图。

在间接型x射线检测器中，光敏部200形成在阵列基板上，并且光转换部300设置在光敏部200的上部以检测x射线。

如图2所示的用x射线照射的光转换部300将x射线转换成具有光敏部200最敏感波长范围的光，并且将所转换的光转换成电信号。所转换的电信号通过薄膜晶体管传送作为图像信号。图2和图3中示出的薄膜晶体管包括：栅电极；在栅电极21上的第一绝缘层；在第一绝缘层上的有源层；源电极；以及漏电极。源电极和漏电极连接至有源层的一端和另一端并且彼此分离。

此外，如图3所示，根据本公开的一个方面的x射线检测器400包括：多个像素单元p、偏压驱动器、栅极驱动器和读出集成电路。

每个像素单元p感测从x射线发生器发射的x射线，并且光电地转换所感测的信号，然后输出所感测的信号作为电检测信号。

像素单元包括多个光敏像素，所述多个光敏像素以矩阵排列并且与多条栅极线gl和多条数据线dl彼此相交的交叉点相邻。多条栅极线gl和多条数据线dl可以设置为彼此基本正交。作为示例，图3示出了以4行和4列设置的十六个(16个)光敏像素p。然而，本公开不限于此。可以不同地选择光敏像素p的数目。

每个光敏像素p包括：光敏部pd，光敏部pd配置为感测x射线并输出检测信号(例如，光检测电压)；以及作为开关元件的晶体管tr，晶体管tr配置为传输响应于栅极脉冲而从光敏部输出的电信号。

根据本公开的光敏部pd感测从x射线发生器发射的x射线，并输出感测信号作为检测信号。光敏部pd可以是例如pin二极管的元件，其配置为通过光电效应将入射光转换成电信号。

晶体管tr是开关元件，其配置为传输从光敏部pd输出的检测信号。晶体管的栅电极电连接至栅极线gl，源电极通过数据线dl电连接至读出集成电路。

偏压驱动器通过多条偏压线bl施加驱动电压。偏压驱动器可以选择性地向光敏部pd施加反向偏压或正向偏压。

栅极驱动器通过多条栅极线gl顺序地施加具有栅极导通电压电平的栅极脉冲。响应于栅极脉冲，光敏像素p的晶体管tr导通。如果晶体管导通，则从光敏部pd输出的检测信号通过晶体管tr和数据线dl输入到读出集成电路中。

栅极驱动器可以以ic形式安装在像素单元的一侧，或者通过薄膜制造工艺形成在衬底如像素单元上。

读出集成电路读出从响应于栅极脉冲而导通的晶体管输出的检测信号。读出集成电路读出从偏移读出区域的光敏像素p输出的检测信号用于读出偏移图像、以及在x射线曝光之后读出x射线读出区域的光敏像素p输出的检测信号用于读出检测信号。

读出集成电路将检测信号读出/传输至预定信号处理器中，并且信号处理器将检测信号数字化，然后将检测信号表示成图像。读出集成电路可以包括信号检测器和复用器。在这种情况下，信号检测器可以包括与多条数据线dl一一对应的多个放大单元。每个放大单元可以包括放大器、电容器和复位装置。

图4是根据本公开的一个方面的阵列基板100的有源区20的截面图，将参照图4进行说明。

有源区20包括多条数据线14、多条栅极线以及由多条数据线14和多条栅极线彼此相交而限定的多个像素区。有源区20还包括设置在各个像素区中并且配置为将光电信号转换成电信号的多个光敏部200以及具有开关功能以驱动多个光敏部200的多个薄膜晶体管30。

薄膜晶体管30包括：连接至栅极线的栅电极21；在栅电极21上的有源层22；连接有源层22的一端和数据线14的源电极23；以及连接至有源层22的另一端的漏电极24。漏电极24连接至光敏部200。

阵列基板100还包括连接至源电极23的数据线14以及配置为施加偏压的偏压线28，偏压可以控制光敏部200的电子或空穴。偏压线28由不透明的金属材料形成。

栅电极21可以由诸如铝(al)、钼(mo)及其合金的材料形成，但不限于此。

有源层22可以包括未掺杂有杂质的第一非晶硅层和掺杂有n型杂质的第二非晶硅层。

源电极23/漏电极24可以由诸如铝(al)、钼(mo)及其合金的材料形成，但不限于此。

第二绝缘层17包括暴露漏电极24的一部分的第一接触孔。源电极23连接至数据线14，并且漏电极24通过第一接触孔连接至光敏部200的下电极26。

第三绝缘层18形成在第二绝缘层17上以及光敏部200的上电极27上。第三绝缘层18包括暴露上电极27的一部分的第二接触孔。上电极27通过第二接触孔连接至偏压线28。

第四绝缘层19形成在第三绝缘层18上和偏压线28上。第四绝缘层19在有源区20内没有接触孔。

根据本公开的第一方面，x射线检测器的阵列基板包括：沿第一方向延伸的第一线；沿第一方向延伸并且与第一线间隔开的第二线；以及布置在第一线与第二线之间的多个线标识。

如上所述，根据常规的拼接曝光方法，多条线包括相同的标识，因此，不可能准确地找出有缺陷的信号线。

图5是根据本公开的一个方面的包括多个标识的线的照片。在本公开中，如图5所示，在信号线43与44之间布置有多个线标识41和42，因此，可以根据下述方法容易地检测有缺陷的线的位置。也就是说，根据本公开，即使通过将相同的掩模移位来执行曝光工艺，仍可以通过布置在阵列基板上的多个线标识41和42来跟踪信号线43和44中的缺陷的准确位置。因此，可以通过使用多个线标识41和42对有缺陷的线执行修复工艺。因此，可以抑制缺陷泄漏，降低rma(退货许可)成本，并显著提高收率。

线布置在本公开的阵列基板上，并且可以是栅极线、数据线和偏压线中的任一种。线在种类上没有特别限制，只要在不脱离本公开的目的的范围内通过掩模将线形成在x射线检测器的阵列基板上即可。

多个线标识41和42在种类上没有特别限制，只要这些线标识在不脱离本公开的目的的范围内即可。具体地，多个线标识41和42中的每个线标识可以包括数字、字母、符号和形状中至少之一。

布置在第一线中的第一标识41和第二标识42不一定是连续的，而是可以与布置在第二线中的第一标识41和第二标识42不连续。在检测有缺陷的线的位置的容易性方面，相邻的线43和44之间的标识可以是连续的。

根据本公开的第二方面，x射线检测器的阵列基板可以包括多个线组。每个线组包括从第一线至第n线的n条线(n是自然数)。n条线沿第一方向延伸。第一线至第n线沿着与第一方向垂直的第二方向顺序排列并且彼此间隔开。多个线标识设置在多条线中的每一条旁边，例如，线组的第m线(m是等于或小于n的自然数)旁边。多个线标识包括表示号码m的第一标识41和表示号码m+n的第二标识42。

根据本公开的第三方面，x射线检测器的阵列基板可以包括多个线组。每个线组包括从第一线至第n线的n条线(n是自然数)。n条线沿第一方向延伸。第一线至第n线沿着与第一方向垂直的第二方向顺序排列并且彼此间隔开。多个线标识设置在多条线中的每一条旁边，例如，线组的第m线旁边(m是等于或小于n的自然数)。多个线标识包括指示第一线组的第m线的第一标识41以及指示第二线组的第m线的第二标识42。

在第三示例性方面中，线标识不必局限于数字。以与第一方面相同的方式，第一标识41和第二标识42中的每一个可以包括数字、字母、符号和形状中至少之一。

根据本公开的第四示例性方面，x射线检测器的阵列基板可以包括多个线组，第一线至第p线(p是自然数)。多个线组中的每一个包括多条线。多条线沿第一方向延伸并且彼此分开，并且可以在边向侧上包括n个标识。

在第四方面中，线标识不必局限于数字，并且包括在第一线至第n线的组中的多条线的线标识可以彼此不同。也就是说，以与第一方面相同的方式，第一标识41和第二标识42中的每一个可以包括数字、字母、符号和形状中至少之一。

此外，包括在多个线组的每一个中的多条线中的第x线可以包括彼此相同的p个线标识(x是自然数)。

在不脱离本发明的目的的范围内，第一方面的配置和效果类似地应用于第二方面至第四方面。因此，在本公开中省略了对与第一方面的配置和效果相同的第二方面至第四方面的详细描述。

在下文中，将参照图6b和图6c来详细描述用于检测用于在本公开的阵列基板中识别线和有缺陷的线的位置的标识的方法。图6b和图6c是提供用于说明根据本公开的一个方面的用于识别阵列基板中的线的线标识的示意性平面图。

为了便于说明，图6b仅示出设置在阵列基板100上的多条线l1_1,l1_2,...,lp_n以及分别与多条线l1_1,l1_2,...,lp_n对应的线标识41。参照图6b，阵列基板100划分为p个线组g1,g2，...,gp。针对图6b所示的线组g1,g2,...,gp的区域可以限定为与如上所述的掩模的有限尺寸对应。p个线组g1,g2,...,gp中的每个线组包括n条线lp_1,...,lp_n。此处，p和n是大于2的自然数。此处，n条线包括从第一线lp_1至第n线lp_n，并且n条线lp_1,...,lp_n中的每条线布置成沿第一方向延伸。此处，p个线组g1,g2,...,gp包括从第一线组g1至第p线组gp。p个线组g1,g2,...,gp沿垂直于第一方向的第二方向平行设置。在下文中，为了便于说明，将线组g1,g2,...,gp中的每个线组从顶部开始的第m行称为第m线(m是等于或小于n的自然数)。

线标识41设置为与上述线组中的每条线相邻。线标识41的数目可以等于线组的数目。例如，如果存在p个线组g1,g2,...,gp，则存在p个线标识。p个线标识包括指示第m线的第一标识41a，指示第(m+n)线的第二标识41b以及指示第(m+(p-1)n)线的第p标识。p个线标识可以布置成与线l1_1相邻。参照图6b中的线组g1的一部分的放大图，与第一线组g1的第一线l1_1相邻地显示指示1,1+n,...,1+(p-1)n的线标识41。此外，与第一线组g1的第二线l1_2相邻地显示指示2,2+n,...,2+(p-1)n的线标识。参照图6b中的线组g2的一部分的放大图。与使用相同掩模形成的第二线组g2的第一线l2_1相邻地显示指示1,1+n,...，1+(p-1)n的线标识。此外，与第二线组g2的第二线l2_2相邻地显示指示2,2+n,...，2+(p-1)n的线标识。此处，第一线组g1的第一线l1_1需要由表示1的线标识41a来标识，并且第二线组g2的第一线l2_1需要由表示1+n的线标识41b来标识。

也就是说，在阵列基板上存在具有多个相同标识的多条线(第m条线)。因此，需要识别特定线属于哪个线组。可以基于由缺陷检测器获得的位置信息来确定特定线属于哪个线组。

缺陷检测器提取有缺陷的线相对于阵列基板的预定参照坐标的相对位置。如果基于提取的相对位置确定有缺陷的线设置在第一线组至第p线组中的第s线组(此处，s是等于或小于p的自然数)中，则将在确定存在有缺陷的线的第s线组中的第(m+(s-1)n)标识确定为针对有缺陷的线的标识。

具体地，将参照图6c描述用于确定多个线标识中的哪个线标识是针对线的真实线标识的方法。例如，第一线组至第p线组沿阵列基板上的垂直方向从顶部到底部按顺序设置，以及图6c示出p为2的情况。参照图6c，阵列基板100包括第一线组g1和第二线组g2。在这种情况下，如果检测到的有缺陷的线的位置f1确定为在从阵列基板100的中心的下侧，则有缺陷的线可以确定为设置在第二线组g2中的第102行

此外，在图6c中，如果检测到的有缺陷的线的位置f2确定为在从阵列基板100的中心的上侧，则有缺陷的线可以确定为设置在第一线组g1中的第二线。因此，即使通过重复使用具有有限大小的掩模来形成线和与该线相邻的线标识，也可以准确地指定有缺陷的线，因为提供了多个线标识。

根据本公开的一个方面，如果包括多个线标识的信号线是偏压线，则该线可以连接到闭环形地线。图6a是示意性地示出根据本公开的一个方面的包括连接到闭环形地线的偏压线的阵列基板的平面图。图7是图6a所示的阵列基板的虚线椭圆形区域的放大图。

在x射线检测器的阵列基板中，仅以闭环形式提供施加反向电压的偏压线。因此，当在偏压线中感应出正极性esd(静电放电)时，不存在静电放电路径。然而，根据本公开的上述方面，连接偏压线28和esd电路52的地线51形成为如图6a和图7所示的闭环形状。因此，即使在偏压线28中感应出正极性esd，正极性esd也转移到接地线51，以不影响阵列基板100的内部(即，有源区)。

根据本公开的一个方面，如果线是偏压线，则偏压线可以与栅极线和数据线中的任一个交叠。

在x射线检测器的阵列基板中，偏压线设置为穿过像素区的中间。因此，随着开口率减小，填充因子减小。

图8是根据本公开的示例性方面的偏压线28设置在栅极线上的阵列基板的一部分的平面图。图9是沿图8的线a-b截取的阵列基板的截面图，以及图10是沿图8的线c-d截取的阵列基板的截面图。参照图8和图9，偏压线28设置为与栅极线15或数据线14(图4所示)交叠。更具体地，偏压线28通过第三绝缘层18中的孔53连接到设置在栅极线15上的上电极27的一个区域。由于栅极线15或数据线14设置在非开口区域，因此偏压线28也设置在非开口区域中。因此，在本公开中可以解决上述问题并且可以实现高开口率。此外，随着填充因子增加，可以改善qe(外部品质因子)。

此外，如上所述，传统偏压线设置为穿过像素区的中间。因此，面板的开口率减小，并且像素区分成两部分，使得可能发生分辨率干扰。

图11是根据本公开的一个方面的偏压线设置在光敏部的外周的阵列基板的一部分的平面图。如图11所示，根据本公开的一个方面，如果线是偏压线28，则偏压线28设置在阵列基板的光敏部的外周。因此，像素区不被分离，使得可以抑制分辨率干扰的发生。此外，可以获得高开口率，使得可以实现高填充因子性能。

本公开的x射线检测器包括上述本公开的x射线检测器的阵列基板100(在下文中返回参照图2至图5)。

因此，省略了在上述描述的范围内冗余的其构形和效果的详细描述。

设置在本公开的x射线检测器中的光敏部200用于将光信号转换为电检测信号。此处，光信号以通过稍后将描述的光转换部转换成可见光波长范围的状态入射。在光敏部中流动的电流量根据光的透射率而变化。具体地，光敏部200可以是pin二极管。

光敏部200包括阵列基板100的下电极26，在下电极26上的光导层25，以及在光导层25上的上电极27。光导层25可以包括以下中的一种：掺杂有n型杂质的n型半导体层，不含有杂质的本征半导体层和掺杂有p型杂质的p型半导体层。

光敏部200的下电极26电连接到薄膜晶体管30的漏电极24。上电极27电连接到向其施加偏压的偏压线28。

设置在本公开的x射线检测器中的光转换部300设置在光敏部200的上部，并且更具体地，设置在阵列基板100的第四绝缘层19上。

光转换部300将从x射线发生器穿过对象入射的x射线转换为在可见光范围内具有约550nm的波长的绿色光，然后将绿色光朝向像素单元传送。光转换部300可以由碘化铯(csi)形成。

本公开的x射线检测器可以包括具有带有多个标识的线的阵列基板。因此，可以准确地找出有缺陷的线的位置。因此，可以抑制缺陷泄漏并显著提高收率。

用于制造本公开的x射线检测器的阵列基板的方法包括：在基板上形成栅极线，在栅极线上形成有源层，在有源层上形成源/漏电极，在源/漏电极上形成下电极，在下电极上形成光导层和上电极，以及在上电极上形成数据线和偏压线。通过使用配置为在相邻线之间形成多个线标识的掩模的曝光工艺来形成栅极线、数据线和偏压线中的至少任一个。

图12是示意性地示出用于制造本公开的x射线检测器的阵列基板的掩模的图。如图12所示，通过本公开的方法制造的x射线检测器的阵列基板包括通过使用本公开的掩模60的曝光工艺形成的栅极线、数据线和偏压线中至少之一。因此，如果在阵列基板的线中发生缺陷，则阵列基板使得可以准确地跟踪该线的位置。因此，可以抑制缺陷泄漏，降低rma(退货许可)成本，并且显著地提高收率。

根据本公开的一个方面，掩模60可以包括：线组图案，其中，从第一线至第n线(n是自然数)的n条线中的每一条布置为沿第一方向延伸，并且第一线至第n线沿着与第一方向垂直的第二方向顺序排列并且彼此间隔开；以及布置在线组图案的第m(m是等于或小于n的自然数)线旁边的多个线标识图案。根据上述方面，用于曝光工艺的掩模60包括n条线、线组图案和多个线标识图案。因此，当在阵列基板上形成线时，也形成多个线标识，使得可以准确地跟踪有缺陷的线的位置。

根据本公开的一个方面，使用掩模形成的多个线标识中的每一个可以包括数字、字母、符号和形状中至少之一。

图13是示意性地示出根据本公开的一个方面的通过移位掩模来执行曝光的工艺的图。如图13所示，根据本公开的一个方面，可以通过将掩模60移位若干次来形成栅极线、数据线和偏压线中至少之一。

也就是说，通过移位包括多个线标识图案的掩模60来在基础基板上形成本公开的阵列基板100。因此，即使在拼接曝光方法的情况下，也可以准确地检测有缺陷的线的位置，而不会由标识造成混乱。

用于制造本公开的x射线检测器的方法包括上述用于制造x射线检测器的阵列基板的方法。

通过本公开的方法制造的x射线检测器使用配置为形成多个线标识的掩模60来曝光。因此，如果在阵列基板的线中发生缺陷，则可以准确地跟踪线的位置。因此，可以抑制缺陷泄漏。此外，可以减少rma(退货许可)成本并且显著地提高收率。

如果必要，用于制造本公开的x射线检测器的阵列基板的方法或用于制造x射线检测器的方法还可以包括在不脱离本公开的目的的范围内本领域通常已知的其他步骤。

本公开的示例性方面还可以描述为如下：

根据本公开的一个方面，x射线检测器的阵列基板可以包括：沿第一方向延伸的第一线、沿第一方向延伸并且与第一线间隔开的第二线、以及布置在第一线和第二线之间的多个线标识。

多个线标识中的每一个可以包括数字、字母、符号和形状中至少之一。

所述线可以是栅极线、数据线和偏压线中的任一个。

根据本公开的另一方面，x射线检测器的阵列基板可以包括：线组，其中从第一线至第n线(n是自然数)的n条线中的每一条沿第一方向延伸，并且第一线至第n线沿与第一方向垂直的第二方向排列并且彼此间隔开；以及布置在线组的第m线旁边的多个线标识(m是等于或小于n的自然数)。多个线标识可以包括包含编号m的第一标识和包含编号(m+n)的第二标识。

根据本公开的又一方面，x射线检测器的阵列基板可以包括：线组，其中从第一线至第n线(n是自然数)的n条线中的每一条沿第一方向延伸，并且第一线至第n线沿与第一方向垂直的第二方向排列并且彼此间隔开；以及布置在线组的第m线旁边的多个线标识(m是等于或小于n的自然数)。多个线标识可以包括包含编号m的第一标识和包含编号(m+n)的第二标识。

根据本公开的又一方面，x射线检测器的阵列基板可以包括：包含多条线的第一线至第n线(n是自然数)的组。多条线可以沿第一方向延伸且彼此间隔开，并且可以在边向侧上包括n个标识。

包括在第一线至第n线的组中的多条线中的第x线可以包括彼此相同的n个线标识。

本公开的x射线检测器可以包括x射线检测器的阵列基板。

根据本公开的再一方面，一种用于制造x射线检测器的阵列基板的方法可以包括：在基板上形成栅极线，在栅极线上形成有源层，在有源层上形成源/漏电极，在源/漏电极上形成下电极，在下电极上形成光导层和上电极，以及在上电极上形成数据线和偏压线。栅极线、数据线和偏压线中的至少任一个可以通过使用配置为在相邻线之间形成多个线标识的掩模的曝光工艺形成。

掩模可以包括：线组图案，其中从第一线至第n线(n是自然数)的n条线中的每一条布置成沿第一方向延伸，并且第一线至第n线沿垂直于第一方向的第二方向彼此间隔开地排列；以及布置在线组图案的第m线(m是等于或小于n的自然数)旁边的多个线标识图案。

根据本公开的一个方面，可以通过将掩模移位若干次来形成栅极线、数据线和偏压线中的至少任一个。

用于制造本公开的x射线检测器的方法可以包括用于制造x射线检测器的阵列基板的方法。

应当理解，上述的本公开的各方面应当仅以描述性的意义来看，而不是为了限制的目的。此外，本领域普通技术人员将要理解，在不脱离本公开的各方面的精神和范围的情况下，可以在其中进行各种其他修改和应用。例如，在本公开的各方面中详细示出的各个组件可以在被修改时被执行。此外，应当理解，与修改和应用相关的差异包括在本公开的由所附权利要求限定的范围内。