1.一种深N阱隔离测试结构，其特征在于，所述深N阱隔离测试结构包括P型衬底及形成于所述P型衬底中的第一深N阱、第二深N阱、第一N阱、第二N阱、第一P阱、第二P阱；
其中：
所述第一P阱与第二P阱分离设置，所述第一N阱与第二N阱分离设置；且所述第一P阱、第二P阱的侧面靠下部分分别被所述第一N阱、第二N阱所包围；
所述第一深N阱、第二深N阱分别形成于所述第一P阱、第二P阱下方，且所述第一深N阱、第二深N阱的边缘部分分别与所述第一N阱、第二N阱连接；
所述第一P阱、第二P阱分别通过相应的引出部与第一测试焊盘、第二测试焊盘连接；
所述第一N阱、第二N阱分别通过相应的引出部与第三测试焊盘、第四测试焊盘连接。
2.根据权利要求1所述的深N阱隔离测试结构，其特征在于：所述第一P阱、第二P阱、第一N阱、第二N阱的引出部分别包括形成于所述P型衬底上部的第一P型重掺杂层、第二P型重掺杂层、第一N型重掺杂层、第二N型重掺杂层。
3.根据权利要求2所述的深N阱隔离测试结构，其特征在于：所述第一P型重掺杂层、第二P型重掺杂层、第一N型重掺杂层、第二N型重掺杂层之间通过形成于所述P型衬底中的浅沟槽隔离结构隔离。
4.根据权利要求2所述的深N阱隔离测试结构，其特征在于：所述第一P型重掺杂层、第二P型重掺杂层、第一N型重掺杂层、第二N型重掺杂层分别通过第一导电线、第二导电线、第三导电线、第四导电线与所述第一测试焊盘、第二测试焊盘、第三测试焊盘、第四测试焊盘连接。
5.根据权利要求1所述的深N阱隔离测试结构，其特征在于：所述第一N阱、第二N阱之间形成有P型掺杂区域。
6.根据权利要求1所述的深N阱隔离测试结构，其特征在于：所述第一P阱、第二P阱、第一深N阱、第二深N阱的横截面均为矩形，所述第一N阱、第二N阱的横截面均为矩形环。
7.根据权利要求1所述的深N阱隔离测试结构，其特征在于：所述第一测试焊盘、第二测试焊盘、第三测试焊盘、第四测试焊盘的横截面为圆形或矩形。