技术总结
本实用新型提供一种深N阱隔离测试结构，包括P型衬底及形成于其中的第一、第二深N阱，第一、第二N阱，第一、第二P阱；其中：所述第一、第二P阱的侧面靠下部分分别被所述第一、第二N阱所包围；所述第一、第二深N阱分别形成于所述第一、第二P阱下方，且边缘部分分别与所述第一、第二N阱连接；所述第一、第二P阱，第一、第二N阱分别通过相应的引出部与所述第一、第二、第三、第四测试焊盘连接。本实用新型通过引入N型重掺杂区域连接N阱，并增加用于测试两个深N阱区域之间一对N阱之间隔离效果的测试焊盘，避免了由于两块NW之间缺陷造成两个DNW区域之间的隔离失效被忽视的问题，从而能够更为全面地侦测两块深N阱之间区域的隔离效果。
技术研发人员：管斌;杨玲
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201620517578
技术研发日：2016.05.31
技术公布日：2016.12.07