1.一种半导体集成电路，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括衬底热膨胀系数；以及
电容器，所述电容器在所述衬底上并且包括：
下部晶种层，所述下部晶种层在所述衬底的最顶层衬底表面上并且包括下部晶种热膨胀系数；
下部电极层，所述下部电极层在所述下部晶种层上并且包括下部电极热膨胀系数；
缓冲层，所述缓冲层在所述下部电极层上并且包括缓冲热膨胀系数；
介电层，所述介电层在所述缓冲层上并且包括介电热膨胀系数；
上部晶种层，所述上部晶种层在所述介电层上并且包括上部晶种热膨胀系数；以及
上部电极层，所述上部电极层在所述上部晶种层上并且包括上部电极热膨胀系数；
其中：
所述下部电极热膨胀系数大于所述缓冲热膨胀系数；
所述缓冲热膨胀系数大于所述介电热膨胀系数；
所述下部电极热膨胀系数大于所述下部晶种热膨胀系数；
所述下部晶种热膨胀系数大于所述衬底热膨胀系数；
所述上部电极热膨胀系数大于所述上部晶种热膨胀系数；
所述上部晶种热膨胀系数大于所述介电热膨胀系数；并且
所述下部电极热膨胀系数与所述缓冲热膨胀系数之间的差大于所述缓冲热膨胀系数与所述介电热膨胀系数之间的差。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路，其特征在于，其中：
所述衬底包括半导体材料或玻璃材料；
所述电容器的每一层形成于所述衬底上；
所述下部晶种层的材料、所述缓冲层的材料以及所述上部晶种层的材料彼此相同；
所述下部晶种层包括电镀到所述最顶层衬底表面上的电镀层；
所述下部电极层包括电镀到所述下部晶种层上的电镀层；
所述缓冲层包括溅镀到所述下部电极层上的溅镀层；
所述介电层包括沉积到所述缓冲层上的化学气相沉积层；
所述上部晶种层包括电镀到所述介电层上的电镀层；并且
所述上部电极层包括电镀到所述上部晶种层上的电镀层。
3.一种半导体集成电路，其特征在于，包括：
衬底；以及
电容器，所述电容器在所述衬底上并且包括：
下部电极层，所述下部电极层耦合到所述衬底并且包括下部电极热膨胀系数；
缓冲层，所述缓冲层在所述下部电极层上并且包括缓冲热膨胀系数；
介电层，所述介电层在所述缓冲层上并且包括介电热膨胀系数；以及
上部电极层，所述上部电极层在所述介电层上；
其中：
所述下部电极热膨胀系数大于所述缓冲热膨胀系数；并且
所述缓冲热膨胀系数大于所述介电热膨胀系数。
4.根据权利要求3所述的半导体集成电路，其特征在于，其中：
所述缓冲层包括以下各项中的一种：
钛钨、钛、铬和钨。
5.根据权利要求3所述的半导体集成电路，其特征在于，其中：
所述介电层包括以下各项中的一种：
氮化硅、氧化铝和二氧化铪。
6.根据权利要求3所述的半导体集成电路，其特征在于，其中：
所述电容器的每一层形成于所述衬底上。
7.根据权利要求3所述的半导体集成电路，其特征在于，其中：
所述衬底包括半导体材料或玻璃材料。
8.根据权利要求3所述的半导体集成电路，其特征在于，其中：
所述下部电极热膨胀系数与所述缓冲热膨胀系数之间的差大于所述缓冲热膨胀系数与所述介电热膨胀系数之间的差。
9.根据权利要求3所述的半导体集成电路，其特征在于，包括：
下部晶种层，所述下部晶种层在所述衬底与所述下部电极层之间并且包括下部晶种热膨胀系数；
其中：
所述下部电极热膨胀系数大于所述下部晶种热膨胀系数；并且
所述下部晶种热膨胀系数大于所述衬底的热膨胀系数。
10.根据权利要求9所述的半导体集成电路，其特征在于，其中：
所述下部晶种层的材料和所述缓冲层的材料彼此相同。
11.根据权利要求9所述的半导体集成电路，其特征在于，包括：
上部晶种层，所述上部晶种层在所述介电层与所述上部电极层之间并且包括上部晶种热膨胀系数；
其中：
所述上部电极热膨胀系数大于所述上部晶种热膨胀系数；并且
所述上部晶种热膨胀系数大于所述介电热膨胀系数。
12.根据权利要求11所述的半导体集成电路，其特征在于，其中：
所述下部晶种层的材料、所述缓冲层的材料以及所述上部晶种层的材料彼此相同。
13.根据权利要求3所述的半导体集成电路，其特征在于，其中：
所述缓冲层包括溅镀到所述下部电极层上的溅镀层。