技术总结
半导体集成电路的电容器。本实用新型提供一种半导体集成电路的电容器，例如，一种半导体集成电路的金属‑绝缘体‑金属(MIM)类型电容器，所述半导体集成电路的MIM类型电容器能够提高电容器的电极层与介电层之间的粘附力。例如，本实用新型提供一种具有新结构的半导体集成电路的电容器，所述电容器通过在金属电极层与介电层之间(具体来说，在下部电极层与介电层之间)另外形成能够减小或补偿热膨胀系数差的缓冲层来防止所述下部电极层与所述介电层之间的界面上的分层现象。
技术研发人员：李韩民;崔潘秋;欧权孙;洪森门;洪森文;柳坤汉
受保护的技术使用者：艾马克科技公司
文档号码：201620733279
技术研发日：2016.07.12
技术公布日：2017.03.22