一种同侧互联的太阳能电池串、太阳能电池组件和系统的制作方法

文档序号:12537878阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种同侧互联的太阳能电池串,包括N型晶体硅太阳能电池和P型晶体硅太阳能电池,其特征在于:所述N型晶体硅太阳能电池和所述P型晶体硅太阳能电池相互交替排列,相邻的所述N型晶体硅太阳能电池和所述P型晶体硅太阳能电池通过导电带同侧互联;所述N型晶体硅太阳能电池的长度与厚度的比值为300~10000。

2.根据权利要求1所述的一种同侧互联的太阳能电池串,其特征在于:所述N型晶体硅太阳能电池包括n型硅基体,所述n型硅基体的前表面从内到外依次设置有p+掺杂区域、钝化减反膜和与p+掺杂区域欧姆接触的p+电极,所述n型硅基体的背表面从内到外依次设置有n+掺杂区域、钝化膜和与n+掺杂区域欧姆接触的n+电极。

3.根据权利要求1或2所述的一种同侧互联的太阳能电池串,其特征在于:所述P型晶体硅太阳能电池是全铝背场晶体硅太阳能电池,所述全铝背场晶体硅太阳能电池包括P型硅基体,所述P型硅基体的前表面从内到外依次设置有n+掺杂区域、钝化减反膜和与n+掺杂区域欧姆接触的n+电极;所述P型硅基体的背表面从内到外依次设置有全铝背场区域、与铝背场欧姆接触的铝电极和金属主栅线电极。

4.根据权利要求1或2所述的一种同侧互联的太阳能电池串,其特征在于:所述P型晶体硅太阳能电池是P型PERC太阳能电池,所述P型PERC太阳能电池包括P型硅基体,P型硅基体的前表面从内到外依次设置有n+掺杂区域、钝化减反膜和与n+掺杂区域欧姆接触的n+电极;P型硅基体的背表面从内到外依次设置有局部p+掺杂的铝背场区域、钝化膜、与p+掺杂的铝背场区域欧姆接触的铝电极和金属主栅线电极。

5.根据权利要求1所述的一种同侧互联的太阳能电池串,其特征在于:在任意相邻的N型晶体硅太阳能电池和P型晶体硅太阳能电池中,N型晶体硅太阳能电池的正电极设置在电池的正表面,负电极设置在电池的背表面,P型晶体硅太阳能电池的负极设置在电池的正表面,正电极设置在电池的背表面。

6.根据权利要求1所述的一种同侧互联的太阳能电池串,其特征在于:所述N型晶体硅太阳能电池与所述P型晶体硅太阳能电池之间的间隔为0.05~0.19mm。

7.根据权利要求1或2所述的一种同侧互联的太阳能电池串,其特征在于:所述导电带是锡包裹铜的焊带,焊带宽度为0.5-2mm,焊带厚度为0.2-1.0mm。

8.根据权利要求1或2所述的一种同侧互联的太阳能电池串,其特征在于:所述N型晶体硅太阳能电池和所述P型晶体硅太阳能电池的短路电流波动范围为50-100mA,转化效率波动范围为0.2%-0.4%。

9.一种太阳能电池组件,从上到下依次为前层材料、封装材料、太阳能电池串、封装材料、背层材料,其特征在于:所述太阳能电池串为权利要求1-8任一所述的同侧互联的太阳能电池串。

10.一种太阳能电池系统,包括一个以上的太阳能电池组件,其特征在于:所述太阳能电池组件是权利要求9所述的太阳能电池组件。

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