1.一种红外线传感器高真空封装结构，其特征在于，包括：
一基座，其上具有一腔体及多个导电部，该多个导电部一端延伸于该腔体内并形成焊点；
一红外线感测芯片，以固接于该腔体内，该红外线感测芯片上具有一红外线的晶圆，该晶圆电性连接到一电路板上，该电路板上具有多个导电接点；
多条金属导线，以电性连接于多个该焊点及该多个导电接点上；
一金属上盖，固接于该基座的腔体中，该金属上盖上具有一凸起部，该凸起部具有一窗口；
一光学透视窗，固接于该窗口中，该光学透视窗上具有一第一表面及一第二表面；
一吸气剂，设于该光学透视窗的第二表面上；
其中，该基座与该金属上盖固接后，使该吸气剂封接于该基体与该金属上盖所形成的腔体中。
2.根据权利要求1所述的红外线传感器高真空封装结构，其特征在于，其中，该基座的腔体内具有一凸垣部。
3.根据权利要求2所述的红外线传感器高真空封装结构，其特征在于，其中，还包括一焊料片，该焊料片设于该凸垣部上。
4.根据权利要求3所述的红外线传感器高真空封装结构，其特征在于，其中，该凸起部为中空状，其外侧延伸有一接合部，该接合部与该焊料片固接，该凸起部内侧延伸有一承载部，该承载部上接合该焊料片，以固接该光学透视窗。
5.根据权利要求1所述的红外线传感器高真空封装结构，其特征在于，其中，该第二表面上设有一光罩层。
6.根据权利要求1所述的红外线传感器高真空封装结构，其特征在于，其中，该光学透视窗能够使8μm-14μm的远红外线波长穿过的锗晶圆。
7.根据权利要求1所述的红外线传感器高真空封装结构，其特征在于，其中，该基座的材料为塑料或陶瓷，该基座的该多个导电部为有引脚的接脚，该多个导电部设于该基座二侧并形成相对应状态的双列式封装结构，或该多个接脚设于该基座的四边。
8.根据权利要求1所述的红外线传感器高真空封装结构，其特征在于，其中，该基座的材料为塑料或陶瓷，该基座为无引脚的基座，该多个导电部设于该基座的四边。
9.根据权利要求1所述的红外线传感器高真空封装结构，其特征在于，其中，该吸气剂配置于该金属上盖的背面。
10.根据权利要求9所述的红外线传感器高真空封装结构，其特征在于，其中，该吸气剂配置于该金属上盖的凸起部内部。