本实用新型涉及衬底结构技术领域，具体为一种LED蓝宝石片衬底。
背景技术：
随着人们生活的不断提升，人们生活中不断的出现LED的一些发光体，如指示灯和显示屏等，此发光体使用寿命长、光效高、无辐射，因此LED灯具非常受消费者的青睐，因此LED蓝宝石片衬底在我们的生活中也是普遍存在的，但是一些传统的LED蓝宝石片衬底不具有高效反射的效果，也是不具有高效的稳固性。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种LED蓝宝石片衬底，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种LED蓝宝石片衬底，包括金属底座和蓝宝石，所述金属底座的上表面设有凹槽，且金属底座的上端设有衬底层，所述衬底层的下端设有凸块，且凸块卡接凹槽内，所述衬底层的上端设有若干焊接柱，且焊接柱的上端连接有可焊金属层，所述蓝宝石的底端设有N型GaN层，所述N型GaN层的下端一侧设有GaN基量子阱，另一侧设有N型电极，所述GaN基量子阱的下端设有P型GaN层，所述P型GaN层的下端粘接有P型电极和可焊金属层，所述N型电极通过可焊金属层和焊接柱连接衬底层。
优选的，所述金属底座和衬底层两者之间为无缝卡接，且在两者的粘接面处设有粘胶层。
优选的，所述P型GaN层的上表面和GaN基量子阱的下表面完全接触。
优选的，所述GaN基量子阱的下端表面积大于蓝宝石下端表面积的一半，且其小于蓝宝石下端的表面积。
优选的，所述凹槽的数目为6个，且等距离规则排列在金属底座的上表面。
与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：此LED蓝宝石片衬底结构简单，通过加入金属底座的凹槽，衬底层的凸块，实现两者的无缝卡接，减少两者的相对偏移，而使得LED衬底结构的具有高效的稳固性，利用蓝宝石在上，GaN基量子阱进行反射光，通过蓝宝石折射，实现最大的光源折射，进而保证光的高效通过率。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图。
图中：1、金属底座，11、凹槽，2、衬底层，21、凸块，3、蓝宝石，4、N型GaN层，5、GaN基量子阱，6、P型GaN层，7、可焊金属层，8、焊接柱，9、N型电极，10 、P型电极。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1，本实用新型提供一种技术方案：一种LED蓝宝石片衬底，包括金属底座1和蓝宝石3，金属底座1的上表面设有凹槽11，凹槽11的数目为6个，且等距离规则排列在金属底座1的上表面，且金属底座1的上端设有衬底层2，衬底层2的下端设有凸块21，且凸块21卡接凹槽11内，通过加入金属底座1的凹槽11，衬底层2的凸块21，实现两者的无缝卡接，减少两者的相对偏移，而使得LED衬底结构的具有高效的稳固性，金属底座1和衬底层2两者之间为无缝卡接，且在两者的粘接面处设有粘胶层，衬底层2的上端设有若干焊接柱8，且焊接柱8的上端连接有可焊金属层7，蓝宝石3的底端设有N型GaN层4，N型GaN层4的下端一侧设有GaN基量子阱5，GaN基量子阱5的下端表面积大于蓝宝石3下端表面积的一半，且其小于蓝宝石3下端的表面积，利用蓝宝石在上，GaN基量子阱进行反射光，通过蓝宝石折射，实现最大的光源折射，进而保证光的高效通过率，另一侧设有N型电极9，GaN基量子阱5的下端设有P型GaN层6，P型GaN层6的上表面和GaN基量子阱5的下表面完全接触，P型GaN层6的下端粘接有P型电极10和可焊金属层7，通过在N型电极9和P型电极10之间进行通电，P型GaN层6和N型GaN层4两者之间形成电压差，产生光子，光子在GaN基量子阱5中反射给蓝宝石3，蓝宝石3进行折射，产生光源，N型电极9通过可焊金属层7和焊接柱8连接衬底层2。
尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。