1.一种用于光收发器件抗干扰的半导体器件，所述半导体器件包括：
自下而上设置的背侧金属化层、p++承载晶圆层、P型外延层、隔离层以及金属层；
背侧金属化层作为衬底，其上形成p++承载晶圆层，p++承载晶圆层上形成P型外延层，在P型外延层和隔离层上形成深硅通孔和N型重掺杂槽、P型重掺杂槽，金属层形成于隔离层之上；
所述半导体器件包括至少两条N型重掺杂槽、两条P型重掺杂槽和数个深硅通孔，其中数个深硅通孔分成至少两排分布，N型重掺杂槽和P型重掺杂槽相间排列在深硅通孔的两侧。
2.如权利要求1所述的抗干扰半导体器件，其中所述深硅通孔从P型外延层的底部延伸到隔离层的顶部。
3.如权利要求1所述的抗干扰半导体器件，其中所述N型重掺杂槽和P型重掺杂槽形成于P型外延层的顶部，并延伸到隔离层的顶部。
4.如权利要求1所述的抗干扰半导体器件，其中所述深硅通孔为两端开口为正方形的“V”形通孔，其深度范围为8μm-12μm。
5.如权利要求1所述的抗干扰半导体器件，其中所述深硅通孔的深度为10μm。
6.如权利要求1所述的抗干扰半导体器件，其中所述深硅通孔之间的距离为2μm-3μm。
7.如权利要求1所述的抗干扰半导体器件，其中所述N型重掺杂槽和P型重掺杂槽相间排列，间距距离为2μm-3μm。
8.如权利要求1所述的抗干扰半导体器件，其中所述隔离层形成后，其上覆盖一层金属，这层金属顺着N型重掺杂槽、P型重掺杂槽和深硅通孔将这三种V型槽填满，并在隔离层的上方形成一定厚度。
9.如权利要求8所述的抗干扰半导体器件，其中所述金属选自铝或铜。
10.一种包含如权利要求1所述半导体器件的抗干扰光收发模块，还包括：激光驱动器、跨导放大器、时钟数据恢复器；所述激光驱动器、跨导放大器和时钟数据恢复器之间分别通过所述抗干扰半导体器件相隔，其中时钟数据恢复器与激光驱动器、跨导放大器通过一组抗干扰半导体器件相隔，激光驱动器与跨导放大器之间通过两组抗干扰半导体器件相隔。