技术总结
本实用新型公开了一种具有环形绝缘层结构的石墨烯硅基太阳能电池，包括背电极，背电极上设置单晶硅片，单晶硅片上设置二氧化硅层，所述二氧化硅层是具有通孔的环状结构，二氧化硅层陷入单晶硅片的厚度为0.2～2μm，所述二氧化硅层的表面和由二氧化硅层通孔暴露的单晶硅片表面设置石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜表面设置前电极。具有环形绝缘层结构的石墨烯硅基太阳能电池的效率与传统结构相比有显著提高。
技术研发人员：况亚伟;马玉龙;倪志春;魏青竹;杨希峰;朱丹凤;刘玉申;冯金福
受保护的技术使用者：常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司
文档号码：201621282972
技术研发日：2016.11.28
技术公布日：2017.08.25