本实用新型涉及半导体集成电路，更进一步来说，涉及双面表贴式半导体集成电路。
背景技术：
原有半导体集成电路的集成技术中，将半导体集成电路芯片封装在金属管基和金属管帽内，或封装在陶瓷管基和陶瓷管帽内，先将半导体集成电路芯片装贴在管基上，再采用键合丝（金丝或硅铝丝）进行芯片与管脚的引线键合，完成整个电器连接，最后将管基和管帽进行密封而成。现有技术存在的主要问题是：集成电路封装内部仅能进行单层封装，不能充分利用封装空间进行更多集成电路芯片的封装；另一方面，半导体集成电路封装外壳的引脚仅仅从单面引出，不适用于三维立体组装。这两方面都不利于装备系统的小型化、集成化和轻便化。
中国专利数据库中涉及半导体集成电路的申请件有上千件，从2015年以来的就有57件，说明该领域技术进步非常快。例如2015209928947号《一种抗干扰半导体集成电路》、2015209932124号《一种抗干扰抗腐蚀半导体集成电路》、2015201161706号《集成电路的虚拟图案以及半导体集成电路》等。然而迄今为止，尚无双面表贴式半导体集成电路的申请件。
技术实现要素：
本实用新型旨在提供双面表贴式半导体集成电路，充分利用封装空间进行更多集成电路芯片的封装，克服原有技术难以实现装备小型化、集成化和轻便化的缺陷。
设计人针对原有的半导体集成电路存在的问题，提供的双面表贴式半导体集成电路由上陶瓷基片、下陶瓷基片、半导体集成电路芯片、对外电气连接端和金属引脚组成；上陶瓷基片和下陶瓷基片对称排列，两基片之间用陶瓷加厚层连接成为整体，两基片和陶瓷加厚层均有通孔；上陶瓷基片和下陶瓷基片分别有半导体集成电路芯片通过对外电气连接端与金属引脚连接；两基片的金属引脚方向相反。
上述对外电气连接端与陶瓷基片之间有金属焊盘。
上述金属引脚均有焊接球。
双面表贴式半导体集成电路的制造方法是：在上陶瓷基片及下陶瓷基片上分别进行半导体集成电路芯片的组装，再将两片组装有半导体集成电路芯片的基片，采用表贴式集成的方法芯片面对芯片面对称地装接在一起，对外电气引脚分别从上层陶瓷基片和下层陶瓷基片的背面引出，从而实现半导体集成电路的高密度集成及双面引脚。
该半导体集成电路具有以下优点：①可以实现多个半导体集成电路芯片双层集成，实现高密度集成；②采用双面引脚，可实现三维立体组装；③可集成更多的电路功能，实现系统集成；④实现表贴式安装，缩小装备体积，提升装备的高频性能；⑤提高装备系统的可靠性；⑥可扩展到其他电路模块的高密度集成。
本实用新型解决了原有的半导体集成电路在装备系统的小型化、集成化和轻便化等应用领域受到限制的难题，使用本实用新型的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域，特别适用于装备系统小型化、高频、高可靠的领域，具有广阔的市场前景和应用空间。
附图说明
图1为双面表贴式半导体集成电路结构示意图。
图中，1为下陶瓷基片，2为上陶瓷基片，3为金属引脚，4为金属焊盘，5为半导体集成电路芯片，6为电气连接金属带，7为电气连接端，8为陶瓷加厚层，9为金属化通孔。
具体实施方式
实施例 结构如图1的双面表贴式半导体集成电路，由上陶瓷基片1、下陶瓷基片2、半导体集成电路芯片5、电气连接端7和金属引脚3组成；上陶瓷基片1和下陶瓷基片2对称排列，两基片之间用陶瓷加厚层8连接成为整体，两基片和陶瓷加厚层8均有金属化通孔9；上陶瓷基片1和下陶瓷基片2分别有半导体集成电路芯片5通过电气连接端7与金属引脚3对外连接；两基片的金属引脚3方向相反。电气连接端7与陶瓷基片之间有金属焊盘4。金属引脚3均有焊接球。