晶圆测厚装置的制作方法

本实用新型涉及半导体生产设备领域，具体地说，涉及一种晶圆的厚度测量装置。

背景技术：

随着集成电路向高频、超高频、超大规模等方面的发展，对晶圆质量的要求也越来越高。现有的晶圆测厚仪，在测量晶圆厚度时，需采取多点测量，然后选取平均值，造成了较大的测量数值误差。在测量晶圆边角厚度时，有时会由于千分尺的测微螺杆的测量端无法夹住晶圆，导致晶圆坠落造成晶圆碎裂，导致产品良率下降，工作效率低下。

技术实现要素：

本实用新型的主要目的是提供一种结构简单、测量精度高的晶圆测厚装置。

为了实现上述的主要目的，本实用新型提供一种测厚装置，包括基座、调节机构和连杆，基座为大理石平台并用于放置晶圆，调节机构设有丝杆，丝杆竖直安装在基座上，连杆的第一端与丝杆连接，测厚装置还包括压力表，压力表位于连杆的第二端，压力表的下方设置有探针，探针用于与晶圆抵接，连杆可在丝杆上竖直移动并绕丝杆水平旋转。

由以上方案可见，基座为大理石平台并用于放置晶圆，大理石平台结构精密，均匀稳定性好，强度大、硬度高，提高晶圆的厚度测量精度。连杆可在丝杆上竖直移动并绕丝杆水平旋转，可测量不同厚度的晶圆以及不同位置的晶圆。探针对晶圆的厚度进行测量，根据压力表预设的压力值进行判断晶圆的合格品和不良品，结构简单，根据晶圆不同参数能快速调节，提高生产效率。

一个具体的方案是，调节机构设有限位块和紧固螺钉，限位块可竖直移动地套在丝杆上并位于连杆的上方，限位块侧面设有第一螺纹孔，紧固螺钉与第一螺纹孔配合并与丝杆的侧面抵接。

由以上方案可见，限位块可竖直移动地套在丝杆上并位于连杆的上方，限位块侧面设有第一螺纹孔，紧固螺钉与第一螺纹孔配合并与丝杆的侧面抵接。结构简单，传动性能稳定，提高测量精度。

另一个具体的方案是，连杆的第一端设有第一圆通孔，第一圆通孔的一侧开设有第一开槽，第一开槽的两侧往外延伸设有第一连接耳，第一连接耳的侧面设有第二螺纹孔，调节机构还设有第一夹紧螺钉，第一圆通孔可竖直移动和水平旋转地套在丝杆上，第一夹紧螺钉与第二螺纹孔配合。

由以上方案可见，连杆的第一圆通孔可竖直移动和水平旋转地套在丝杆上，第一夹紧螺钉与第二螺纹孔配合，以便锁紧第一圆通孔。可测量不同厚度的晶圆以及不同位置的晶圆，探针对晶圆的厚度进行测量，根据压力表预设的压力值进行判断晶圆的合格品和不良品，结构简单，根据晶圆不同参数能快速调节，提高生产效率。

再一个具体的方案是，连杆的第二端设有第二圆通孔，第二圆通孔的一侧开设有第二开槽，第二开槽的两侧往外延伸设有第二连接耳，第二连接耳的侧面设有第三螺纹孔，调节机构还设有第二夹紧螺钉，第二圆通孔套在探针上，第二夹紧螺钉与第三螺纹孔配合。

由以上方案可见，连杆的第二圆通孔套在探针上，第二夹紧螺钉与第三螺纹孔配合，以便锁紧探针。结构简单，锁紧保持力强，提高生产效率。

附图说明

图1是本实用新型测厚装置的第一视角结构图。

图2是本实用新型测厚装置的第二视角结构图。

图3是本实用新型测厚装置的分解图。

以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明。

具体实施方式

参见图1、图2和图3，测厚装置1包括基座2、调节机构、连杆4和压力表3，基座1为大理石平台并用于放置晶圆（未标示），调节机构设置在基座2上，连杆4的第一端41与调节机构连接，压力表3位于连杆4的第二端42，压力表3的下方设置有探针10，探针10用于用于与晶圆抵接，从而测量晶圆的厚度，调节机构可控制连杆4竖直上下移动和水平旋转移动。

调节机构设有丝杆5、限位块7、紧固螺钉6、第一夹紧螺钉8和第二夹紧螺钉9，丝杆5竖直安装在基座2上。连杆4的第一端41设有第一圆通孔14，第一圆通孔14的一侧开设有第一开槽，第一开槽的两侧往外延伸设有第一连接耳12，第一连接耳12的侧面设有第二螺纹孔13，第一圆通孔14可竖直上下移动和水平旋转地套在丝杆5上，第一夹紧螺钉8与第二螺纹孔13配合，把连杆4的第一端41夹紧固定在丝杆5上，从而限制连杆4的第一圆通14在丝杆5上水平旋转。

限位块7套在丝杆5上并位于连杆4的第一圆通孔14上方，限位块7侧面设有第一螺纹孔（未标示），紧固螺钉6与第一螺纹孔配合并抵接至丝杆5的侧面，从而限制连杆4的第一圆通孔14在丝杆5上竖直上下移动。

连杆4的第二端42设有第二圆通孔（未标示），第二圆通孔的一侧开设有第二开槽，第二开槽的两侧往外延伸设有第二连接耳11，第二连接耳11的侧面设有第三螺纹孔（未标示），第二圆通孔套在探针10上，第二夹紧螺钉9与第三螺纹孔配合，把探针10夹紧固定在连杆4的第二端42上，从而限制探针10在连杆4上水平旋转。

根据晶圆的厚度和位置不同，通过连杆4的第一端41的第一圆通孔14与丝杆5的配合，竖直上下移动和水平旋转进行调节连杆4的位置，伴随着调节压力表3的探针10距离基座2的高度和位置。然后，探针10可对晶圆的厚度进行测量，根据压力表3预设的压力值进行判断晶圆的合格品和不良品。晶圆测厚装置1的结构简单，根据晶圆不同参数能快速调节，提高生产效率。

以上所述实施例，只是本实用新型的较佳实例，并非来限制本实用新型实施范围，故凡依本实用新型申请专利范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰，均应包括于本实用新型专利申请范围内。