1.一种具有增强击穿电压的肖特基二极管，包括二极管本体（1），其特征在于：所述二极管本体（1）安装在支架（2）上，所述支架（2）的底部安装有若干个散热片（5），所述二极管本体（1）的内部安装有阳极金属（9），所述阳极金属（9）的一端安装有第一引出脚（3），所述第一引出脚（3）穿过所述支架（2）与外部电路连接，所述第一引出脚（3）上安装有TVS限压器（4），所述阳极金属（9）的两侧均安装有二氧化硅材料层（7），所述阳极金属（9）的下方安装有势垒金属层（10），所述势垒金属层（10）的下方安装有外延层（11），所述外延层（11）的底部安装有N型基片（12），所述N型基片（12）的底部安装有衬底（13），所述衬底（13）的底部安装有阴极金属（14），所述阴极金属（14）的一端安装有第二引出脚（6），所述第二引出脚（6）穿过所述支架（2）与外部电路连接，所述二极管本体（1）上安装有防静电铝箔袋（8）。
2.根据权利要求1所述的一种具有增强击穿电压的肖特基二极管，其特征在于：所述防静电铝箔袋（8）由静电耗散材料制成。
3.根据权利要求1所述的一种具有增强击穿电压的肖特基二极管，其特征在于：所述散热片（5）均匀分布在支架（2）的底部。
4.根据权利要求1所述的一种具有增强击穿电压的肖特基二极管，其特征在于：所述外延层（11）内设置有保护环。