一种具有增强击穿电压的肖特基二极管的制作方法

本实用新型涉及二极管技术领域，具体为一种具有增强击穿电压的肖特基二极管。

背景技术：

肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒，现有的肖特基二极管散热效果不好，而且抗静电能力差。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种具有增强击穿电压的肖特基二极管，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种具有增强击穿电压的肖特基二极管，包括二极管本体，所述二极管本体安装在支架上，所述支架的底部安装有若干个散热片，所述二极管本体的内部安装有阳极金属，所述阳极金属的一端安装有第一引出脚，所述第一引出脚穿过所述支架与外部电路连接，所述第一引出脚上安装有TVS限压器，所述阳极金属的两侧均安装有二氧化硅材料层，所述阳极金属的下方安装有势垒金属层，所述势垒金属层的下方安装有外延层，所述外延层的底部安装有N型基片，所述N型基片的底部安装有衬底，所述衬底的底部安装有阴极金属，所述阴极金属的一端安装有第二引出脚，所述第二引出脚穿过所述支架与外部电路连接，所述二极管本体上安装有防静电铝箔袋。

进一步的，所述防静电铝箔袋由静电耗散材料制成。

进一步的，所述散热片均匀分布在支架的底部。

进一步的，所述外延层内设置有保护环。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：该肖特基二极管，二极管本体由防静电铝箔袋包裹，防静电铝箔袋由静电耗散材料制成，具有防静电，防电磁干扰，防潮三大功能，屏蔽阻隔平均可达60db，静电保护功能强大，内层为纯金属铝构成，电阻率低于0.1欧，四层结构复合能力强，封口牢固，具有良好的防水、阻氧、避光和耐穿刺，二极管本体安装在支架上，支架的底部安装有若干个散热片，二极管本体产生的热量传递到散热片上，有利于更好的散热，防止温度越高漏电流越大，影响使用，阳极金属的两侧均安装有二氧化硅材料层，用二氧化硅来消除边缘区域的电场，提高二极管的耐压值。

附图说明

图1是本实用新型整体结构示意图；

图2是本实用新型二极管本体内部结构示意图；

图中：1-二极管本体；2-支架；3-第一引出脚；4-TVS限压器；5-散热片；6-第二引出脚；7-二氧化硅材料层；8-防静电铝箔袋；9-筒体；10-势垒金属层；11-外延层；12-N型基片；13-衬底；14-阴极金属。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-2，本实用新型提供一种技术方案：一种具有增强击穿电压的肖特基二极管，包括二极管本体1，二极管本体1安装在支架2上，支架2的底部安装有若干个散热片5，二极管本体1的内部安装有阳极金属9，阳极金属9的一端安装有第一引出脚3，第一引出脚3穿过支架2与外部电路连接，第一引出脚3上安装有TVS限压器4，阳极金属9的两侧均安装有二氧化硅材料层7，阳极金属9的下方安装有势垒金属层10，势垒金属层10的下方安装有外延层11，外延层11的底部安装有N型基片12，N型基片12的底部安装有衬底13，衬底13的底部安装有阴极金属14，阴极金属14的一端安装有第二引出脚6，第二引出脚6穿过支架2与外部电路连接，二极管本体1上安装有防静电铝箔袋8。

进一步的，所述防静电铝箔袋8由静电耗散材料制成，具有防静电，防电磁干扰，防潮三大功能，屏蔽阻隔平均可达60db，静电保护功能强大，内层为纯金属铝构成，电阻率低于0.1欧，四层结构复合能力强，封口牢固，具有良好的防水、阻氧、避光和耐穿刺。

进一步的，所述散热片5均匀分布在支架2的底部，有利于更好的散热。

进一步的，所述外延层11内设置有保护环，保护环为P型掺杂区，便于提高二极管内部的抗静电能力。

工作原理：首先，二极管本体1由防静电铝箔袋8包裹，防静电铝箔袋8由静电耗散材料制成，具有防静电，防电磁干扰，防潮三大功能，屏蔽阻隔平均可达60db，静电保护功能强大，内层为纯金属铝构成，电阻率低于0.1欧，四层结构复合能力强，封口牢固，具有良好的防水、阻氧、避光和耐穿刺，二极管本体1安装在支架2上，支架2的底部安装有若干个散热片5，二极管本体1产生的热量传递到散热片5上，有利于更好的散热，防止温度越高漏电流越大，影响使用，阳极金属9的两侧均安装有二氧化硅材料层7，用二氧化硅来消除边缘区域的电场，提高二极管的耐压值。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。