一种大功率倒装LED光源的制作方法

本实用新型涉及倒装LED芯片技术领域，尤其涉及了一种大功率倒装LED光源。

背景技术：

半导体照明行业内，一般将 LED 芯片的结构分成正装芯片结构、垂直芯片结构和倒装芯片结构三类。与其它两种芯片结构相比，倒装芯片结构具有散热性能良好、出光效率高、饱和电流高和制作成本适中等优点，已经受到各大 LED 芯片厂家的重视。在进行封装时，倒装 LED 芯片直接通过表面凸点金属层与基板相连接，不需要金线连接，因此也被称为无金线封装技术，具有耐大电流冲击和长期工作可靠性高等优点。

授权公告号为CN 204441323 U ，授权公告日为2015.07.01的中国专利，通过蚀刻外延片，设置多个电极，使电流在芯片中分布更加均匀，但同时也损失了外延片的出光面积，使出光效率降低。

技术实现要素：

本实用新型针对现有技术中的上述缺点，提供了一种大功率倒装LED光源，出光效率高，制造工艺简单。

为了解决上述技术问题，本实用新型通过下述技术方案得以解决：

一种大功率倒装LED光源，包括承载基板，承载基板上依次设有反光层和外延片，所述外延片包括P型导电层，发光层和N型导电层；所述承载基板两侧分别设有第一支架和第二支架，所述第一支架与外延片之间设有P型焊盘层，所述第二支架与外延片之间设有N型焊盘层；所述P型焊盘层与P型导电层之间设有P电极，所述N型焊盘层和N型导电层之间设有N电极；所述P型焊盘层和外延层之间与N型焊盘层和外延层之间分别设有绝缘层，所述绝缘层上设有通孔，所述P电极和N电极分别通过通孔与所述P型焊盘层和N型焊盘层连接。

作为优选，所述绝缘层上至少设有两个通孔。设置至少两个以上的通孔，使P型导电层和N型导电层增加了与外界导热的通道，光源在长时间工作的情况下产生的大量热量能更好的散发出去，增加了LED光源的寿命。

作为优选，所述P型导电层和所述反光层之间设有电流扩散层。设置电流扩展层可使电流在P电极上扩散，电流不会堆积并产生大量热量。

作为优选，所述绝缘层和外延片之间设反射层。在外延片的侧面设置反射层，可以将外延片侧面射出的光反射出去，提高了LED光源的出光效率。

作为优选，所述反射层为布拉格绝缘反射层或者金属反射层。设置反射层可将侧面发出的光反射出去，增大了LED光源的出光率。

本实用新型由于采用了上述技术方案，具有的技术效果：

1.不需要在外延片上进行蚀刻，生产工艺简单，并且由于不需要破坏外延片的结构，在相同规格的LED光源中，出光面积更大，亮度更强。

2.将P型焊盘层和N焊盘层分别设计在外延片两侧，避免了在焊接过程中或者光源在长时间工作的情况下产生的大量热量致使焊料层融化，导致芯片短路的情况出现，并且将外延片产生的热量分别通过两侧传导到承载基板，增加了外延片的散热通道，散热效果更好，更加适合大功率的倒装LED光源。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是本实用新型另一实施例的结构示意图。

图中：承载基板1、反光层2、 P型导电层3、发光层4 、N型导电层5、第一支架9、第二支架6、N型焊盘层7、绝缘层8、 P型焊盘层10、 N电极11、 P电极12、反射层13。

具体实施方式

下面结合附图与实施例对本实用新型作进一步详细描述。

如图1、图2所示，一种大功率倒装LED光源，包括承载基板1，承载基板1上依次设有反光层2和外延片，所述外延片包括P型导电层3，发光层4和N型导电层5；所述承载基板1两侧分别设有第一支架9和第二支架6，所述第一支架9与外延片之间设有P型焊盘层10，所述第二支架6与外延片之间设有N型焊盘层7；所述P型焊盘层10与P型导电层3之间设有P电极12，所述N型焊盘层7和N型导电层5之间设有N电极11；所述P型焊盘层10和外延层之间与N型焊盘层7和外延层之间分别设有绝缘层8，所述绝缘层8上设有通孔，所述P电极12和N电极11分别通过通孔与所述P型焊盘层10和N型焊盘层7连接。

绝缘层8上至少设有两个通孔，设置至少两个以上的通孔，使P型导电层3和N型导电层5增加了与外界导热的通道，光源在长时间工作的情况下产生的大量热量能更好的散发出去，增加了LED光源的寿命。

承载基板1为硅基板，第一支架9和第二支架6为导热性能良好的金属支架，以更好的将P电极12和N电极11的热量传导到承载基板1上去。在P型导电层3和所述反光层2之间设置电流扩散层，使电流在P型导电层3上更好的扩散，使出光更加均匀。在绝缘层8和外延片之间设反射层13。在外延片的侧面设置反射层13，可以将外延片侧面射出的光反射出去，提高了LED光源的出光效率。反射层13可以为布拉格绝缘反射层或者金属反射层。设置反射层13可将侧面发出的光反射出去，增大了LED光源的出光率。

本实用新型设计的结构，通过将P电极12和N电极11分开，分别设置在外延片的两侧，避免了焊料层在高温下容易溶解导致P电极12和N电极11短路而使LED光源失效，并且不损失外延片的出光面积，使LED光源的出光效率提高。

总之，以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，凡依本实用新型申请专利范围所作的均等变化与修饰，皆应属本实用新型专利的涵盖范围。