技术总结
本实用新型涉及一种双极型高反压功率晶体管，低掺杂N型硅的集电区上设有高掺杂P型硅的基区，基区上设有高掺杂N型硅的发射区，所述发射区为若干等距离间隔排列的柱状发射区，每个所述柱状发射区上设有孔，发射区引线由发射极金属化电极条连接至发射极电极；每个柱状发射区四角基区上设有孔，基极引线由基极金属化电极条连接至基极电极；基极金属化电极条和发射极金属化电极条之间通过绝缘槽分隔开；其特征在于，所述集电区上，基区外围处设有保护环结构，所述集电区、保护环、发射区、基区上设有石墨烯层；所述石墨烯层、发射区、基区上沉积阳极金属；集电区背面沉积阴极金属。本实用新型的高反压功率晶体管VCBO、VCEO高，集电极管耗小。
技术研发人员：崔峰敏
受保护的技术使用者：傲迪特半导体（南京）有限公司
文档号码：201621467545
技术研发日：2016.12.29
技术公布日：2017.07.14