本实用新型涉及半导体功率器件,特别涉及一种双极型高反压功率晶体管。
背景技术:
晶体管由半导体材料组成,晶体管基于输入的电流或电压,改变输出端的阻抗,从而控制通过输出端的电流,并且晶体管输出信号的功率可以大于输入信号的功率,因此晶体管可以作为电流开关或作为电子放大器。在不同的应用场景下,对功率管的性能有不同的要求。
技术实现要素:
本实用新型的目的在于提供一种双极型高反压功率晶体管,本实用新型的双极型高反压功率晶体管VCBO、VCEO高,集电极电流IC大,集电极管耗小。
为实现上述技术目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种双极型高反压功率晶体管,硅晶片尺寸为10.0mm×8.0mm,低掺杂N型硅的集电区上设有高掺杂P型硅的基区,基区上设有高掺杂N型硅的发射区,所述发射区为若干等距离间隔排列的柱状发射区,每个所述柱状发射区上设有发射区引线孔,发射区引线由发射极金属化电极条连接至发射极电极;每个所述柱状发射区四角基区上设有基区引线孔,基极引线由基极金属化电极条连接至基极电极;基极金属化电极条和发射极金属化电极条之间通过绝缘槽分隔开;所述低掺杂N型硅的集电区上,高掺杂的P型基区外围处设有保护环结构,所述低掺杂N型硅的集电区、保护环、高掺杂N型硅的发射区、高掺杂P型硅的基区上设有石墨烯层;所述石墨烯层、高掺杂N型硅的发射区、高掺杂P型硅的基区上沉积阳极金属;低掺杂N型硅的集电区背面沉积阴极金属。本实用新型选用石墨烯材料,石墨烯单向传导能力强,反向保护效果好,在导电性能和能耗方面均优于硅晶体管原件,可以减少管耗。
作为本实用新型的进一步优选,所述低掺杂N型硅的集电区上,高掺杂的P型基区外围处设有四个保护环结构,最外围为高掺杂N型硅保护环,高掺杂N型硅保护环和高掺杂的P型基区之间设有三个高掺杂P型硅保护环,四个保护环结构从外到内依次为高掺杂N型硅的第一保护环、高掺杂P型硅的第二保护环、高掺杂P型硅的第三保护环和高掺杂P型硅的第四保护环。
优选的,所述保护环结构宽度为444μm,高掺杂P型硅的保护环宽度为13μm,深度为150μm,高掺杂N型硅保护环深度为28μm;第一保护环、第二保护环、第三保护环、第四保护环和高掺杂的P型硅基区的横向距离依次为125μm、80μm、75μm、70μm。
作为本实用新型的进一步优选,所述发射区引线孔为直径为46μm的圆孔,基区引线孔为直径为36μm的圆孔;相邻两个发射区引线孔的中心距为200μm,发射区金属化电极条宽度为112μm,基区金属化电极条宽度为62μm。
作为本实用新型的进一步优选,所述绝缘槽的宽度为13μm。
作为本实用新型的进一步优选,所述低掺杂N型硅的集电区电阻率为100Ω·cm。
作为本实用新型的进一步优选,所述石墨烯层、高掺杂N型硅的发射区、高掺杂P型硅的基区上沉积金属Al作为阳极,低掺杂N型硅的集电区背面沉积金属Ag作为阴极;阳极金属和阴极金属外设有保护膜。
作为本实用新型的进一步优选,阳极Al金属层沉积厚度为4μm,阴极Ag金属层沉积厚度为0.685μm。
本实用新型的高反压功率晶体管VCBO、VCEO高,集电极电流IC大,集电极管耗小。
附图说明
图1为本实用新型实施例1的芯片平面结构示意图;
图2为本实用新型实施例1的芯片晶格单元平面结构示意图;
图3为本实用新型晶体管外围保护环结构示意图;
其中,图中涉及的数值单位为μm。
具体实施方式
如图1、图2、图3所示的双极型高反压功率晶体管,硅晶片尺寸为10.0mm×8.0mm,晶格单元数目为1284个。在电阻率为100Ω·cm的低掺杂N型硅的集电区1上设有高掺杂P型硅的基区2,基区2上设有高掺杂N型硅的发射区3,所述发射区3由若干等距离间隔排列的柱状发射区31组成,每个所述柱状发射区31上设有发射区引线孔32,发射区引线由发射极金属化电极条4a、4b连接至发射极电极5a、5b;每个所述柱状发射区31四角基区2上设有基区引线孔21,基极引线由基极金属化电极条4c连接至基极电极5c;基极金属化电极条4c和发射极金属化电极条4a、4b之间通过宽度为13μm的绝缘槽6分隔开;所述低掺杂N型硅的集电区1上,高掺杂的P型基区2外围处设有保护环7结构,所述低掺杂N型硅的集电区1上,高掺杂的P型基区2外围处设有四个保护环结构,最外围为高掺杂N型硅保护环,高掺杂N型硅保护环和高掺杂的P型基区之间设有三个高掺杂P型硅保护环,四个保护环结构从外到内依次为高掺杂N型硅的第一保护环71、高掺杂P型硅的第二保护环72、高掺杂P型硅的第三保护环73和高掺杂P型硅的第四保护环74。所述低掺杂N型硅的集电区1、保护环7、高掺杂N型硅的发射区3、高掺杂P型硅的基区2上设有石墨烯层8;所述石墨烯层8、高掺杂N型硅的发射区3、高掺杂P型硅的基区2上沉积阳极金属5;低掺杂N型硅的集电区背面沉积阴极金属9;所述石墨烯层8、高掺杂N型硅的发射区3、高掺杂P型硅的基区2上沉积金属Al作为阳极5,低掺杂N型硅的集电区背面沉积金属Ag作为阴极9;阳极金属Al和阴极金属Ag外设有保护膜10。
本实施例中,所述保护环7结构总宽度为444μm,高掺杂P型硅的保护环宽度为13μm,深度为150μm,高掺杂N型硅保护环深度为28μm;第一保护环71、第二保护环72、第三保护环73、第四保护环74和高掺杂的P型硅基区2的横向距离依次为125μm、80μm、75μm、70μm。所述发射区引线孔32为直径为46μm的圆孔,基区引线孔21为直径为36μm的圆孔,相邻两个发射区引线孔32的中心距为200μm,发射区金属化电极条4a、4b宽度为112μm,基区金属化电极条4c宽度为62μm。阳极Al金属层沉积厚度为4μm,阴极Ag金属层沉积厚度为0.685μm。
本实施例的高反压功率晶体管,VCBO=1730V,VCEO=1000V,IC=25A,集电极管耗210W,结温150℃,操作和贮存温度范围-55~+150℃。