技术特征：
技术总结
本发明涉及一种用于基板的等离子体处理装置以及一种用于对晶圆进行等离子体处理的方法，尤其用于半导体或光伏打应用的半导体晶圆。装置包括：伸长处理腔室，具有用于容纳可容纳多个晶圆的晶舟的容纳空间；在处理腔室中的长度方向延伸并布置在容纳空间的一侧上的至少一个导气管道；以及在处理腔室中的长度方向延伸并布置在容纳空间的另一侧上的至少一个导气管道。导气管道中的每一个具有用于气体通过的多个通过口，通过口在导气管道的长度方向上间隔开，通过口形成于导气管道朝向容纳空间的侧。此外，提供至少一个供气单元和至少一个排气单元，其中至少一个供气单元能连接到至少一个导气管道，至少一个排气单元能连接到另一个导气管道。在所述方法中，在上述类型的等离子体处理装置的处理腔室中的晶舟中容纳多个晶圆，尤其用于半导体或光伏打应用的半导体晶圆，并且所述方法具有以下步骤：通过经由导气管道中的至少一个在晶舟的整个长度上引入至少一种气体来调节处理腔室中的所要气氛；以及将高频交流电压施加至晶舟以在处理阶段期间在晶舟中容纳的晶圆之间产生等离子体。
技术研发人员：麦可·科利克;拉尔夫·罗特;韦费德·莱尔希;约翰尼斯·雷利
受保护的技术使用者：商先创国际股份有限公司
技术研发日：2016.03.31
技术公布日：2018.05.11