技术特征：
技术总结
本发明的功率半导体装置的制造方法,依次包括：半导体基体准备工序；第一沟槽形成工序；第一绝缘膜形成工序；栅极绝缘膜形成工序；栅电极形成工序；第二沟槽形成工序，在将第一绝缘膜126a的中央部去除后在第一沟槽116内形成第二沟槽140；第二绝缘膜形成工序，在第二沟槽内残留有第一空隙122的条件下在第二沟槽140的内部形成第二绝缘膜126b；屏蔽电极形成工序，在第一空隙122内形成屏蔽电极124；屏蔽电极回蚀工序，形成第二空隙142；以及源电极形成工序，形成源电极136。根据本发明的半导体装置的制造方法，就能够制造：能够简化用于使屏蔽电极与源电极之间取得连接的工序的，并且，能够提高实际使用中电极连接稳定性的半导体装置。
技术研发人员：大谷欣也
受保护的技术使用者：新电元工业株式会社
技术研发日：2016.03.31
技术公布日：2018.11.23