用于减薄硅片加工的撕膜操作台的制作方法

本发明涉及一种超薄硅片加工技术，尤其涉及一种用于减薄硅片加工的撕膜操作台。

背景技术：

在对硅片进行减薄处理时，需要频繁地将硅片转移到不同的操作平台上，以完成各种加工工艺；由于硅片正面已预先制作好光敏结构，为避免转移和操作过程中将光敏结构划伤，通常会在硅片正面贴装保护膜，待减薄处理完成后再将保护膜撕掉，由于减薄后的硅片（尤其是超薄硅片）的结构强度十分脆弱，因此对撕膜操作的精细化程度要求较高，通常由人工进行，具体操作时，一般将硅片背面朝下地放置在一实心台面上进行撕膜操作，存在的问题是：在减薄过程中，硅片的背面已进行了高精度的抛光处理，如果抛光面出现损伤，将影响器件性能；而撕膜操作时，硅片的抛光面与实心台面的接触面积较大，实心台面上容易存在微小颗粒，为了使保护膜与硅片分离，操作人员需要对保护膜和硅片边沿同时施力，施力过程中，实心台面上的微小颗粒容易划伤硅片，严重时，微小颗粒会导致硅片受力不均出现碎片情况。

技术实现要素：

针对背景技术中的问题，本发明提出了一种用于减薄硅片加工的撕膜操作台，其创新在于：所述撕膜操作台由底座、支撑板、多根连接柱和连接嘴组成；所述支撑板为环形结构体，支撑板的上端面形成操作面，所述操作面上设置有环形凹槽，环形凹槽位于支撑板内孔的外围，支撑板的下端面上设置有一连接孔，连接孔的底部与环形凹槽的底部连通，所述连接嘴的上端套接在连接孔内；所述支撑板设置在底座的正上方，支撑板的上端面与底座的下端面平行；连接柱的上端与支撑板的下端面连接，连接柱的下端与底座的上端面连接，多根连接柱沿支撑板周向设置，连接嘴位于支撑板下端面上相邻连接柱之间的位置。

使用时，先将连接嘴与负压提供装置连接，然后将硅片放置在操作面上，硅片将环形凹槽全部覆盖，然后通过负压提供装置使环形凹槽内产生负压，在负压的作用下，硅片边沿就能紧贴在操作面上，这时，操作人员就可以进行撕膜操作了；采用本发明方案后，硅片上只有边沿与操作台接触，硅片背面与操作装置的接触面积较小且接触部位位于硅片的边沿，相比于人手施加的作用力，由负压产生的作用力更为均匀，不会产生受力不均的情况，可有效避免出现碎片情况，操作人员也无需再对硅片施力，只需专注于对保护膜施加作用力，操作较为方便。

优选地，所述操作面的一侧设置有台阶面，台阶面能够让操作人员的手指伸入硅片下方，便于硅片的放置和拿取。

本发明的有益技术效果是：提供了一种用于减薄硅片加工的撕膜操作台，该撕膜操作台可对硅片中部起到较好的保护作用，有效避免碎片情况的发生，操作方便性较好。

附图说明

图1、本发明的结构示意图；

图2、本发明的使用状态图；

图3、支撑板断面示意图；

图中各个标记所对应的名称分别为：底座1、支撑板2、环形凹槽2-1、连接孔2-2、多根连接柱3、连接嘴4、超薄硅片5。

具体实施方式

一种用于减薄硅片加工的撕膜操作台，其创新在于：所述撕膜操作台由底座1、支撑板2、多根连接柱3和连接嘴4组成；所述支撑板2为环形结构体，支撑板2的上端面形成操作面，所述操作面上设置有环形凹槽，环形凹槽位于支撑板2内孔的外围，支撑板2的下端面上设置有一连接孔，连接孔的底部与环形凹槽的底部连通，所述连接嘴4的上端套接在连接孔内；所述支撑板2设置在底座1的正上方，支撑板2的上端面与底座1的下端面平行；连接柱3的上端与支撑板2的下端面连接，连接柱3的下端与底座1的上端面连接，多根连接柱3沿支撑板2周向设置，连接嘴4位于支撑板2下端面上相邻连接柱3之间的位置。

进一步地，所述操作面的一侧设置有台阶面。