技术特征：
技术总结
肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法，一种肖特基二极管，其包括：一第一电极，该第一电极包括一台阶状结构；一第二电极，该第二电极包括反向台阶状结构；一半导体结构设置在第一电极和第二电极之间，该半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端以及第一端和第二端之间的中间部，所述台阶状结构和反向台阶状结构位于半导体结构的第一端和第二端之间，所述半导体结构的中间部从所述台阶状结构延伸至所述反向台阶状结构，所述半导体结构为一纳米级半导体结构。
技术研发人员：赵宇丹;肖小阳;王营城;金元浩;张天夫;李群庆
受保护的技术使用者：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
技术研发日：2017.01.20
技术公布日：2018.07.27