1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
设置在衬底基板之上的导电埋层，以及设置在所述导电埋层之上的电阻隔离层；
设置在所述电阻隔离层之上的有源层，以及设置在所述有源层一侧的源极，设置在所述有源层另一侧的漏极，其中，所述电阻隔离层在与所述漏极对应的区域设置有连接所述漏极与所述导电埋层的连接电极，所述连接电极的电阻率低于所述电阻隔离层的其它区域的电阻率；
设置在所述有源层之上的栅极绝缘层，以及设置在所述栅极绝缘层之上的栅极。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述有源层上设置有台阶状的所述栅极绝缘层，其中，台阶状的所述栅极绝缘层的高部朝向所述漏极。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源极与所述有源层接触，所述漏极与所述有源层接触。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：设置在所述电阻隔离层之上的连接所述源极与所述有源层的第一轻掺杂漏极，连接所述漏极与所述有源层的第二轻掺杂漏极。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述有源层在所述衬底基板上的正投影重叠，所述栅极在所述衬底基板上的正投影与所述有源层在所述衬底基板上的正投影重叠。
6.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管。
7.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在衬底基板上形成第一薄膜层；
采用第一离子注入工艺，向所述第一薄膜层注入第一型杂质离子，使所述第一薄膜层的下部形成为导电埋层；
采用退火工艺，使所述第一薄膜层的上部形成为第二薄膜层，将所述第二薄膜层与所述导电埋层之间的第一薄膜作为电阻隔离层，将所述第二薄膜层的第一区域作为有源层；
在所述第二薄膜层的所述第一区域的上方形成栅极绝缘层，以及在所述栅极绝缘层的上方形成栅极；
采用第二离子注入工艺，在所述第二薄膜层的所述第一区域的一侧形成源极，在所述第二薄膜层的所述第一区域的另一侧形成漏极；
采用第三离子注入工艺，向所述电阻隔离层的与所述漏极对应的区域注入第二型杂质离子，形成连接所述漏极与所述导电埋层的连接电极。
8.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述第二薄膜层的所述第一区域的上方形成栅极绝缘层，具体包括：
采用半色调掩模板或灰色调掩模板，在所述第二薄膜层的所述第一区域的上方形成台阶状的所述栅极绝缘层，其中，台阶状的所述栅极绝缘层的高部朝向所述漏极。
9.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述采用第二离子注入工艺，在所述第二薄膜层的所述第一区域的一侧形成源极，在所述第二薄膜层的所述第一区域的另一侧形成漏极，具体包括：
采用第二离子注入工艺，在所述第二薄膜层的与所述第一区域相接触的一侧形成源极，在所述第二薄膜层的与所述第一区域相接触的另一侧形成漏极。
10.如权利要求7所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述采用第二离子注入工艺，在所述第二薄膜层的所述第一区域的一侧形成源极，在所述第二薄膜层的所述第一区域的另一侧形成漏极，具体包括：
采用第四离子注入工艺，在所述第二薄膜层的与所述第一区域相接触的一侧注入第二型杂质离子，形成第一轻掺杂区，在所述第二薄膜层的与所述第一区域相接触的另一侧注入第二型杂质离子，形成第二轻掺杂区；
采用第二离子注入工艺，在所述第一轻掺杂区的与所述第一区域相隔的第一子区域注入第二型杂质离子，形成所述源极，在所述第二轻掺杂区的与所述第一区域相隔的第二子区域注入第二型杂质离子，形成所述漏极，将所述第一轻掺杂区的所述第一子区域以外的区域作为第一轻掺杂漏极，将所述第二轻掺杂区的所述第二子区域以外的区域作为第二轻掺杂漏极。