技术总结
本申请实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板及薄膜晶体管的制作方法，以降低薄膜晶体管由于静电作用而发生工作异常的几率。本申请实施例提供的薄膜晶体管，包括：设置在衬底基板之上的导电埋层，以及设置在所述导电埋层之上的电阻隔离层；设置在所述电阻隔离层之上的有源层，以及设置在所述有源层一侧的源极，设置在所述有源层另一侧的漏极，其中，所述电阻隔离层在与所述漏极对应的区域设置有连接所述漏极与所述导电埋层的连接电极，所述连接电极的电阻率低于所述电阻隔离层的其它区域的电阻率；设置在所述有源层之上的栅极绝缘层，以及设置在所述栅极绝缘层之上的栅极。
技术研发人员：秦心宇
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
文档号码：201710054178
技术研发日：2017.01.22
技术公布日：2017.05.17