线圈部件的制作方法

本发明涉及线圈部件。

背景技术：

以往，对在高的频率区域使用的线圈部件的磁芯要求在高的频率区域的高导磁率和低损失特性。作为这种磁芯的例子，有将金属磁性粉压缩成型而成的压粉磁芯(例如，专利文献1)。

然而，近年来，正在采用nfc(nearfieldcommunication)、非接触供电，与以往相比，流过高的交流电流的电路增加。非接触供电中磁场共振方式的电路能够对多台进行供电，因此正在进行对以智能手机为代表的便携设备的研究。此外，磁场共振方式的电路使用6.78mhz的共振频率，为了在该频率下输出高的电功率，需要即使流过大的振幅的电流，q值的下降也小的线圈部件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-217919号公报

技术实现要素：

磁场共振方式的电路是与nfc电路同样的构成，但流过与nfc电路相比更大的振幅的电流且nfc电路为300marms左右，相对于此，磁场共振方式的电路流过1arms以上的电流。因此，若在流过这样的大的电流时交流有效电阻(rac)大，则存在成为设备的发热的原因的问题。

因此，本发明的目的在于提供一种即使在流过大的振幅的电流的情况下，rac也低的线圈部件。

为了解决上述课题，本发明的线圈部件具备磁芯和线圈导体，上述磁芯含有体积电阻率为1.0×10⁷ω·cm以上的fe系金属磁性粉和粘结材料且导磁率为5以上，上述金属磁性粉的平均粒径d50为5μm以下。

根据本发明，即使在流过大的振幅的电流的情况下，也能够将rac抑制得较低。

此外，在1个方式中，上述平均粒径d50为2μm以下。根据该方式，能够一边维持高的q值，一边进一步抑制rac的上升。

此外，1个方式中，上述fe系金属磁性粉的体积电阻率为10¹⁰ω·cm以上。根据该方式，能够维持高的q值且将初期rac抑制得较低，同时进一步抑制rac的上升。应予说明，本说明书中，初期rac是指流过0.1arms的电流时的rac。

此外，在其它方式中，具备形成于上述磁芯上且与上述线圈导体导通的端子电极，上述粘结材料含有环状硅氧烷或支链状硅氧烷，上述端子电极含有选自sc、ti、v、cr、mn、y、zr、nb、mo、tc、hf、ta、w以及re中的1种。根据该方式，可以使端子电极与磁芯的密合性提高。

此外，其它方式中，上述金属磁性粉具有绝缘膜，上述绝缘膜含有无机氧化物和水溶性高分子。根据该方式，在磁芯的成型时可以抑制绝缘膜产生裂纹，因此可以抑制磁芯的电阻值下降而产生涡流损耗，在线圈部件中也维持高的q值，将初期rac抑制得低，同时进一步抑制rac的上升。

此外，其它方式中，fe系金属磁性粉具有绝缘膜，上述绝缘膜含有磷酸玻璃。根据该方式，可以维持高的q值且将初期rac抑制得较低，同时进一步抑制rac的上升。

根据本发明，可以提供一种即使在流过例如1arms以上的大的振幅的电流的情况下，rac也低的线圈部件。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式所涉及的线圈部件的一个例子的截面示意图。

图2是表示本发明的实施方式所涉及的线圈部件的其它例子的立体示意图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式详细地进行说明。

本发明的线圈部件的特征在于，具备磁芯和线圈导体，该磁芯含有体积电阻率为1.0×10⁷ω·cm以上的fe系金属磁性粉和粘结材料且导磁率为5以上，上述金属磁性粉的平均粒径d50为5μm以下。

本发明的线圈部件是指在成型体的表面具有外部电极的电子部件，例如，可举出包含由磁性核构成的成型体的卷线型线圈部件、包含由磁性片材构成的成型体的层叠型线圈部件等线圈部件。

磁芯只要是包含fe系金属磁性粉和粘结材料的成型体则没有特别限定。例如，可举出在fe系金属磁性粉中添加粘结材料，使用模具成型为规定形状，或通过填充至被注入部位而成型为规定形状，根据需要加热使其固化而成的磁芯。

作为磁芯中使用的fe系金属磁性粉，为fe粉(纯铁粉)、或feni、feco、fesi、fesicr、fesial、fesibcr、fepcsibnbc等fe系合金粉，可使用以往一直使用的fe系磁性粉。可以将这些粉末单独使用或组合使用2种以上。此外，上述纯铁粉也可以是例如通过将五羰基铁进行热分解而形成的羰基铁粉。

对于fe系金属磁性粉的平均粒径，累积粒度分布中的中值粒径d50为5μm以下。通过使用d50为5μm以下的fe系金属磁性粉，可以抑制流过大的振幅的电流时的rac的上升、q值的下降。fe系金属磁性粉的d50更优选为2μm以下。通过使用d50为2μm以下的fe系金属磁性粉，即使在流过大的振幅的电流的情况下，也能够进一步抑制rac的上升。此外，通过使用d50为1.5μm以下的fe系金属磁性粉，即使在流过大的振幅的电流的情况下，也能够一边进一步抑制rac的上升，一边抑制q的下降。fe系金属磁性粉的d50例如可以是0.1μm以上，d50优选为1μm以上。若d50为1μm以上，则可以减小初期rac。

应予说明，d50的测定方法只要是可以测定粉体的累积粒度分布的方法则没有特别限定，例如，可使用激光衍射·散射法。此外，d50也可以通过使用扫描型电子显微镜对磁芯的截面进行图像解析来进行测定。

此外，磁芯的导磁率为5以上。外加大的振幅的电流的初期的rac依赖于线圈的导体的rdc。若要取得相同的l值，则导磁率越高，越可以减少线圈的匝数。因此，若导磁率高至5以上，则线圈的匝数减少，因此能够将初期rac抑制得较低。

此外，fe系金属磁性粉具有覆盖其表面的绝缘膜，该粉体的体积电阻率为10⁷ω·cm以上，优选为10¹⁰ω·cm以上。通过使用体积电阻率为10⁷ω·cm以上的fe系金属磁性粉，可以进一步降低涡流损耗，可以抑制在外加大的振幅的电流时的rac的上升。应予说明，粉体的体积电阻率的测定例如可使用mitsubishichemicalanalytech制的粉体电阻测定系统mcp-pd51。绝缘膜可使用含有无机氧化物和/或有机树脂的绝缘膜，优选使用含有无机氧化物和有机树脂的绝缘膜。从氧化物的强度和固有的电阻率的观点出发，无机氧化物优选使用选自tio2、sio2、al2o3、zro中的至少1种。此外，有机树脂没有特别限定，可使用环氧树脂、硅树脂。绝缘膜优选含有水溶性高分子。水溶性高分子例如可使用选自聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙烯亚胺、羧甲基纤维素、明胶、聚丙烯酸、聚乙二醇、聚乙烯醇中的至少1种，优选使用聚乙烯基吡咯烷酮。绝缘膜优选含有无机氧化物和水溶性高分子。通过绝缘膜含有水溶性高分子，成型为磁芯时可以抑制绝缘膜产生裂纹。由此，即使在制成磁芯的状态下也可以维持fe系金属磁性粉的体积电阻率，可以抑制涡流损耗的产生，抑制外加大的振幅的电流时的rac的上升、q值的下降。

含有无机氧化物和水溶性高分子的绝缘膜例如可以使用以下方法形成。使fe系金属磁性粉分散于由甲醇、乙醇等亲水性醇构成的溶剂中，接着，在该分散液中添加金属醇盐和水溶性高分子而搅拌。此时，金属醇盐被水解，在fe系的软磁性材料粉末的表面形成含有作为金属醇盐的水解物的金属氧化物和水溶性高分子的绝缘膜。其后，从分散液馏去溶剂，使具有绝缘膜的fe系金属磁性粉在例如50～300℃的温度下干燥。金属醇盐的金属可使用si、ti、al或zr。此外，也可以使用2种以上的金属醇盐。作为金属醇盐烷氧基，可以使用甲氧基、乙氧基、丙氧基等。此外，无机氧化物可以在相对于软磁性材料粉末为0.01wt％～5wt％的范围进行添加，水溶性高分子可以在相对于软磁性材料粉末为0.01wt％～1wt％的范围进行添加。应予说明，为了促进金属醇盐的水解速度，也可以根据需要添加作为酸性催化剂的例如盐酸、乙酸、磷酸，作为碱性催化剂的例如氨、氢氧化钠、哌啶，或作为盐催化剂的例如碳酸铵、乙酸铵。

此外，粘结材料中可使用环氧树脂、酚醛树脂、硅树脂这样的热固性树脂、或低熔点玻璃。在使用热固性树脂作为粘结材料时，可以通过将金属磁性粉与上述粘结材料混合，使用模具成型，进行加热固化，从而形成磁芯。此外，在使用低熔点玻璃作为粘结材料时，通过将金属磁性粉与低熔点玻璃混合并烧结，可以形成磁芯。

粘结材料也可以进一步含有环状硅氧烷树脂或支链状硅氧烷树脂。如下所述，这是因为在端子电极由氧亲和性高的金属(例如sc、ti、v、cr、mn、y、zr、nb、mo、tc、hf、ta、w、以及re等)或包含该金属的合金的膜形成时，能够提高端子电极与磁芯的密合性。

环状硅氧烷树脂具有环状硅氧烷结构。环状硅氧烷结构是指仅由si与o的键构成的环状结构。环状硅氧烷结构中的si-o的重复数量优选为3～10之间，更优选为3～8。支链状硅氧烷树脂具有支链状硅氧烷结构。支链状硅氧烷结构可以由3个si-o-si键构成，也可以由4个si-o-si键构成。本发明中使用的第1粘结材料作为具体例可以由以下式(1)或式(2)表示的化合物形成。

本说明书中的环状硅氧烷树脂可以由作为由式(1)表示的环状硅氧烷的化合物形成。例如，环状硅氧烷树脂可以通过由以下式(1)表示的化合物的反应性基团进行聚合而形成。式(1)中，n为1～8的整数，优选为3～6。认为若n为该范围，则构成环状硅氧烷结构的o(氧原子)容易排列成面状，在含有氧亲和性高的金属的外部电极中以面结合，从而密合性提高。此外，r1和r2中的一方是含有氨基、乙烯基、环氧基、羟基、酚基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、氧杂环丁烷基、羧基或巯基的反应性基团，另一方表示氢、碳原子数1～6的烷基或苯基。优选的是，r1和r2中的至少一方是乙烯基或环氧基，另一方是甲基或苯基。作为r1和r2中的至少一方为乙烯基的环状硅氧烷，例如可举出2,4,6,8-四甲基-2,4,6,8-四乙烯基环四硅氧烷。此外，在r1和r2中的一方为包含环氧基的反应性基团的情况下，该环氧基可使用脂肪族环氧基、脂环式环氧基、芳香族系环氧基。作为脂肪族环氧基，可举出二氧化丁二烯、二氧化二甲基戊烷、二缩水甘油醚、1,4-丁二醇二缩水甘油醚、3-缩水甘油氧基丙基、二乙二醇二缩水甘油醚和二氧化二戊烯等。此外，作为脂环式环氧基，可使用在分子内具有至少1个4元环～7元环的环状脂肪族基团和在分子内具有至少1个环氧基的环氧基，例如可举出(7-{氧杂二环[4.1.0]庚基})烷基。此外，作为芳香族系环氧基，可举出双酚a型环氧基、双酚f型环氧基、苯酚酚醛清漆环氧基、甲酚酚醛清漆环氧基、双酚环氧基、联苯环氧基等。

作为由式(1)表示的环状硅氧烷，可使用r1和r2中的至少一方为脂肪族环氧基、另一方为甲基或苯基的化合物，例如，可使用作为脂肪族环氧基含有3-缩水甘油氧基丙基的、环三硅氧烷类、环四硅氧烷类、以及环戊烷硅氧烷类，优选为含有3-缩水甘油氧基丙基的环四硅氧烷类。

此外，作为由式(1)表示的环状硅氧烷，可使用r1和r2中的至少一方为脂环式环氧基、另一方为甲基或苯基的化合物，例如，可使用作为脂环式环氧基含有(7-{氧杂二环[4.1.0]庚基})乙基的、环三硅氧烷类、环四硅氧烷类和环戊烷硅氧烷类，优选为含有(7-{氧杂二环[4.1.0]庚基})乙基的环四硅氧烷类。作为该环四硅氧烷类的具体例，可举出在分子内具有2个环氧基的、2,4-二[2-(7-{氧杂二环[4.1.0]庚基})乙基]-2,4,6,6,8,8-六甲基-环四硅氧烷、4,8-二[2-(7-{氧杂二环[4.1.0]庚基})乙基]-2,2,4,6,6,8-六甲基-环四硅氧烷、2,4-二[2-(7-{氧杂二环[4.1.0]庚基})乙基]-6,8-二丙基-2,4,6,8-四甲基-环四硅氧烷、4,8-二[2-(7-{氧杂二环[4.1.0]庚基})乙基]-2,6-二丙基-2,4,6,8-四甲基-环四硅氧烷、在分子内具有3个环氧基的、2,4,8-三[2-(7-{氧杂二环[4.1.0]庚基})乙基]-2,4,6,6,8-五甲基-环四硅氧烷、2,4,8-三[2-(7-{氧杂二环[4.1.0]庚基})乙基]-6-丙基-2,4,6,8-四甲基-环四硅氧烷、以及在分子内具有4个环氧基的、2,4,6,8-四[2-(7-{氧杂二环[4.1.0]庚基})乙基]-2,4,6,8-四甲基-环四硅氧烷。优选为2,4,6,8-四[2-(7-{氧杂二环[4.1.0]庚基})乙基]-2,4,6,8-四甲基-环四硅氧烷。

本说明书中的支链状硅氧烷树脂可以由作为由式(2)表示的支链状硅氧烷的化合物形成。例如，支链状硅氧烷树脂可以通过将由式(2)表示的化合物的反应性基团进行聚合而形成。式(2)中，k和m是不同时为0的整数。此外，k为0～8，m为0～4。r3、r4和r5是至少1个为氨基、乙烯基、环氧基、羟基、酚基、甲基丙烯酸基、羧基或巯基的反应性基团，剩余部分表示氢、碳原子数1～6的烷基或苯基、x和y中的至少一方具有由以下式(3)或式(4)表示的结构，另一方表示氢、碳原子数1～6的烷基或苯基。优选的是，r3、r4和r5中的至少1个为乙烯基或环氧基，剩余部分为甲基或苯基。r3、r4和r5中的至少1个为环氧基时，该环氧基可使用脂肪族环氧基、脂环式环氧基、芳香族系环氧基。作为脂肪族环氧基，可举出二氧化丁二烯、二氧化二甲基戊烷、二缩水甘油醚、1,4-丁二醇二缩水甘油醚、3-缩水甘油氧基丙基、二乙二醇二缩水甘油醚和二氧化二戊烯等。此外，作为脂环式环氧基，可使用在分子内至少具有1个4元环～7元环的环状脂肪族基团和在分子内至少具有1个环氧基的环氧基，例如可举出(7-{氧杂二环[4.1.0]庚基})烷基。此外，作为芳香族系环氧基，可举出双酚a型环氧基、双酚f型环氧基、苯酚酚醛清漆环氧基、甲酚酚醛清漆环氧基、双酚环氧基、联苯环氧基等。优选的是，r3和r4为甲基，r5为(7-{氧杂二环[4.1.0]庚基})乙基。

式(3)中，x为0或1～8的整数，r3、r4和r5是至少1个为氨基、乙烯基、环氧基、羟基、酚基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、氧杂环丁烷基、羧基或巯基的反应性基团，剩余部分表示氢、碳原子数1～6的烷基或苯基。对于r3、r4和r5，可选择与上述式(2)的情况同样的基团。优选的是，r3和r4为甲基，r5为(7-{氧杂二环[4.1.0]庚基})乙基。

式(4)中，y为1～12的整数，优选为2～8的整数，z为1～8的整数，优选为2～6的整数。此外，r3、r4和r5是至少1个为氨基、乙烯基、环氧基、羟基、酚基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、氧杂环丁烷基、羧基或巯基的反应性基团，剩余部分表示氢、碳原子数1～6的烷基或苯基。对于r3、r4和r5，可选择与上述式(2)的情况同样的基团。优选的是，r3和r4为甲基，r5为(7-{氧杂二环[4.1.0]庚基})乙基。

作为由式(2)表示的支链状硅氧烷的具体例，例如，是k为0、m为1、x和y由式(3)表示、r3和r4为甲基、r5为(7-{氧杂二环[4.1.0]庚基})乙基的化合物。此外，k为0，m为1，x由式(3)表示，y、r3和r4为甲基，r5为(7-{氧杂二环[4.1.0]庚基})乙基。

线圈导体是形成为线圈状的导体，例如，卷绕为线圈状的导线，导线例如可使用铜线、银线。此外，线圈导体也可以将导电糊料在基板上涂布为线圈状而形成。此外，线圈导体也可以通过将金属膜通过蚀刻等以线圈状在基板上图案化而形成。

线圈导体卷绕于磁芯。或者，线圈导体配置于磁芯内。磁芯的形状可以是鼓芯状或环状。此外，磁芯的形状也可以是长方体状。鼓芯状的磁芯可以通过将由fe系金属磁性粉和粘结材料的混合物形成的成型体使用研削机等形成凸缘部和卷芯部而制作。或者，鼓芯状的磁芯可以通过将上述混合物成型为鼓芯的形状而形成。线圈导体配置于磁芯内的线圈部件可以通过在混合有fe系金属磁性粉和粘结材料的混合物中埋入线圈导体并成型而形成。

此外，线圈导体为卷绕成线圈状的导线(例如铜线)时，可以将导线卷绕于磁芯而与端子电极接合，进行浸焊，从而使端子电极与导线导通。或者，可以对端子电极实施镀覆，将导线热压接于其上，从而使端子电极与导线导通。

本实施方式中，线圈部件进一步含有端子电极。端子电极是形成于磁芯上的导体的膜，与线圈导体接触并导通。端子电极可使用ag、cu、ni、ti、ni、cr、sc、v、mn、y、zr、nb、mo、tc、hf、ta、w的金属或包含选自这些金属中的至少1种的合金的膜。若端子电极为ag、cu的金属膜，则导电性高而优选。端子电极是含有氧亲和性高的金属(选自sc、ti、v、cr、mn、y、zr、nb、mo、tc、hf、ta、w以及re中的1种，优选为cr、ti等)的膜，在粘结材料含有上述环状硅氧烷树脂或支链状硅氧烷树脂时，可以使端子电极与磁芯的密合性提高。认为这是因为，通过使用环状或支链状的硅氧烷树脂，与si键合的氧在平面上容易排列，经排列的氧与由氧亲和性高的金属形成的端子电极容易密合。硅氧烷树脂优选为三聚体、四聚体、五聚体。

端子电极可以通过将ag糊料、cu糊料等糊料涂布于磁芯而形成。或者，端子电极可以通过使用ni溅射、ti溅射、nicr溅射等形成。端子电极可以是单层，也可以是多层的层叠体。例如，作为端子电极，也可以包含将cr、ti等氧亲和性高的合金通过溅射而形成的层、和镀ni的层、镀sn的层。

具备配置于磁芯内的线圈导体的线圈部件可以通过将fe系金属磁性粉和粘结材料的混合物成型为磁性片材，在该磁性片材埋入线圈导体而形成。或者，可以在由fe系金属磁性粉和粘结材料的混合物形成的磁性片材上形成电极线圈图案，将它们层叠、切断、加热固化后，通过溅射法形成cr、v或ti等的金属膜作为外部电极。另外，也可以在外部电极上实施镀ni、镀sn。

对于本发明的电子部件的制造方法，例如，对电子部件为卷线型线圈部件的情况进行说明。图1是表示卷线型线圈部件的结构的一个例子的截面示意图。卷线型线圈部件具有：具有卷芯部1a和形成于其上下两端的凸缘部1b的磁芯1、卷绕于卷芯部1a的线圈导体2、形成于下侧的凸缘部1b且将线圈导体2的两端分别电连接的多个端子电极3、以及在上下的凸缘部1b之间密封线圈导体2的被覆树脂部4。磁芯1可以将fe系金属磁性粉与粘结材料混合，将该混合物成型为核形状后，加热使粘结材料固化，从而得到磁芯1。端子电极3为导电膜。端子电极3也可以是cr、v或ti等过渡金属的金属膜。金属膜可以使用溅射法形成。端子电极3只要与磁芯接触的面由上述过渡金属的金属膜构成，则该面以外的面可以由其它金属的膜构成。

图2是表示埋入型线圈部件的结构的一个例子的立体示意图。线圈导体11具有如下结构：埋入至由fe系金属磁性粉和粘结材料的混合物构成的长方体状的成型体所构成的磁芯12中，线圈导体的卷绕端11a、11b与分别形成在磁芯12的两端部的端子电极13、13电连接。端子电极13例如可以使用盖帽形状的金属导体，分别嵌入到磁芯12的两端部，利用导电性粘接剂等进行在磁芯12上的固定和在卷绕端11a、11b上的固定。

实施例

实施例1

(线圈部件的制作)

将20g的d50＝1μm的fesicr粉末添加于37.2g的乙醇中，按以sio2换算计相对于fesicr粉末100wt％为1wt％的方式称量正硅酸乙酯，添加到在添加有fesicr的乙醇中进行搅拌。进而，以相对于fesicr粉末100wt％为0.1wt％的方式称量聚乙烯基吡咯烷酮，使其溶解于3.2g的纯水，滴加至添加有fesicr粉末的乙醇中。用60分钟搅拌混合，得到以sio2和聚乙烯基吡咯烷酮的复合被膜进行了绝缘处理的fesicr粉末。经绝缘处理的fesicr粉末使用mitsubishichemicalanalytech制的粉体电阻测定系统mcp-pd51型和hiresta-ux测定在施加4kn的压力时的粉体的体积电阻率，得到体积电阻率为5.2×10¹⁰ω·cm的经绝缘处理的fesicr粉末。将经绝缘处理的fesicr粉末与环氧树脂混合，以4t/cm²的压力使用模具，制作4mm×4mm×1mm的成型体。此外，同样地以4t/cm²的压力使用模具，制成内径4mm、外径9mm、厚度1mm环形圈。将成型体在180℃热固化30分钟而得到压粉磁芯。此外，同样地使环形圈也在180℃热固化30分钟。将环形圈和压粉磁芯由重量和尺寸测量密度，确认了两者为相同的密度。环形圈以rf阻抗分析仪(agilente4991a)测定6.78mhz时的导磁率，其结果为5的值。对于压粉磁芯，在以加工机形成卷芯部后，在压粉磁芯的底面以nicr溅射、nicu溅射形成端子电极。接下来，将经绝缘被覆的铜线卷绕于卷芯部，进行浸焊，从而得到感应系数为200nh的线圈部件。

(线圈部件的品质确认)

对所得的电感器在6.77mhz～6.78mhz的频率、dc电流0ma的条件下使用网络分析仪和外部电源将振幅电流外加至1arms，测定rac和q值。将压粉磁芯的组成和线圈部件的特性评价的结果示于表1。

实施例2～4

如表1所示，使用d50＝1.5μm、2μm、5μm的粉末，以sio2和聚乙烯基吡咯烷酮的复合被膜进行绝缘被覆，其体积电阻率分别为9.1×10¹⁰ω·cm、1.0×10¹¹ω·cm、5.0×10¹⁰ω·cm的粉末作为fesicr粉末，所形成的该压粉磁芯的导磁率分别为6、11、14，除此以外，通过与实施例1同样的方法制作线圈部件，进行同样的评价。将其结果示于表1。

实施例5、6

如表1所示，使用d50＝4μm、1.5μm的羰基铁粉，且以sio2和聚乙烯基吡咯烷酮的复合被膜进行绝缘被覆，其体积电阻率分别为2.0×10¹⁰ω·cm、4.6×10¹⁰ω·cm的粉末代替fesicr粉末，所形成的该压粉磁芯的导磁率分别为15、8，除此以外，通过与实施例1同样的方法制作线圈部件，进行同样的评价。将其结果示于表1。

实施例7

如表1所示，使用d50＝1.5μm的fepcsibnbcr的粉末，以sio2和聚乙烯基吡咯烷酮的复合被膜进行绝缘被覆，其体积电阻率为3.5×10¹¹ω·cm的粉末代替fesicr粉末，所形成的压粉磁芯的导磁率为5，除此以外，通过与实施例1同样的方法制作线圈部件，进行同样的评价。将其结果示于表1。

实施例8

如表1所示，使用d50＝4μm的羰基铁的粉末，以磷酸玻璃进行绝缘被覆，其体积电阻率为1.0×10⁷ω·cm的粉末代替fesicr粉末，所形成的压粉磁芯的导磁率为15，除此以外，通过与实施例1同样的方法制作线圈部件，进行同样的评价。将其结果示于表1。

比较例1

如表1所示，使用d50＝10μm的fesicr粉末，以sio2和聚乙烯基吡咯烷酮的复合被膜进行绝缘被覆，其体积电阻率为4.3×10¹⁰ω·cm的粉末代替fesicr粉末，所形成的压粉磁芯的导磁率为17，除此以外，通过与实施例1同样的方法制作线圈部件，进行同样的评价。将其结果示于表1。

比较例2

如表1所示，使用d50＝4μm的羰基铁的粉，不进行绝缘被覆，其体积电阻率为1.8×10⁰ω·cm的粉末代替fesicr粉末，所形成的压粉磁芯的导磁率为15，除此以外，通过与实施例1同样的方法制作线圈部件，进行同样的评价。将其结果示于表1。

比较例3

如表1所示，使用d50＝0.02μm的feco粉，以al2o3进行绝缘被覆，体积电阻率为3.0×10⁷ω·cm的粉末代替fesicr粉末，所形成的压粉磁芯的导磁率为2，除此以外，通过与实施例1同样的方法制作线圈部件，进行同样的评价。将其结果示于表1。

[表1]

这里，表1中，rac的上升率和q的下降率使用以下式算出。

rac上升率(％)＝(1arms的rac/0.1arms的rac)×100

q值下降率(％)＝(0.1arms的q值/1arms的q值)×100

如表1所示，通过采用使用d50为5μm以下且具有1.0×10⁷cm以上的体积电阻率的fe系金属磁性粉的磁芯、且导磁率为5以上的磁芯，即使在流过1arms这样的大的振幅的电流的情况下，也可以减小rac，并且可以抑制q值的下降。此外，通过使用d50为1μm～2μm的范围的fe系金属磁性粉，可以抑制将电流从0.1arms增大至1arms时的rac的上升。进而，通过使用d50为1μm～1.5μm的fe系金属磁性粉，可以抑制将电流从0.1arms增大至1arms时的q的下降率。此外，通过使用fesicr合金、fepcsibnbcr合金这样的含有fe、si和cr的合金，可以抑制初期rac。

产业上的可利用性

本发明的线圈部件即使在流过大的振幅的电流的情况下，也可以将rac抑制得较小，因此例如作为非接触供电所使用的磁场共振方式的电路中使用的线圈部件有用。

符号说明

1、12磁芯

1a卷芯部

1b凸缘部

2、11线圈导体

11a线圈导体卷绕端

11b线圈导体卷绕端

3、13端子电极

4被覆树脂