有机发光显示装置的制造方法与流程

本发明涉及有机发光显示技术领域，特别是涉及一种有机发光显示装置的制造方法。

背景技术：

随着科学技术及社会经济的发展，科技的进步正影响着社会的经济并改变着人们的生活方式。一般地，有机发光显示装置是包括有机发光设备(oled)的自发射型显示装置，并且oled包括空穴注入电极、电子注入电极和位于空穴注入电极与电子注入电极之间的有机发射层。在有机发光显示装置中，从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子在有机发射层中结合以生成激子，并且激子从激发态跃迁至基态并且产生光。

作为自发射型显示装置的有机发光显示装置不需要单独的光源。因此，有机发光显示装置能够在低压下操作，为轻薄型，并且包括高质量特征，例如，宽视角、高对比度和快速响应，因此，有机发光显示装置逐渐成为下一代显示装置，以呈现更为优质的显示效果。然而，从有机发光层发出的光束除了往上方向射出外，还有部分从横向方向射出，它们或者射到非像素区域形成异常亮点，或者射到别的像素发光区域影响像素视觉效果。

技术实现要素：

基于此，有必要针对有机发光层发出的光束对非像素区域形成异常亮点的技术问题，提供一种有机发光显示装置的制造方法。

一种有机发光显示装置的制造方法，该有机发光显示装置的制造方法包括：在基板上形成薄膜晶体管，所述基板包括像素区域及非像素区域；在所述薄膜晶体管上形成保护膜；在所述保护膜上顺序形成第一有机绝缘膜及阳极反射层，使所述第一有机绝缘膜或所述阳极反射层在所述非像素区域上的粗糙度大于在所述像素区域上的粗糙度；在所述阳极反射层上形成第二有机绝缘膜，所述第二有机绝缘膜具有第一开口，所述第一开口与所述像素区域相对应；在所述第二有机绝缘膜上形成有机发光层，所述有机发光层的面积大于所述第一开口的面积；在所述有机发光层上形成阴极层。

在其中一个实施例中，所述在所述保护膜上顺序形成第一有机绝缘膜及阳极反射层，使所述第一有机绝缘膜或所述阳极反射层在所述非像素区域上的粗糙度大于在所述像素区域上的粗糙度，包括：在所述保护膜上形成第一有机绝缘膜；对所述第一有机绝缘膜进行粗糙化处理，使所述第一有机绝缘膜在所述非像素区域上的粗糙度大于在所述像素区域上的粗糙度；在粗糙化处理后的第一有机绝缘膜上形成阳极反射层。

在其中一个实施例中，所述对所述第一有机绝缘膜进行粗糙化处理，包括：在所述第一有机绝缘膜上形成第一光刻胶图案，所述第一光刻胶图案覆盖所述像素区域并且具有与所述非像素区域相对应的第二开口；通入氧气对所述第一有机绝缘膜进行等离子表面处理，以使所述第一有机绝缘膜在所述非像素区域上的粗糙度大于在所述像素区域上的粗糙度；脱去所述第一光刻胶图案。

在其中一个实施例中，所述对所述第一有机绝缘膜进行粗糙化处理，包括：对所述保护膜及所述第一有机绝缘膜进行过孔刻蚀，形成通孔并使所述第一有机绝缘膜在所述非像素区域上的粗糙度大于在所述像素区域上的粗糙度，其中所述通孔暴露所述薄膜晶体管的漏极电极；所述在粗糙化处理后的第一有机绝缘膜上形成阳极反射层，为在具有所述通孔的所述保护膜及所述第一有机绝缘膜上形成阳极反射层，以使所述阳极反射层穿过所述通孔与所述薄膜晶体管的漏极电极接触。

在其中一个实施例中，所述对所述保护膜及所述第一有机绝缘膜进行过孔刻蚀，包括：在所述第一有机绝缘膜上形成通孔光刻胶图案，所述通孔光刻胶图案覆盖所述像素区域并且具有与所述非像素区域相对应的第三开口；对所述保护膜和所述第一有机绝缘膜进行过孔干法刻蚀，其中在所述过孔干法刻蚀前所述第一有机绝缘膜在对应于所述通孔的位置具有第四开口。

在其中一个实施例中，所述在所述保护膜上顺序形成第一有机绝缘膜及阳极反射层，使所述第一有机绝缘膜或所述阳极反射层在所述非像素区域上的粗糙度大于在所述像素区域上的粗糙度，包括：在所述保护膜上顺序形成第一有机绝缘膜和阳极反射层；在所述阳极反射层上形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案覆盖所述像素区域并且具有与所述非像素区域相对应的第三开口；对所述阳极反射层进行粗糙化刻蚀，在所述粗糙化刻蚀后脱去所述第二光刻胶图案。

在其中一个实施例中，所述对所述阳极反射层进行刻蚀，为：采用cl2、hbr及hi中的至少一种与预设气体的混合气体，对所述阳极反射层进行干法刻蚀；或者，采用草酸对所述阳极反射层进行湿法刻蚀

在其中一个实施例中，所述在基板上形成薄膜晶体管，包括：在基板上形成半导体层；在所述半导体层上形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成栅极电极；在所述栅极电极上形成层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上分别形成源极电极和漏极电极，从而形成薄膜晶体管。

在其中一个实施例中，所述在基板上形成薄膜晶体管，包括：在基板上顺序形成栅极及覆盖所述栅极的栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成半导体层；在所述半导体层上形成层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上分别形成源极电极和漏极电极，从而形成薄膜晶体管。

上述有机发光显示装置的制造方法，通过增加有机发光装置阳极非像素区域的粗糙度，减少非像素区域的镜面反射，减少了像素间的相互影响。

附图说明

图1为一个实施例中采用有机发光显示装置的制造方法形成的有机发光显示装置的结构示意图；

图2为一个实施例中有机发光显示装置的制造方法的步骤示意图；

图3为一个实施例中采用有机发光显示装置的制造方法形成的有机发光显示装置时的部分流程状态示意图；

图4为另一个实施例中采用有机发光显示装置的制造方法形成的有机发光显示装置时的部分流程状态示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

例如，一种有机发光显示装置的制造方法，包括：在基板上形成薄膜晶体管，所述基板包括像素区域及非像素区域；在所述薄膜晶体管上形成保护膜；在所述保护膜上顺序形成第一有机绝缘膜及阳极反射层，使所述第一有机绝缘膜或所述阳极反射层在所述非像素区域上的粗糙度大于在所述像素区域上的粗糙度；在所述阳极反射层上形成第二有机绝缘膜，所述第二有机绝缘膜具有第一开口，所述第一开口与所述像素区域相对应；在所述第二有机绝缘膜上形成有机发光层，所述有机发光层的面积大于所述第一开口的面积；在所述有机发光层上形成阴极层。

上述有机发光显示装置的制造方法，通过增加有机发光装置在非像素区域上的粗糙度，减少非像素区域的镜面反射，减少了像素间的相互影响。

请参阅图1，其为一个实施例中采用有机发光显示装置的制造方法形成的有机发光显示装置10的结构示意图，该有机发光显示装置包括基板100、薄膜晶体管110、保护膜120、第一有机绝缘膜130、阳极反射层140、第二有机绝缘膜150、有机发光层160以及阴极层170。薄膜晶体管110包括半导体层111、栅极绝缘膜112、栅极电极113、层间绝缘膜114以及源漏极电极115。

为了进一步理解采用上述的有机发光显示装置的制造方法形成的有机发光显示装置10，又一实施例中，请参阅图2，其为一个实施例中有机发光显示装置的制造方法20的步骤示意图，该有机发光显示装置的制造方法20包括：

步骤s201：在基板上形成薄膜晶体管，所述基板包括像素区域及非像素区域。

具体地，在基板上的像素区域内形成薄膜晶体管。例如，在基板的像素区域内形成顶栅结构的薄膜晶体管；又如，在基板的像素区域内形成底栅结构的薄膜晶体管。

作为一种实施方式，在基板上形成半导体层；在所述半导体层上形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成栅极电极；在所述栅极电极上形成层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上分别形成源极电极和漏极电极，从而形成顶栅结构的薄膜晶体管。例如，为了提升薄膜晶体管的性能，在形成半导体层之前，先在基板上形成缓冲层，在缓冲层上形成半导体层。

作为另一种实施方式，在基板上顺序形成栅极及覆盖栅极的栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成半导体层；在半导体层上形成层间绝缘层；在所述层间绝缘膜上分别形成源极电极和漏极电极，从而形成底栅结构的薄膜晶体管。例如，为了提升薄膜晶体管的性能，在形成栅极之前，先在基板上形成缓冲层，在缓冲层上制备栅极及覆盖栅极的栅极绝缘膜。

在本实施例中，基板也称绝缘基板，或者阵列基板。以顶栅结构的薄膜晶体管为例，半导体层可设置在基板上，并且采用无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅)或有机半导体。在示例性实施方式中，半导体层可包括氧化物半导体。在一个示例性实施中，例如，氧化物半导体可包括选自第12至14族金属元素的材料的氧化物，例如，锌(zn)、铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、镉(cd)、锗(ge)和铪(hf)及它们的组合的材料的氧化物。栅极绝缘膜设置在基板上，并且覆盖半导体层。栅极电极设置在栅极绝缘膜上。层间绝缘膜设置在栅极绝缘膜上，并且覆盖栅极电极。源漏极电极设置在层间绝缘膜上。层间绝缘膜设置有一个或多个接触孔，源漏极电极穿过该接触孔后与半导体层接触。

有机发光显示装置还可包括电容器，至少一个上述薄膜晶体管与电容器构成像素电路(未示出)，有机发光显示装置的每一像素区域内包括至少一像素电路。

步骤s202：在所述薄膜晶体管上形成保护膜。

具体的，保护膜覆盖整个薄膜晶体管上表面，例如覆盖源极电极、漏极电极以及层间绝缘膜。也就是说，保护膜具有足够的厚度以覆盖整个薄膜晶体管上表面，例如覆盖源极电极、漏极电极以及层间绝缘膜。

保护膜具有平整的上表面。保护膜可包括无机材料和/或有机材料。根据保护膜的材料，保护膜可通过狭缝涂布、溅射、cvd(chemicalvapordeposition，化学气相沉积)、原子层沉积(atomiclayerdeposition，ald)、pecvd(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，等离子体增强化学气相沉积)、hdp-cvd(高密度等离子化学气相沉积)、真空沉积等工艺形成。

步骤s203：在所述保护膜上顺序形成第一有机绝缘膜及阳极反射层，使所述第一有机绝缘膜或所述阳极反射层在所述非像素区域上的粗糙度大于在所述像素区域上的粗糙度。

具体的，第一有机绝缘膜可包括无机材料和/或有机材料。根据第一有机绝缘膜的材料，第一有机绝缘膜可通过使用旋涂、印刷、溅射、cvd、ald、pecvd、hdp-cvd、真空沉积等形成。第一有机绝缘膜和保护膜可由相同或相似的材料形成。第一有机绝缘膜可以是单层或多层结构。

作为一种实施方式，在保护膜上形成第一有机绝缘膜；对第一有机绝缘膜进行粗糙化处理，使第一有机绝缘膜在所述非像素区域上的粗糙度大于在所述像素区域上的粗糙度；在粗糙化处理后的第一有机绝缘膜上制备阳极反射层。

例如，对所述第一有机绝缘膜进行粗糙化处理，具体为：对所述第一有机绝缘膜与非像素区域相对的部分区域进行粗糙化处理，使得第一有机绝缘膜在非像素区域上的粗糙度大于在像素区域上的粗糙度。例如，对位于非像素区域上的第一有机绝缘膜进行等离子表面处理，使得第一有机绝缘膜在非像素区域上的粗糙度大于在像素区域上的粗糙度。

例如，制备保护膜后，对保护膜进行过孔刻蚀，形成贯穿保护膜的通孔，在具有通孔的保护膜上制备图形化的第一有机绝缘膜。例如，该图形化的第一有机绝缘膜在对应于通孔的位置具有开口。第一有机绝缘膜上的开口可在第一有机绝缘膜成膜后，通过黄光构图曝光显影工艺形成。此时，对所述第一有机绝缘膜进行粗糙化处理的一种实施方式是：完成阳极过孔刻蚀之后，先形成覆盖像素区域、在非像素区域具有开口的光刻胶(pr)图案，如图3所示，然后通氧气对开口部位的有机绝缘膜做等离子表面处理，形成在非像素区域上粗糙度较大的第一有机绝缘膜，再对pr脱膜。具体的，在所述第一有机绝缘膜上形成覆盖像素区域并且具有与非像素区域相对的第二开口的第一光刻胶图案；通入氧气对第一有机绝缘膜进行等离子表面处理，由于第一光刻胶图案遮挡了第一有机绝缘膜上对应于的像素区域的部分，使得在像素区域上的第一有机绝缘膜未与氧气反应，因此等离子表面处理之后第一有机绝缘膜在所述非像素区域上的粗糙度大于在所述像素区域上的粗糙度；脱去第一光刻胶图案。本实施例中，像素区域也是指有机发光层和阳极直接接触的区域。

又如，制备保护膜后、对保护膜进行过孔刻蚀之前，直接在保护膜上制备图形化的第一有机绝缘膜，该图形化的第一有机绝缘膜在对应于通孔的位置具有第四开口。此时，对所述第一有机绝缘膜进行粗糙化处理的另一种实施方式是：对所述保护膜及所述第一有机绝缘膜进行过孔刻蚀，形成通孔并使所述第一有机绝缘膜在所述非像素区域上的粗糙度大于在所述像素区域上的粗糙度，其中所述通孔暴露所述薄膜晶体管的漏极电极。也就是说，通过过孔刻蚀工艺同时实现过孔刻蚀及对第一有机绝缘膜的粗糙化处理。具体地，如图4所示，在所述第一有机绝缘膜上形成通孔光刻胶图案，所述通孔光刻胶图案覆盖所述像素区域并且具有与所述非像素区域相对应的第三开口；对所述保护膜和所述第一有机绝缘膜进行过孔干法刻蚀，其中在所述过孔干法刻蚀前所述第一有机绝缘膜在对应于所述通孔的位置具有第四开口。例如，第四开口可在第一有机绝缘膜成膜后，通过黄光构图曝光显影工艺形成。优选的，所述干法刻蚀中采用的气体为四氟化氮与氧气的混合气体，或者氟化合物及预设气体的混合气体。例如，所述预设气体包括氧气和氢气中至少一种。例如，所述预设气体为氧气，或者，所述预设气体为氢气，或者，所述预设气体为氧气与氢气的混合气体，或者，所述预设气体为氧气、氢气与其他气体的混合气体。

此时，所述在粗糙化处理后的第一有机绝缘膜上形成阳极反射层，为在具有所述通孔的所述保护膜及所述第一有机绝缘膜上形成阳极反射层，以使所述阳极反射层穿过所述通孔与所述薄膜晶体管的漏极电极接触。

作为另一种实施方式，在保护膜上形成第一有机绝缘膜，例如在过孔刻蚀后带有通孔的保护膜上形成图形化的第一有机绝缘膜，该图形化的第一有机绝缘膜在对应于通孔的位置具有开口。第一有机绝缘膜上的开口可在第一有机绝缘膜成膜后，通过黄光构图曝光显影工艺形成。此时，直接在第一有机绝缘膜上形成阳极反射层；对阳极反射层进行粗糙化处理，使得阳极反射层在所述非像素区域上的粗糙度大于在所述像素区域上的粗糙度。例如，在保护膜上顺序形成第一有机绝缘膜和阳极反射层；在所述阳极反射层上形成第二光刻胶图案，所述第二光刻胶图案覆盖所述像素区域并且具有与所述非像素区域相对应的第三开口；对所述阳极反射层进行粗糙化刻蚀，在粗糙化刻蚀后脱去所述第二光刻胶图案，得到在非像素区域上的粗糙度较大的阳极反射层，即阳极反射层在非像素区域上的粗糙度大于在像素区域上的粗糙度。

具体的，对所述阳极反射层进行粗糙化刻蚀，为采用cl2、hbr及hi中的至少一种与预设气体的混合气体，对所述阳极反射层进行干法刻蚀；或者，采用草酸对所述阳极反射层进行湿法刻蚀。这样可以有效地增大所述阳极反射层在非像素区域上的粗糙度。例如，所述预设气体包括氧气和氢气中至少一种。例如，所述预设其他为氧气，或者，所述预设气体为氢气，或者，所述预设气体为氧气与氢气的混合气体，或者，所述预设气体为氧气、氢气与其他气体的混合气体。

为了进一步地增大所述阳极反射层的粗糙度，优选的，在对所述阳极反射层进行粗糙化刻蚀之后，还在对应于所述非像素区域的所述阳极反射层上形成硫化银膜，即在阳极反射层与非像素区域相对应的区域上形成ag2s(硫化银)膜。优选的，硫化银膜采用六氟化硫的等离子体制备得到，这样可以有效地增大所述阳极反射层的粗糙度。

具体的，所述阳极反射层采用ito/ag/ito结构。

作为一种实施方式，为了将不同像素的阳极分隔开，或者说为了将阳极反射层划分为多个像素的阳极，在形成阳极反射层之后，还进行阳极图案刻蚀。阳极图案刻蚀指的是将非像素区域上的阳极反射层刻蚀掉一部分，使得不同像素的阳极分隔开来。例如，在粗糙化处理后的第一有机绝缘膜上形成阳极反射层之后，进行阳极图案刻蚀；又如，在形成阳极反射层并且对阳极反射层进行粗糙化刻蚀之后，进行阳极图案刻蚀。

步骤s204：在所述阳极反射层上形成第二有机绝缘膜，所述第二有机绝缘膜具有开口，所述开口与所述像素区域相对应。

具体的，在所述阳极反射层上形成第二有机绝缘膜；去除所述第二有机绝缘膜位于所述阳极反射层上的部分，形成所述开口，以暴露所述阳极反射层。例如，可采用刻蚀方法去除所述第二有机绝缘膜位于所述阳极反射层上的部分，形成所述开口。

步骤s205：在所述第二有机绝缘膜上形成有机发光层，所述有机发光层的面积大于所述第一开口的面积。

具体的，在第二有机绝缘膜上部形成比所述第二有机绝缘膜的开口面积大的有机发光层。所述有机发光层的面积大于所述第一开口的面积是指有机发光层覆盖整个第二有机绝缘膜上的第一开口。

步骤s206：在所述有机发光层上形成阴极层。

具体的，阴极层可通过使用溅射、真空沉积、cvd、pld、印刷、ald等工艺形成。在示例性实施方式中，阴极层可被设置为使得相同的电压被施加至所有像素。例如，阳极反射层140、有机发光层160以及阴极层170组成oled器件。例如，附加地在阴极层上形成保护层(未示出)。保护层可覆盖和保护oled(organiclight-emittingdiode，有机发光二极管)、薄膜晶体管、电容器等元器件。具体地，保护层可包括无机绝缘层和/或有机绝缘层，并且使用例如pecvd、apcvd和lpcvd的各种沉积方法形成。

需要说明的是，薄膜晶体管不限于上述的结构，并且可包括各种结构。本实施例中，薄膜晶体管为图所示的顶栅型薄膜晶体管，在其他实施例中，薄膜晶体管也可以为栅极电极设置在半导体层下方的底栅型薄膜晶体管。

本发明的优点在于：

解决了传统的从有机发光层发出的光束除了往上方向射出外，还有部分从横向方向射出技术问题，它们或者射到非像素区域形成异常亮点，或者射到别的像素发光区域影响像素视觉效果，通过有机发光显示装置的制造方法制造出来的有机发光显示装置，增加了有机发光装置阳极非像素区域的粗糙度，减少非像素区域的镜面反射，减少了像素间的相互影响。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。