技术特征：
技术总结
提供一种器件、结构和方法，由此使用插入层为周围介电层提供附加支撑。插入层可应用于两个介电层之间。一旦成型，沟槽和通孔形成在复合层内，并且插入层将有助于提供支撑，这将限制或者消除可能妨碍随后的工艺步骤(例如使用导电材料填充所述沟槽和通孔)的不期望的弯曲或其它结构性运动。本发明实施例还提供一种用于制造半导体结构的方法和一种半导体结构。
技术研发人员：周家政;纪志坚;柯忠祁;张耀仁;高承远;郭凯翔;施伯铮;李资良;阮俊亿
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.03.01
技术公布日：2017.09.12