一种硫掺杂碳材料及其制备方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明的目的是提供一种具有较高的放电比容量的硫掺杂碳材料，所述硫掺杂碳材料的碳层厚度为20‑300纳米，硫含量为3‑20wt％。同时，本发明还公开了上述硫掺杂碳材料的制备方法。本发明提供的硫掺杂碳材料具有较高的放电比容量。

技术研发人员：马建民;张丽兰;崔春雨;毛玉华;石桥
受保护的技术使用者：深圳新宙邦科技股份有限公司
技术研发日：2017.03.28
技术公布日：2017.09.29