技术特征：
技术总结
本发明公开了一种制备高性能半导体场效应晶体管器件的方法，该方法首先在半导体衬底上定义源极和漏极区域，对源极和漏极区域进行刻蚀，分别形成凹槽；通过常温或低温物理气相沉积在刻蚀好的凹槽中沉积半导体材料作为源极和漏极；其次通过激光退火使源极和漏极区域内沉积的半导体发生重结晶，形成源极和漏极p‑n结；最后沉积栅极绝缘层和金属栅极，形成半导体场效应晶体管器件。本发明方法通过常温/低温物理气相沉积技术，在半导体衬底刻蚀好的凹槽中沉积半导体材料作为源极和漏极，增大MOSFET器件中源漏p‑n结的掺杂浓度，减小源漏区域半导体沉积过程中的掺杂离子扩散。同时结合激光退火技术中激光脉冲时间极短的特点，抑制退火过程中掺杂离子的扩散。
技术研发人员：张睿;赵毅
受保护的技术使用者：浙江大学
技术研发日：2017.03.29
技术公布日：2017.08.11