技术特征：
技术总结
本发明提供一种存储器结构及其制造方法，该存储器结构包括基底、多个堆叠结构、至少一个隔离结构、第二导体层与第二介电层。堆叠结构设置于基底上。各个堆叠结构包括依序设置在基底上的第一介电层与第一导体层。在相邻两个堆叠结构之间具有第一开口，且第一开口延伸至基底中。隔离结构设置于第一开口中，且覆盖第一介电层的侧壁。在隔离结构中具有凹陷，而使得隔离结构的顶部轮廓为漏斗状。第二导体层设置于堆叠结构上，且填入第一开口中。第二介电层设置于第二导体层与第一导体层之间。上述存储器结构与其制造方法可有效地提高存储器元件的效能与可靠度。
技术研发人员：刘重显;陈俊旭;蒋汝平
受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司
技术研发日：2017.04.19
技术公布日：2018.11.02