技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，所述衬底具有第一开口和第二开口，以第一图形化层为掩膜，去除所述第二开口内的第二保护层和第一保护层，暴露出所述第二开口底部的第一栅氧层；去除所述第二开口底部的第一栅氧层和所述第一开口内的第二保护层暴露出所述第一开口底部的第一保护层；在所述第二开口底部形成第二栅氧层。所述形成方法能够避免出现光刻胶残留，同时也防止刻蚀工艺对于核心区的膜层损伤，从而提高半导体器件的沟道区质量，减少漏电流，提高半导体器件的性能和可靠性。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
技术研发日：2017.05.03
技术公布日：2018.11.13