技术特征：
技术总结
本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，首先形成一接触结构于一绝缘层内，其中接触结构包含一下半部设于绝缘层内以及一上半部设于部分下半部上方并延伸覆盖部分绝缘层。接着形成一介电层于下半部及上半部上，去除部分介电层以形成一第一开口暴露出部分上半部及部分下半部，之后再形成一电容于第一开口内并直接接触上半部及下半部。
技术研发人员：张峰溢;李甫哲
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
技术研发日：2017.05.17
技术公布日：2018.12.07