技术特征：
技术总结
本发明公开了一种沟槽栅超结器件，包括：超结结构的第二导电类型柱由填充于形成于第一导电类型外延层中的超结沟槽中的第二导电类型外延层组成；沟槽栅的栅极沟槽为通过对超结沟槽顶部的第二导电类型外延层进行回刻形成，使得栅极沟槽和超结沟槽呈自对准结构，沟槽栅和第二导电类型柱呈自对准结构，从而消除沟槽栅对超结结构的步进的影响。本发明还公开了一种沟槽栅超结器件的制造方法。本发明能缩小超结结构的步进尺寸，能节省一层栅极沟槽对应的光罩，从而能降低成本，能降低器件的正向导通电阻。
技术研发人员：范让萱;缪进征
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2017.05.27
技术公布日：2017.11.07