晶片的加工方法与流程

本发明涉及晶片的加工方法，通过所谓的等离子蚀刻将晶片分割成各个器件。

背景技术：

通过切割装置、激光加工装置等将由分割预定线划分而在半导体基板的正面形成有ic、lsi等多个器件的晶片分割成各个器件，分割得到的各个器件被应用在移动电话、个人计算机等电子设备中。

并且，作为能够使器件的抗弯强度提高并且将晶片一次分割成各个器件的生产性良好的分割方法，提出了等离子蚀刻的技术(例如，参照专利文献1。)。

专利文献1：日本特开2002-093752号公报

根据上述专利文献1所记载的等离子蚀刻的技术，虽然可以期待生产效率较高且分割得到的器件的抗弯强度良好的效果，但存在如下问题：在晶片的正面上将用于保护器件的抗蚀膜形成为均匀的厚度是比较困难的，当在所涂布的抗蚀膜(1～5μm)较薄的部分进行蚀刻时，器件会局部露出，器件的品质降低。并且，当在分割预定线上层叠了包含teg(测试元件组)的金属膜的情况下，还存在等离子蚀刻被遮蔽而无法利用等离子蚀刻进行分割的问题。

技术实现要素：

本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于，提供晶片的加工方法，能够不使器件的品质降低地执行等离子蚀刻。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供晶片的加工方法，将由分割预定线划分而在半导体基板的正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件，该器件在正面上层叠有钝化膜，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：半导体基板露出工序，将切削刀具定位于分割预定线而将层叠于分割预定线的钝化膜或金属膜去除，使半导体基板沿着分割预定线露出；以及分割工序，将覆盖该器件的钝化膜作为遮蔽膜而通过等离子蚀刻对沿着分割预定线露出的半导体基板进行分割。

通过sio2膜、si3n4膜以及聚酰亚胺膜中的任意的膜来形成该钝化膜，半导体基板是硅基板，将在等离子蚀刻中使用的气体设为氟系气体，能够通过以上方式来实施上述晶片的加工方法。

本发明的晶片的加工方法将由分割预定线划分而在半导体基板的正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件，该器件在正面上层叠有钝化膜，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：半导体基板露出工序，将切削刀具定位于分割预定线而将层叠于分割预定线的钝化膜或金属膜去除，使半导体基板沿着分割预定线露出；以及分割工序，将覆盖该器件的钝化膜作为遮蔽膜而通过等离子蚀刻对沿着分割预定线露出的半导体基板进行分割，由此，预先将执行等离子蚀刻时成为障碍的分割预定线上的钝化膜或包含teg而构成的金属膜去除而将层叠在器件的正面上的钝化膜作为等离子蚀刻时的遮蔽膜来进行利用，所以不需要形成较难均匀涂布的抗蚀膜(1～5μm)，也抑制了将该抗蚀膜作为遮蔽膜来实施等离子蚀刻时的品质的降低。

附图说明

图1的(a)和(b)是对在本发明的晶片加工方法中加工的晶片进行说明的说明图。

图2是用于对本发明的半导体基板露出工序进行说明的说明图。

图3的(a)和(b)是用于对为了实施本发明的分割工序而使用的等离子蚀刻装置的概略进行说明的说明图。

标号说明

10：晶片；10a：半导体基板；10b：半导体基板露出区域；10c：分割槽；12：分割预定线；14：器件；16：钝化膜；18：金属膜；20：切削装置；22：切削刀具；40：等离子蚀刻装置；41：气体提供部；42：腔；43：蚀刻气体提供单元；44：卡盘工作台；45：排气口；46：高频电源。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的晶片的加工方法的优选的实施方式进行详细地说明。

如图1所示，在本实施方式中加工的晶片10由半导体基板(硅基板)10a和形成在该半导体基板10a的正面侧的由多条分割预定线12划分出的区域内的器件14构成，进而，如在图1的(a)中局部放大剖视图所示的那样，在形成有该器件14的正面侧的整个区域内形成有钝化膜16(例如，二氧化硅膜(sio2))，该钝化膜16具有防止来自外部的污染或杂质等进入而保护器件14的作用。公知该钝化膜16是通过等离子cvd法层叠而形成的，这里省略了其详细的说明。另外，作为基于本发明的晶片的加工方法来加工的晶片，未必仅限于图1的(a)所示的方式，例如，也可以将在分割预定线12上不形成钝化膜而是形成有包含teg(测试元件组)的金属膜18的晶片作为对象(参照图1的(b)。)。

在准备了作为被加工物的该晶片10之后，实施半导体基板露出工序，使用图2所示的切割装置20(仅示出了一部分。)使半导体基板10a沿着分割预定线12露出。在切割装置20上具有通过未图示的旋转主轴来进行高速旋转的切削刀具22。作业者将准备好的晶片10的利用钝化膜16进行了包覆的正面侧朝上而载置在该切割装置20的保持单元24上，使未图示的吸引单元进行动作而进行吸引保持。

作业者在实施了对切割装置20的切削刀具22的位置与晶片10的分割预定线12的进行对位的对准之后，将切削刀具22定位在该分割预定线12的一端部，驱动旋转主轴而使切削刀具22旋转，使保持单元24在箭头x所示的方向上相对地移动而沿着分割预定线12进行切削。由此，如在图2中作为局部放大剖视图而示出的那样，沿着晶片10的分割预定线12执行切削加工以使得深度至少相当于钝化膜16(或金属膜18)的厚度(在本实施方式中为5μm)并且使晶片10的半导体基板10a露出。在切削刀具22到达分割预定线12的另一端部之后，使保持单元24适当移动、旋转而进行调整以使切削位置成为未加工的分割预定线12的位置，对全部的分割预定线12实施同样的切削加工，使半导体基板10a露出。由此，沿着分割预定线12将钝化膜16去除，或者在形成有包含teg的金属膜18的情况下，将该金属膜18去除，成为半导体基板10a沿着全部的分割预定线12露出的状态。

在如上述那样实施了半导体基板露出工序之后，实施分割工序，进行用于将晶片10分割成各个器件的等离子蚀刻。在该等离子蚀刻中例如能够使用在图3中简化示出的等离子蚀刻装置40。该等离子蚀刻装置40具有提供氟系气体的气体提供部41，在内部具有进行蚀刻处理的腔42。从气体提供部41向该腔42内例如提供sf6、c4f8来作为氟系气体。

如图所示，在进行等离子蚀刻的腔42的上部侧，配置有与气体提供部41连接的蚀刻气体提供单元43，在腔42的下部侧，配设有对作为要蚀刻的被加工物的晶片10进行保持的卡盘工作台44。

蚀刻气体提供单元43在内部具有气体流通路径43a，具有借助由多孔部件形成的下表面43b朝向保持在卡盘工作台44上的晶片10的露出面侧(形成有器件14的一侧。)提供蚀刻气体的功能。进而，蚀刻气体提供单元43在腔42内部被未图示的移动单元驱动而构成为上下自由升降。

另一方面，卡盘工作台44的轴部被腔42支承为能够转动，未图示的吸引源借助吸引路径44a而与构成为具有通气性的上表面44b连接。在腔42的底部具有与未图示的气体排出部连接的排气口45，排气口45起到了对腔内进行减压或将使用完的气体排出的功能。并且，高频电源46与蚀刻气体提供单元43、卡盘工作台44连接，能够通过提供高频电压而使腔42内的蚀刻气体等离子化。本实施方式的等离子蚀刻装置40大致如以上那样构成，以下对由等离子蚀刻装置40执行的分割工序进行说明。

首先，借助具有粘合性和挠性的保护带t将实施了半导体基板露出工序的晶片10保持在框架f上。该晶片10从未图示的腔42的搬入搬出口被搬入到腔42内。搬入到腔42内的晶片10在蚀刻加工中将形成有作为遮蔽膜而发挥功能的钝化膜16的正面侧朝向上方而载置并吸引固定在卡盘工作台44上。在晶片10载置在卡盘工作台44上之后，使腔42成为密闭空间，然后将内部空气排出而进行减压。

在腔42内减压之后，一边通过未图示的移动单元使蚀刻气体提供单元43下降而对其与晶片10之间的距离进行调整，一边使蚀刻气体(sf6)从气体提供部41借助蚀刻气体提供单元43向腔42内喷出，并且使高频电源46进行动作而对蚀刻气体提供单元43与卡盘工作台44之间施加高频电压，使提供到腔42内的蚀刻气体(sf6)等离子化。然后，借助等离子的蚀刻效果，对晶片10的正面中的被去除了钝化膜16(或金属膜18)的半导体基板露出区域10b的底部按照规定的时间进行蚀刻。在以这种方式将半导体露出区域10b的底部削去规定的量之后，将接下来从气体提供部41提供的蚀刻气体切换成另一种蚀刻气体即c4f8，使高频电源进行动作而使新提供的蚀刻气体等离子化。由此半导体基板露出区域10b的底壁被削刮，并且在侧壁依次形成通过等离子聚合而层叠的保护膜。之后，以同样的方式一边重复进行sf6、c4f8的提供一边进行蚀刻。通过以这种方式执行10～15分钟蚀刻，形成如在图3的(b)中概略剖视图所示那样的因执行各向异性蚀刻而朝向下方垂直延伸的良好的分割槽10c。然后，仅按照半导体基板10a的厚度进行蚀刻，由此，晶片10被分割成各个器件14，分割工序完成。另外，该等离子蚀刻方法作为bosch工艺而被广泛熟知，图示的等离子蚀刻装置是概略图，省略了其他的结构。

在通过该分割工序沿着全部的分割预定线12形成了分割槽之后，将保持着该晶片10的框架f移送到未图示的拾取工序。然后，通过使保护带t沿径向扩展的未图示的扩展单元对该保护带进行扩展，能够容易地对各个分割得到的器件14进行拾取。

基于本发明的晶片的加工方法通过上述的实施方式来实施，但本发明并不仅限于此。在本实施方式中，采用了硅来作为半导体基板的材料，但并不仅限于此，能够采用砷化镓(gaas)等其他的半导体基板。

并且，作为本实施方式，采用了二氧化硅膜(sio2)来作为钝化膜16，但并不仅限于此，能够选择聚酰亚胺膜、氮化硅膜(si3n4)。进而，在本实施方式的等离子蚀刻中，通过交替地提供sf6、c4f8的作为所谓的bosch工艺而熟知的蚀刻方法来执行分割工序，但并不仅限于此，也能够采用熟知的其他的等离子蚀刻法。在执行等离子蚀刻时，优先选择成为各向异性蚀刻的蚀刻条件，对半导体基板10a的厚度(例如，200～300μm)和作为发挥遮蔽膜功能的钝化膜16的部件而选择的膜材料的蚀刻率的比(例如，si：sio2膜＝700：1，si：聚酰亚胺膜、si：氮化硅膜(si3n4)＝100：1等)加以考虑，选择出在半导体基板10a被分割之前作为遮蔽膜而发挥功能的钝化膜厚(例如，1～5μm)，从而能够对蚀刻条件进行适当调整。另外，由于等离子蚀刻是公知的技术，所以在此省略了详细的说明。