技术特征：
技术总结
本发明提供晶片的加工方法，能够不使器件的品质降低地执行等离子蚀刻。根据本发明，提供晶片的加工方法，将由分割预定线划分而在半导体基板的正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件，该器件在正面上层叠有钝化膜，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：半导体基板露出工序，将切削刀具定位于分割预定线而将层叠于分割预定线的钝化膜或金属膜去除，使半导体基板沿着分割预定线露出；以及分割工序，将覆盖该器件的钝化膜作为遮蔽膜而通过等离子蚀刻对沿着分割预定线露出的半导体基板进行分割。
技术研发人员：田渕智隆
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：2017.06.28
技术公布日：2018.01.12