技术特征：
技术总结
本发明涉及一种氧化锡基薄膜压敏电阻器的制备方法，属于电子信息材料制备及其应用技术领域。本发明技术首先在射频磁控溅射设备中，以烧结氧化锡陶瓷为基质靶材，其他金属或其氧化物为掺杂靶材，在优化的溅射工艺下，在导电衬底上沉积得到氧化锡基薄膜；然后在马弗炉中，将这种氧化锡基薄膜样品埋在压敏特性形成氧化物粉末中进行热浸；最后，在所得样品的薄膜表面和衬底上分别被电极，即获得所述氧化锡基薄膜压敏电阻器。所制备的这种氧化锡基薄膜压敏电阻非线性性能优异，压敏电压可控，在大规模或超大规模集成电路的过压保护中有广泛的应用前景。所提出器件制备方法，操作简单易行，非常适合规模化生产。
技术研发人员：彭志坚;王琪;王杨;符秀丽
受保护的技术使用者：中国地质大学（北京）
技术研发日：2017.06.28
技术公布日：2017.10.24