技术特征：
技术总结
本发明提供了一种背照式雪崩光敏器件及其制备方法，背照式雪崩光敏器件包括：位于硅衬底上的MOS管和PIN结构；PIN结构包括：位于硅衬底的部分正面的N+层；位于硅衬底的整个背面的P+层；位于N+层和P+层之间的硅衬底，作为I层；位于硅衬底的部分正面的MOS管的栅极、源极和漏极；P+层与MOS管的源极或漏极相连接；位于PIN结构中的N+层作为PIN结构与MOS管共享源极或共享漏极；并且，通过离子注入形成N+层和P+层，从而提高了背面的P+层的表面积，在从硅片背面进行光照时，由于硅片背面的光敏器件的表面积得到的光照得到提高，从而提高了器件的灵敏度。
技术研发人员：康晓旭
受保护的技术使用者：上海集成电路研发中心有限公司
技术研发日：2017.06.30
技术公布日：2017.11.24