技术特征：
技术总结
本公开提供一种薄膜晶体管。薄膜晶体管包含栅极、半导体层、栅极介电层、第一介电层、源极、以及漏极。栅极设置于基板上。半导体层设置于基板上，且半导体层重叠于栅极。栅极介电层设置于栅极与半导体层间。第一介电层设置于基板上，第一介电层包覆栅极或半导体层的两侧边，第一介电层的介电常数小于栅极介电层的介电常数，且第一介电层的介电常数小于4。源极与漏极设置于基板上，且源极与漏极分隔且分别接触半导体层。本公开提供的薄膜晶体管可以应用于柔性的光电装置中并能维持电性性质，同时，在制程上不会增加掩模数，成本不会大幅增加。
技术研发人员：孙硕阳;梁育馨;黄婉真;郑君丞
受保护的技术使用者：友达光电股份有限公司
技术研发日：2017.07.18
技术公布日：2017.11.21