技术特征：
技术总结
本发明公开了一种聚吡咯/聚苯胺双壁纳米管电极的制备方法及其应用，该聚吡咯/聚苯胺双壁纳米管电极以聚吡咯/聚苯胺双壁纳米管电极，以聚吡咯纳米管为“种子”，在其表面电化学沉积生长聚苯胺。聚吡咯纳米管的直径为100～180nm，长度为1.5～2.5μm，聚苯胺包覆层的厚度为10～18nm。本发明降低了实验成本，操作方法简便，得到的改性电极有优异的电化学性能，在超级电容器电极材料方面有广阔的应用前景，利用导电聚合物及包覆层结构的优势，提高聚吡咯材料的稳定性，提高了电极材料的电化学性能。
技术研发人员：许鑫华;张丽芳;王文静;程杰
受保护的技术使用者：天津大学
技术研发日：2017.07.31
技术公布日：2019.02.12