本发明涉及芯片技术领域，尤其涉及一种芯片的转移方法。
背景技术：
随着信息产业的迅猛发展，电子产品的应用越来越广泛，其需求量也日益增加。芯片之类的微小电子元器件作为电子产品的最小单位，是电子产品制造和应用的基础。
目前，micro-led可能成为下一代显示技术的新应用；智能手机、可穿戴装置、电视屏幕、车用显示器、公共显示器包括户外超大屏幕都是micro-led的未来发展趋势。所谓的micro-led即led微缩技术，是将传统led阵列化、微缩化后定址巨量转移到电路基板上，形成超小间距led，将毫米级别的led长度进一步微缩到微米级，以达到超高像素、超高解析率，理论上能够适应各种尺寸屏幕的技术。但随之而来的问题是微米级芯片尺寸太小，导致芯片贴装效率低，这已经成为制约micro-led技术发展的技术瓶颈，因此实现微米级芯片的巨量转移、高效贴装仍然是本领域亟需解决的技术难题之一。因此针对微米级芯片尺寸太小，芯片贴装效率低的问题，本发明提供了一种微型芯片的转移方法。
技术实现要素：
本发明解决的技术问题在于提供一种芯片的转移方法，本申请提供的芯片的转移方法可用于微型芯片的转移，以提高微型芯片的转移效率。
有鉴于此，本申请提供了一种芯片的转移方法，包括以下步骤：
在晶圆芯片的凸点背面沉积含有磁性材料的有机材料层；
将导电杆接通正向电流，利用导电杆头部镀有的软磁材料与所述有机材料层相反的磁性，使导电杆与所述晶圆芯片吸附；
将所述晶圆芯片倒装焊接后，将导电杆接通反向电流使导电杆与晶圆芯片脱离。
优选的，所述有机材料层的有机材料为有机硅树脂或环氧树脂，透光率在95％以上。
优选的，所述有机材料层中的磁性材料为镍基合金或铁氧体材料，含量小于5wt％。
优选的，所述软磁材料为feni(mo)、fesi、feal、fesial、羰基铁或铁氧体。
优选的，所述有机材料层的厚度为0.001mm～0.01mm。
优选的，所述导电杆头部的尺寸小于等于晶圆芯片的尺寸。
本申请提供了一种芯片的转移方法，其首先在晶圆芯片的凸点背面沉积含有磁性材料的有机材料层，将导电杆接通正向电流，利用导电杆头部的软磁材料与有机材料层相反的磁性实现导电杆与晶圆芯片的吸附，在晶圆芯片倒装焊接后，导电杆通反向电流实现与晶圆芯片的脱离。上述芯片的转移方法，在导电杆接通正向电流与反向电流后，利用导电杆头部的软磁材料通电后易磁化和退磁的特性，实现了芯片的有效转移，解决了微米级芯片由于尺寸小带来的转移困难的问题，提高了芯片转移的效率。
附图说明
图1为本发明芯片转移方法示意图。
具体实施方式
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。
针对微米级芯片尺寸太小，芯片贴装效率低的问题，本发明提供了一种芯片的转移方法，主要针对微米级芯片的转移，本申请提供的芯片转移方法可实现芯片的高效率转移，具体的，所述芯片的转移方法，包括以下步骤：
在晶圆芯片的凸点背面沉积含有磁性材料的有机材料层；
将导电杆接通正向电流，利用导电杆头部镀有的软磁材料与所述有机材料层相反的磁性使导电杆与所述晶圆芯片的吸附转移；
将所述晶圆芯片倒装焊接后，将导电杆接通反向电流使导电杆与芯片脱离。
如图1所示，图1为本发明芯片转移方法的流程示意图，其包括：晶圆芯片凸点背面沉积一层透明的有机材料-导电杆通电对芯片进行吸附转移-对上述芯片进行倒装回流焊-导电杆通反向电流使导电杆头与芯片脱离。具体的，本申请在芯片转移倒装键合的方法中，首先在晶圆芯片凸点背面沉积了一层有机材料层；本申请中所述晶圆芯片为本领域技术人员熟知的晶圆芯片，对其来源本申请没有特别的限制。所述有机材料层中含有微量的磁性材料，在本申请中所述磁性材料为镍基合金和铁氧体材料，更具体为alni(co)、fecr(co)、fecrmo、fealc、feco(v)(w)、ptco或mnalc等粉料；所述磁性材料的含量小于5wt％；所述有机材料层的有机材料为本领域技术人员熟知的，示例的，所述有机材料层中的有机材料为有机硅树脂或环氧树脂；发光芯片的凸点背面是发光面，因此对于发光芯片而言，发光芯片凸点背面的有机材料层的透光率需要达到95％以上，以保证芯片的发光不受太大影响。所述有机材料层的厚度为0.001～0.01mm，该范围内的厚度以减小有机材料层对发光芯片发光质量的影响。晶圆芯片的尺寸不进行特别的限定，即本申请的晶圆芯片的尺寸可以为任意的，但是本申请提供的转移方法特别针对目前因尺寸太小而无法实现批量转移的微米级芯片。
按照本发明，将导电杆接通正向电流，使导电杆与所述晶圆芯片吸附，上述方式实现导电杆与晶圆芯片的吸附是利用了导电杆头部镀有软磁材料，在导电杆接通正向电流后导电杆表面的软磁材料磁化后的磁性与有机材料层的磁性材料的磁性相反，因此导电杆通正向电流可使导电杆的头部与芯片吸附。为了有效提供芯片的转移效率，可以在一个装置上安装多个导电杆。为了便于芯片的脱离，所述导电杆头部的尺寸小于等于晶圆芯片的尺寸。示例的，所述导电杆的软磁材料具体为feni(mo)、fesi、feal、fesial、羰基铁或铁氧体等粉体。
在芯片倒装焊接后，本申请最后将导电杆接通反向电流使导电杆与芯片脱离。上述芯片倒装焊接的过程为本领域技术人员熟知的，对此本申请没有特别的限制，在芯片倒装焊接后，即将导电杆接通反向电流，使导电杆与芯片为相同的磁性，由此实现芯片与导电杆的脱离。
本申请提供的芯片的转移方法可用于微型芯片的转移，解决了微型芯片由于尺寸小带来的转移困难的问题，提高了芯片的转移效率。
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明提供的芯片的转移方法进行详细说明，本发明的保护范围不受以下实施例的限制。
实施例1
在晶圆芯片的凸点背面沉淀一层厚度为0.005mm的有机材料层，有机材料层中包括fecrmo磁性材料与有机硅树脂，其中fecrmo磁性材料的总含量为2wt％；
在芯片转移装置上间隔设置导电杆，导电杆的头部镀有feni(mo)软磁材料，将导电杆通正向电流后导电杆与晶圆芯片相吸附；
将晶圆芯片倒装焊接，再将导电杆通反向电流使导电杆头与芯片脱离。
实施例2
在晶圆芯片的凸点背面沉淀一层厚度为0.01mm的有机材料层，有机材料层中包括fealc磁性材料与环氧树脂，其中fealc磁性材料的总含量为5wt％；
在芯片转移装置上间隔设置导电杆，导电杆的头部镀有fesial软磁材料，将导电杆通正向电流后导电杆与晶圆芯片相吸附；
将晶圆芯片倒装焊接，再将导电杆通反向电流使导电杆头与芯片脱离。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。