晶圆退火装置的制作方法

本发明涉及半导体制造设备技术领域，具体涉及一种晶圆退火装置。

背景技术：

离子注入会对晶圆的表面造成损伤，使硅原子离开晶格位置而导致晶格无序。因此，需要利用快速高温退火工艺(rapidthermalprocess,rtp)对离子注入后的晶圆进行修复。

现有技术中，通常利用退火装置对晶圆进行快速高温退火工艺。具体的，退火装置具有工艺腔室，工艺腔室内设有加热灯泡。进行退火工艺时，将晶圆设置在工艺腔室中，加热灯泡发光照射晶圆，对晶圆进行加热；通过控制加热灯泡的功率大小，能够改变加热灯泡所散发的温度，从而实现对晶圆的快速升温和降温，完成退火工艺，使晶格位置能够有序排列，从而使晶圆具有较好的品质。

由于退火过程中，需要在较大温度范围内改变晶圆的温度，因而需要在较大温度范围内改变加热灯泡所散发的温度，当加热灯泡的温度变化范围较大时，容易导致加热灯泡损坏，降低加热灯泡的使用寿命。

技术实现要素：

本发明解决的问题是现有技术退火装置的工艺腔室中加热灯泡的温度变化范围较大，容易损坏，降低使用寿命。

为解决上述问题，本发明提供一种晶圆退火装置，包括：预热腔室和工艺腔室；传输平台，所述预热腔室、工艺腔室沿所述传输平台的周向固定设置于所述传输平台；第一传输机构，固定设置于所述传输平台，适于将晶圆从所述预热腔室传送至所述工艺腔室。

可选的，所述预热腔室与所述工艺腔室一一对应设置；或，多个所述预热腔室对应一个所述工艺腔室；或，一个所述预热腔室对应多个所述工艺腔室。

可选的，所述预热腔室包括至少一级预热腔室、二级预热腔室，所述第一传输机构适于将晶圆从一级预热腔室依次传送至二级预热腔室、工艺腔室。

可选的，所述晶圆退火装置还包括冷却腔室，所述预热腔室、工艺腔室和冷却腔室沿所述周向固定设置于所述传输平台。

可选的，所述晶圆退火装置还包括晶圆储藏室和第二传输机构，所述第二传输机构设置在晶圆储藏室和冷却腔室之间。

可选的，所述第一传输机构为机械手臂或设置于所述预热腔室、工艺腔室和冷却腔室之间的导轨；和/或，所述第二传输机构为机械手臂或设置于所述晶圆储藏室和冷却腔室之间的导轨。

可选的，所述晶圆储藏室至少为两个；和/或，所述冷却腔室至少为两个。

可选的，所述预热腔室内固定设有加热灯泡或加热炉管，和/或，所述工艺腔室内固定设有加热灯泡或加热炉管。

可选的，所述预热腔室包括顶盖，所述加热灯泡固定设置于所述顶盖。

可选的，所述预热腔室还包括气流通道，适于流通保护气体。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

所述的晶圆退火装置，通过设置预热腔室，预热腔室能够对晶圆进行预热。经过预热的晶圆具有相对较高的温度，当将相对温度较高的晶圆放置于工艺腔室中进一步进行加热时，晶圆在工艺腔室中的温度变化范围相对较小，从而使得工艺腔室中加热灯泡的温度变化范围较小，降低加热灯泡损坏的概率，提高加热灯泡的使用寿命。

进一步的，通过设置多个预热腔室，使多个预热腔室对应一个工艺腔室。当预热所花费的时间大于退火所花费的时间时，通过同时在多个预热腔室中预热多块晶圆，然后将预热后的晶圆先后传送至对应的工艺腔室中，则能够充分利用工艺腔室，提高退火效率，提升生产节奏。

进一步的，通过设置多个工艺腔室，使一个预热腔室对应多个工艺腔室。当预热所花费的时间小于退火所花费的时间时，通过先后在多个预热腔室中预热多块晶圆，然后将预热后的不同的晶圆传送至不同的工艺腔室中，则能够充分利用预热腔室，提高退火效率，提升生产节奏。

进一步的，通过设置多级预热腔室，当晶圆在退火之前需要进行多次预热时，先后在不同级别的预热腔室中预热晶圆。不同级别中预热腔室的数量可以根据晶圆在不同级别下的预热时间进行设置，从而能够提高退火效率。

附图说明

图1是本发明第一实施例退火装置的结构示意图；

图2是图1所示退火装置中传输平台、冷却腔室的立体结构图；

图3是本发明第一实施例退火装置中的预热腔的结构示意图；

图4是图3所示加热灯泡在顶盖上的分布图；

图5是本发明第二实施例退火装置的结构示意图；

图6是本发明第三实施例退火装置的结构示意图；

图7是本发明第四实施例退火装置的结构示意图；

图8是本发明快速高温退火工艺中尖峰式退火工艺的加热曲线图；

图9是本发明快速高温退火工艺中浸入式退火工艺的加热曲线图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

第一实施例

参照图1、图2，一种晶圆退火装置，包括传输平台m、预热腔室a、工艺腔室b和冷却腔室c(图2中未显示预热腔室a和工艺腔室b)，所述预热腔室a、工艺腔室b和冷却腔室c沿所述传输平台m的周向固定设置于所述传输平台m。其中，晶圆退火装置包括三个预热腔室a、三个工艺腔室b和两个冷却腔室c，分别为预热腔室a1、预热腔室a2、预热腔室a3、工艺腔室b1、工艺腔室b2、工艺腔室b3和冷却腔室c1、冷却腔室c2。

晶圆退火装置还包括三个晶圆储藏室d和两个传输机构，分别为晶圆储藏室d1、晶圆储藏室d2、晶圆储藏室d3和第一传输机构j1、第二传输机构j2。其中，第一传输机构j1固定设置于所述传输平台m，用于将晶圆依次在冷却腔室c、预热腔室a和工艺腔室b之间循环传递。第二传输机构j2固定设置在所述冷却腔室c和晶圆储藏室d之间，用于将晶圆储藏室d中的晶圆传递至冷却腔室c，或将冷却腔室c中的晶圆传递至晶圆储藏室d。

如图2所示，晶圆退火装置还包括支撑架n，支撑架n用于固定支撑所述传输平台m。

本实施例中，所述预热腔室a和工艺腔室b一一对应设置。

具体的，预热腔室a1对应工艺腔室b1，第一传输机构j1传递晶圆的过程依次为：冷却腔室c、预热腔室a1、工艺腔室b1，最后传回冷却腔室c。

预热腔室a2对应工艺腔室b2，第一传输机构j1传递晶圆的过程依次为：冷却腔室c、预热腔室a2、工艺腔室b2，最后传回冷却腔室c。

预热腔室a3对应工艺腔室b3，第一传输机构j1传递晶圆的过程依次为：冷却腔室c、预热腔室a3、工艺腔室b3，最后传回冷却腔室c。

在对晶圆进行退火工艺流程中，待退火的晶圆放置在任一个晶圆储藏室d中，第二传输机构j2先将晶圆从晶圆储藏室d中取出，并放置在冷却腔室c内；第一传输机构j1将晶圆从冷却腔室c中取出，并放置在预热腔室a内，进行预热；之后第一传输机构j1再将晶圆从预热腔室a中取出，并放置在对应的工艺腔室b内，进行退火。待晶圆退火完成后，第一传输机构j1将晶圆从工艺腔室b中取出，并重新放置在冷却腔室c内，进行冷却；最后，第二传输机构j2将冷却后的晶圆从冷却腔室c中取出，重新放置于晶圆储藏室d内。完成整个退火工艺流程。

半导体技术领域中，快速高温退火工艺(rtp)一般包括：尖峰式退火工艺(spikingannealing)和浸入式退火工艺(soakannealing)，根据不同的晶圆以及不同的工艺要求选择不同的退火方式。

参照图8，具体为高温退火工艺中尖峰式退火工艺的加热曲线图。其中，退火工艺包括第一阶段和第二阶段。在第一阶段，将晶圆的温度从t0加热至t1，并在t1温度下保持一段时间；在第二阶段，将晶圆的温度从t1加热至t2，并在达到t2温度后降温，完成退火。

参照图9，具体为高温退火工艺中浸入式退火工艺的加热曲线图。其中，退火工艺包括第一阶段和第二阶段。在第一阶段，将晶圆的温度从t0加热至t1，并在t1温度下保持一段时间；在第二阶段，将晶圆的温度从t1加热至t2，并在t2温度下保持一段时间，然后降温，完成退火。

现有技术中，将晶圆的温度从t0加热至t1，从t1加热至t2的过程，均在工艺腔室中进行，也就是说，工艺腔室中加热灯泡的温度变化范围需要在t0－t2之间，而加热灯泡的温度变化范围越大，则越容易导致加热灯泡的损坏，降低其使用寿命。

本实施例中，晶圆退火装置包括预热腔室a，在将晶圆放入工艺腔室b进行退火之前，预热腔室a可以将晶圆的温度从t0加热至t1；当将晶圆的温度加热至t1时，再利用第一传输机构j1将预热腔室a中的晶圆取出，并放置于对应的工艺腔室b内，工艺腔室b将晶圆的温度从t1加热至t2。即，第一阶段在预热腔室a中进行，第二阶段在工艺腔室b中进行。

也就是说，工艺腔室b中的加热灯泡的温度变化范围在t1－t2之间，相较于现有技术，工艺腔室b中的加热灯泡的温度变化范围较小，因而不容易损坏，能够提高加热灯泡的使用寿命。

在一种具体的尖峰式退火工艺中，t0为常温下的温度(约20℃)，t1约为550℃，t2约为1100℃。现有技术中工艺腔室内加热灯泡的温度变化范围需要在约20℃－1100℃之间。采用本实施例中的退火装置，其工艺腔室b内加热灯泡的温度变化范围在约550℃－1100℃之间，能够较大程度上减小加热灯泡的温度变化范围较小，提高使用寿命。

在一种具体的浸入式退火工艺中，t0为常温下的温度(约20℃)，t1约为500℃，t2约为1050℃。现有技术中工艺腔室内加热灯泡的温度变化范围需要在约20℃－1050℃之间。采用本实施例中的退火装置，其工艺腔室b内加热灯泡的温度变化范围在约500℃－1050℃之间，能够较大程度上减小加热灯泡的温度变化范围较小，提高使用寿命。

需要说明的是，对于不同的晶圆以及不同的目的，在尖峰式退火工艺中，或浸入式退火工艺中，t0、t1、t2的具体温度数值会发生变化，但不影响本技术方案的实施。

本实施例中，通过在所述传输平台m固定设置三个预热腔室a和三个工艺腔室b，因而能够在同一传输平台m同时对三块晶圆分别进行退火处理，增加传输平台m的利用率。在其他实施例中，预热腔室a和工艺腔室b的数量可以根据具体的需求进行设置，本技术方案不对预热腔室a和工艺腔室b的具体数量做出限定。

另外，通过设置两个冷却腔室c，从而能够同时对两块晶圆进行冷却，提升对晶圆的冷却效率。但是，在其他变形例中，冷却腔室c的数量也可以根据具体的需求进行设置，不对冷却腔室c的具体数量做出限定。

通过设置三个晶圆储藏室d，使得晶圆储藏室d能够存储更多的晶圆。第二传输机构j2能够从晶圆储藏室d1、晶圆储藏室d2和晶圆储藏室d3中的任一个中提取晶圆，有利于自动控制，节约人力成本。但是，在其他变形例中，晶圆储藏室d的数量也可以根据具体的需求进行设置，不对晶圆储藏室d的具体数量做出限定。

本实施例中，第一传输机构j1的作用在于：将晶圆从冷却腔室c依次传送至预热腔室a、工艺腔室b和冷却腔室c。第一传输机构j1具体可以是机械手臂，利用机械手臂传送晶圆；也可以是设置在预热腔室a、工艺腔室b和冷却腔室c之间的导轨，利用导轨传送晶圆。

同样的，第二传输机构j2具体可以是机械手臂，利用机械手臂传送晶圆；也可以是设置在冷却腔室c和晶圆储藏室d之间的导轨，利用导轨传送晶圆。

参照图3，所述预热腔室a具有托盘10和顶盖20，托盘10适于放置晶圆aa。顶盖20设有加热灯泡21，加热灯泡21与托盘10相对设置，能够发光照射位于托盘10上的晶圆aa，以对晶圆aa进行加热。

也就是说，在预热腔室a中，也通过加热灯泡对晶圆进行预热，在此过程中，加热灯泡的温度变化范围在t0－t1之间，相对现有技术工艺腔室中的加热灯泡的温度变化范围小，同样不容易损坏。

具体的，如图4所示，加热灯泡21为多个，均匀的分布于顶盖20，从而能够均匀的照射晶圆，使晶圆能够均匀的升温。

需要说明的是，在其他变形例中，还可以在预热腔室a中设置加热炉管以对晶圆进行加热，也可以在工艺腔室b中设置加热炉管以对晶圆进行加热。不影响本技术方案的实施。

继续参照图3，如箭头所示，所述预热腔室a还包括气流通道30，适于流通保护气体，保护气体用于保护晶圆aa，避免在加热过程中，晶圆aa与其他气体之间发生反应。其中，保护气体可以采用氮气、氩气或者其他的惰性气体。

继续参照图1，以预热腔室a1、工艺腔室b1、冷却腔室c1和晶圆储藏室d1为例，说明晶圆退火装置的工作方式：

将多块晶圆放置于晶圆储藏室d1内。开启晶圆退火装置，第二传输机构j2将晶圆储藏室d1中的一块待退火的晶圆传送至冷却腔室c1中；之后，第一传输机构j1将冷却腔室c1中的晶圆传送至预热腔室a1中，晶圆在预热腔室a1中被加热。待晶圆被加热至t1温度时，第一传输机构j1将晶圆传送至工艺腔室b1中，进行退火处理；待晶圆完成退火工艺后，第一传输机构j1将晶圆从工艺腔室b1中取出，并传送回冷却腔室c1。

待晶圆在冷却腔室c1中冷却后，第二传输机构j2将晶圆重新传送回晶圆储藏室d1或其他适于放置晶圆的托盘。此时，第二传输机构j2可以将晶圆储藏室d1中的另一块待退火的晶圆传送至冷却腔室c1中，进行退火处理。往复循环，以实现对晶圆储藏室d1中的多块晶圆进行退火处理。

第二实施例

参照图5，本实施例与第一实施例的不同之处在于，晶圆退火装置包括四个预热腔室a、两个工艺腔室b，分别为预热腔室a1、预热腔室a2、预热腔室a3、预热腔室a4、工艺腔室b1和工艺腔室b2。

其中，预热腔室a1、预热腔室a3对应于工艺腔室b1，第一传输机构j1传递晶圆的过程依次为：冷却腔室c、预热腔室a1或预热腔室a3、工艺腔室b1，最后传回冷却腔室c。

预热腔室a2、预热腔室a4对应于工艺腔室b2。第一传输机构j1传递晶圆的过程依次为：冷却腔室c、预热腔室a2或预热腔室a4、工艺腔室b2，最后传回冷却腔室c。

参照图8，尖峰式退火工艺在第一阶段，将晶圆的温度从t0加热至t1的过程需要花费的时间为t1；在第二阶段，将晶圆的温度从t1加热至t2的过程需要花费的时间为t2。且，t1＞t2。

现有技术中，将晶圆的温度从t0加热至t1，从t1加热至t2的过程，均在工艺腔室中进行。此种情况下，将晶圆的温度从t0加热至t1(第一阶段)所花费的时间大于将晶圆的温度从t1加热至t2(第二阶段)所花费的时间，导致退火效率不高，影响生产节奏。

本实施例中，由于预热腔室a1、预热腔室a3对应工艺腔室b1，因而可以在预热腔室a1、预热腔室a3中分别预热两块晶圆，待晶圆的温度加热至t1时，先后将两块晶圆传送至工艺腔室b1中。

由于第一阶段所需花费的时间相对较长，第二阶段所需花费的时间相对较短，将预热好的两块晶圆交替传送至工艺腔室b1，从而能够充分利用工艺腔室b1，提高退火效率，提升生产节奏。

同样的，由于预热腔室a2、预热腔室a4对应工艺腔室b2，因而可以在预热腔室a2、预热腔室a4中分别预热两块晶圆，待晶圆的温度加热至t1时，先后将两块晶圆传送至工艺腔室b2中。从而能够充分利用工艺腔室b2，提高退火效率，提升生产节奏。

在一种具体的尖峰式退火工艺中，第一阶段的时间t1约在40s－70s之间，第二阶段的时间t2约在10s－15s之间。

采用本实施例中的退火装置，在预热腔室a1、预热腔室a3中分别加热晶圆，待预热腔室a1中的晶圆加热至温度t1时，将该晶圆传送至工艺腔室b1进行退火处理。同时，将新的晶圆传送至预热腔室a1进行预热；待工艺腔室b1中的晶圆完成退火处理后取出，并将预热腔室a2中预热好的晶圆传送至工艺腔室b1。同时，将新的晶圆传送至预热腔室a2进行预热。往复循环，能够较大程度上提升晶圆退火效率。

需要说明的是，对于不同的晶圆以及不同的目的，在尖峰式退火工艺中，t1、t2的具体时间数值会发生变化，但不影响本技术方案的实施。

另外，根据t1、t2的具体数值，还可以调整预热腔室与工艺腔室之间的对应关系。例如：设置更多的预热腔室，使多个预热腔室对应一个工艺腔室，以进一步提升晶圆退火效率。

继续参照图5，以预热腔室a1、预热腔室a2、工艺腔室b1、冷却腔室c1和晶圆储藏室d1为例，说明晶圆退火装置的工作方式：

将多块晶圆放置于晶圆储藏室d1内。开启晶圆退火装置，第二传输机构j2将晶圆储藏室d1中待退火的第一块晶圆传送至冷却腔室c1中。之后，第一传输机构j1将所述第一块晶圆传送至预热腔室a1中，晶圆在预热腔室a1中被加热；同时，第二传输机构j2将晶圆储藏室d1中待退火的第二块晶圆传送至冷却腔室c1中。之后，第一传输机构j1将所述第二块晶圆传送至预热腔室a2中，晶圆在预热腔室a2中被加热。

待第一块晶圆被加热至t1温度时，第一传输机构j1将第一块晶圆传送至工艺腔室b1中，进行退火处理；同时，第二传输机构j2将晶圆储藏室d1中待退火的第三块晶圆传送至冷却腔室c1中，第一传输机构j1将所述第三块晶圆传送至预热腔室a1中，晶圆在预热腔室a1中被加热。

待所述第一块晶圆完成退火工艺后，第一传输机构j1将晶圆从工艺腔室b1中取出，并传送回冷却腔室c1中。之后，待第二块晶圆被加热至t1温度时，第一传输机构j1将第二块晶圆传送至工艺腔室b1中，进行退火处理。

待晶圆在冷却腔室c1中冷却后，第二传输机构j2将晶圆重新传送回晶圆储藏室d1或其他适于放置晶圆的托盘。之后，第二传输机构j2将晶圆储藏室d1中待退火的第四块晶圆传送至冷却腔室c1中，第一传输机构j1将所述第四块晶圆传送至预热腔室a2中，晶圆在预热腔室a2中被加热。

重新等待第二块晶圆完成退火工艺后，并从工艺腔室b1中取出，传送至冷却腔室c1中，进行冷却。往复循环。

第三实施例

参照图6，本实施例与第一实施例的不同之处在于，晶圆退火装置包括两个预热腔室a、四个工艺腔室b，分别为预热腔室a1、预热腔室a2、工艺腔室b1、工艺腔室b2、工艺腔室b3和工艺腔室b4。

其中，预热腔室a1对应于工艺腔室b1、工艺腔室b3，第一传输机构j1传递晶圆的过程依次为：冷却腔室c、预热腔室a1、工艺腔室b1或工艺腔室b3，最后传回冷却腔室c。

预热腔室a2对应于工艺腔室b2、工艺腔室b4。第一传输机构j1传递晶圆的过程依次为：冷却腔室c、预热腔室a2、工艺腔室b2或工艺腔室b4，最后传回冷却腔室c。

参照图9，浸入式退火工艺在第一阶段，将晶圆的温度从t0加热至t1的过程需要花费的时间为t1；在第二阶段，将晶圆的温度从t1加热至t2的过程需要花费的时间为t2。且，t1＜t2。

现有技术中，将晶圆的温度从t0加热至t1，从t1加热至t2的过程，均在工艺腔室中进行。此种情况下，将晶圆的温度从t0加热至t1(第一阶段)所花费的时间小于将晶圆的温度从t1加热至t2(第二阶段)所花费的时间，导致退火效率不高，影响生产节奏。

本实施例中，由于预热腔室a1对应工艺腔室b1、工艺腔室b3，因而可以在预热腔室a1中先后预热两块晶圆，待晶圆的温度加热至t1时，分别将两块晶圆传送至工艺腔室b1、工艺腔室b3中。

由于第一阶段所需花费的时间相对较短，第二阶段所需花费的时间相对较长，将两块晶圆交替传送至工艺腔室b1、工艺腔室b3，从而能够充分利用预热腔室a1，提高退火效率，提升生产节奏。

同样的，由于预热腔室a2对应工艺腔室b2、工艺腔室b4，因而可以在预热腔室a2中先后预热两块晶圆，待晶圆的温度加热至t1时，分别将两块晶圆传送至工艺腔室b2、工艺腔室b4中。从而能够充分利用预热腔室a2，提高退火效率，提升生产节奏。

在一种具体的浸入式退火工艺中，第一阶段的时间t1约在15s－20s之间，第二阶段的时间t2约在30s－50s之间。

采用本实施例中的退火装置，在预热腔室a1中先后加热两块晶圆，待预热腔室a1中的第一块晶圆加热至温度t1时，将该晶圆传送至工艺腔室b1中进行退火处理。同时，将第二块晶圆传送至预热腔室a1进行预热；待预热腔室a1中的第二块晶圆加热至温度t1时，将该晶圆传送至工艺腔室b2中进行退火处理。同时，将第三块晶圆传送至预热腔室a1进行预热。待工艺腔室b1中的晶圆完成退火处理后取出，并将预热腔室a1中预热好的第三块晶圆传送至工艺腔室b1。同时，将第四块晶圆传送至预热腔室a1进行预热。往复循环，能够较大程度上提升晶圆退火效率。

需要说明的是，对于不同的晶圆以及不同的目的，在浸入式退火工艺中，t1、t2的具体时间数值会发生变化，但不影响本技术方案的实施。

另外，根据t1、t2的具体数值，还可以调整预热腔室与工艺腔室之间的对应关系。例如：设置更多的工艺腔室，使一个预热腔室对应多个工艺腔室，以进一步提升晶圆退火效率。

第四实施例

参照图7，本实施例与第一实施例的不同之处在于，晶圆退火装置包括四个预热腔室a、两个工艺腔室b，分别为预热腔室a11、预热腔室a21、预热腔室a12、预热腔室a22、工艺腔室b1和工艺腔室b2。

其中，预热腔室a11、预热腔室a12为一级预热腔室；预热腔室a21、预热腔室a22为二级预热腔室。也就是说，本实施例的晶圆退火装置具有双重预热的功能。

具体的，预热腔室a11、预热腔室a21对应于工艺腔室b1，第一传输机构j1传递晶圆的过程依次为：冷却腔室c、预热腔室a11、预热腔室a21、工艺腔室b1，最后传回冷却腔室c。

预热腔室a12、预热腔室a22对应于工艺腔室b2，第一传输机构j1传递晶圆的过程依次为：冷却腔室c、预热腔室a12、预热腔室a22、工艺腔室b2，最后传回冷却腔室c。

晶圆在不同级别下的预热时间并不一样，因此，可以根据不同级别下的预热时间的长短，具体设置不同级别中预热腔室的数量，从而能够提高退火效率，提升生产节奏。

本实施例适用于晶圆退火过程中需要两级预热的情形。

如图7所示，以预热腔室a11、预热腔室a21、工艺腔室b1、冷却腔室c1和晶圆储藏室d1为例，说明晶圆退火装置的工作方式：

将多块晶圆放置于晶圆储藏室d1内。开启晶圆退火装置，第二传输机构j2将晶圆储藏室d1中的一块待退火的晶圆传送至冷却腔室c1中；之后，第一传输机构j1将冷却腔室c1中的晶圆传送至预热腔室a11中，晶圆在预热腔室a11中被第一次加热；之后，第一传输机构j1将预热腔室a11中的晶圆传送至预热腔室a21中，晶圆在预热腔室a21中被第二次加热。

待晶圆被加热至设定温度时，第一传输机构j1将晶圆传送至工艺腔室b1中，进行退火处理；待晶圆完成退火工艺后，第一传输机构j1将晶圆从工艺腔室b1中取出，并传送回冷却腔室c1。

待晶圆在冷却腔室c1中冷却后，第二传输机构j2将晶圆重新传送回晶圆储藏室d1或其他适于放置晶圆的托盘。此时，第二传输机构j2可以将晶圆储藏室d1中的另一块待退火的晶圆传送至冷却腔室c1中，进行退火处理。往复循环，以实现对晶圆储藏室d1中的多块晶圆进行退火处理。

需要说明的是，在其他实施例中，还可以设置更多层级的预热腔室，以对晶圆进行更多次数的预热处理。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。