半导体装置的制造方法与流程

技术特征：

技术总结
本公开实施例提供防止在通孔开口/沟槽开口形成之后的接点损坏或氧化的方法。在一例子中，此方法包含在基底上的结构中形成开口，以暴露出电性导电部件的表面的一部分，以及使用从等离子体形成的能量物质轰击掩模层的表面，以从掩模层释放反应性物质，其中反应性物质在电性导电部件暴露的表面上形成阻挡层。

技术研发人员：沈柏志;邱意为;张宏睿
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.09.30
技术公布日：2018.12.07