一种金属栅极制作方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明提供一种金属栅极制作方法，应用于半导体的刻蚀工艺中，在去除NMOS区域的多晶硅伪栅极时使用氮化钛作为硬掩膜，分开去除NMOS和PMOS的多晶硅伪栅极后，同步进行电极填充，简化工艺流程。

技术研发人员：鲍宇
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
技术研发日：2017.11.14
技术公布日：2018.04.06