技术特征：
技术总结
本发明提供了一种金属互连结构的制备工艺，包括以下步骤：在层间介质层的表面依次沉积牺牲层、钝化层和光刻层；进行光刻以去除待刻蚀位置的光刻层，形成光刻沟道；进行刻蚀以形成金属互连层沟道，并随后去除光刻层；在金属互连层沟道先沉积一层金属籽晶层；沉积金属互连层以充满沟道；平坦化所述金属互连层，并露出牺牲层；去除牺牲层以形成空气隙(Air Gap)沉积阻挡层以覆盖金属互连层和空气隙。本发明的工艺，能有效制备空气隙、减小寄生电容，从而提高了3D NAND闪存等半导体器件的运行速度，以及使用可靠性。
技术研发人员：毛晓明;高晶;叶伟;耿静静;胡小龙;苏林
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2017.11.27
技术公布日：2018.04.20