技术特征：
技术总结
本发明提供一种图形化衬底及其制作方法，所述图形化衬底，包括衬底，所述衬底的顶面开设有若干沟槽，从而形成沟槽之间的生长平台，在所述沟槽内沉积有生长抑制层。本发明通过在沟槽内沉积生长抑制层，可以确保半导体材料尽量少地沉积到沟槽内，多在生长平台顶部成核并横向生长，在生长平台顶部设置成核层可更有利于半导体材料的选择性形核生长，由此带来的好处是进一步减少了半导体材料在沟槽内的沉积，防止沟槽被阻塞，从而有利于化学剥离时剥离液流入沟槽内，利于半导体材料的化学剥离。
技术研发人员：周圣军;胡红坡;高艺霖
受保护的技术使用者：武汉大学
技术研发日：2017.11.30
技术公布日：2018.05.11