技术总结
本发明提供一种存储器及其制备方法、半导体器件，在基底上形成多个呈阵列排布的有源区，每一有源区中均定义有一个第一离子布植区和两个第二离子布植区，在基底内形成多条字线，每一有源区均与两条字线相交，其中两条字线分别穿越有源区中位于第一离子布植区和第二离子布植区之间的部分，第一离子布植区位于两条字线之间，第二离子布植区位于有源区中字线远离第一离子布植区的一侧，并且第一离子布植区与第二离子布植区的底部相对于基底的上表面在基底中的深度位置互不相同，从而可以避免存储晶体管之间的相互影响，提高半导体器件的电学性能。 1
技术研发人员：不公告发明人;
受保护的技术使用者：睿力集成电路有限公司;
技术研发日：2017.12.22
技术公布日：2018.06.15